details van de producten

Created with Pixso. Huis Created with Pixso. Producten Created with Pixso.
MOS-condensatoren
Created with Pixso.

Overspanningsbestendige MOS-condensatoren 100V Enkellaags 470 pF Condensator Chip Voor Luchtvaart Energie Systemen

Overspanningsbestendige MOS-condensatoren 100V Enkellaags 470 pF Condensator Chip Voor Luchtvaart Energie Systemen

Merknaam: Hoan
Modelnummer: HACC471S100V470
MOQ: 10 stuks
Betalingsvoorwaarden: L/C, D/A, D/P, T/T
Gedetailleerde informatie
Plaats van herkomst:
Shaanxi, China
Certificering:
ISO 9001:2015, RoHS
Metallisatie aan de achterkant:
TiW-Pt-Au, >=1,0 um Au (Pt-barrière)
Montagetype:
Met draad te verbinden / AuSn Eutectische of geleidende epoxy-matrijsbevestiging
Trekkracht van draadverbindingen:
>6 gf (25 um Au-draad)
Bedrijfstemperatuur:
-55 C tot +125 C
Opslagtemperatuur:
-65ºC tot +150ºC
Chipafmetingen:
0,50 x 0,50 x 0,15 mm (20 x 20 x 6 mil)
RoHS:
Conform (EU 2015/863)
Aanpassingsmogelijkheden:
Capaciteit 10-2000 pF, nominale spanning 20-200 V, rechthoekige matrijs tot 4:1, omrande elektrode,
Markeren:

100V MOS-condensatoren

,

470 pF Enkellaags Condensator

,

Luchtvaart Energie Systeem Condensatoren

Productomschrijving

Overspanningsbestendig MOS-capacitor HACC471S100V470 ?? 470 pF 100 V enkellagige chip voor energie- en ruimtesystemen

Definitie van product:De HACC471S100V470 is een overspanningsbestendige enkellagige MOS-capacitor met een capaciteit van 470 pF ± 10% en een gelijkstroomcapaciteit van 100 V.Het is gebouwd op hoogresistiviteit float-zone silicium (> 1000 Ω·cm) met een 300 nm thermische SiO2een dielectrisch en een TiW-Au top/TiW-Pt-Au backside metallisatiesysteem, in een 0,50 × 0,50 × 0,15 mm draadbindende chip.en andere hoog betrouwbare stroomcircuits die spannings- en overspanningsgebeurtenissen moeten verdragen en ook nauwkeurige RF-simulatiemodellen gebruiken.


Een blik

  • Capaciteit: 470 pF ±10%
  • Nominale gelijkstroomspanning: 100 V
  • Stroomweerstand: 200 V (2x nominale, 10/1000 μs golfvorm)
  • Dielectrische bestandspanning: > 250 V gelijkstroom
  • Intrinsieke chip ESL: <0,05 nH, ESR <0,1 Ω @ 1 GHz
  • Chipgrootte: 0,50 × 0,50 × 0,15 mm, draadbindend / eutectic die attach


Specificaties (T = 25 °C, tenzij vermeld)

Parameter Waarde Voorwaarde
Capaciteit 470 pF ±10% 1 MHz, 1,0 Vrms
Nominale gelijkstroomspanning 100 V Continu
Spanning weerstaan 200 V (2x gemeten) 10/1000 μs golfvorm
Dielektrische weerstandsspanning > 250 V gelijkstroom 1 minuut, 25 °C
Dielektrisch type Thermische SiO2, 300 nm, amorf —
Substraat Float-zone Si, > 1000 Ω·cm —
Intrinsieke chip ESL < 0,05 nH De-ingebed
Q-factor > 2000 @ 1 MHz / > 250 @ 1 GHz Typisch
ESR @ 1 GHz < 0,1 Ω Typisch
Dissipatiefactor ≤ 2,5% @ 1 MHz 1.0 Vrms
Isolatieweerstand ≥ 104MΩ Bij nominale spanning
TCC 0 ± 30 ppm/°C -55 °C tot +125 °C
Leckage-stroom < 10 nA @ 25 °C / < 100 nA @ 125 °C Bij 100 V gelijkstroom
ESD-tolerantie Klasse 0 HBM / Klasse C2 CDM JESD22-A114 / C101
Vochtgevoeligheid MSL 1 (J-STD-020, onbeperkte levensduur) —
TID-hardheid > 100 krad ((Si) ESCC 22900
Werktemperatuur -55 °C tot +125 °C —
Bergingstemperatuur -65 °C tot +150 °C —
Topmetallisering TiW-Au, ≥ 2,5 μm Au —
Achterzijde metallisatie TiW-Pt-Au, ≥ 1,0 μm Au (Pt-barrière) —
Montage-type Draadbindend / AuSn eutectisch of geleidend epoxydroefstuk —
Draadband treksterkte > 6 gf (25 μm Au-draad) —
Chip afmetingen 0.50 × 0,50 × 0,15 mm (20 × 20 × 6 mil) —
RoHS Voldoende (EU 2015/863) —


Typische toepassingen

  • Aerospace-avionica DC-link en bus ontkoppeling
  • Satellietverstrooming en hoge betrouwbaarheid van de stroomvoorziening
  • Transiente onderdrukking in inductielastschakelcircuits
  • Hoog betrouwbare RF-versterker-biasnetwerken
  • Circuits voor energieopvang en pulsafscheiding in ruwe omgevingen


Overspanningsbestendige MOS-condensatoren 100V Enkellaags 470 pF Condensator Chip Voor Luchtvaart Energie Systemen