| Tên thương hiệu: | Hoan |
| Số mô hình: | HACC471S100V470 |
| MOQ: | 10 miếng |
| Điều khoản thanh toán: | L/C,D/A,D/P,T/T |
Định nghĩa sản phẩm:HACC471S100V470 là một tụ điện MOS một lớp chịu sóng với công suất 470 pF ± 10% và chỉ số 100 V DC.Nó được xây dựng trên silicon vùng nổi kháng cao (> 1000 Ω · cm) với nhiệt SiO 300 nm2Dielectric và một TiW-Au trên / TiW-Pt-Au hệ thống kim loại hóa phía sau, trong một chip dây có thể liên kết 0,50 × 0,50 × 0,15 mm. Nó được thiết kế cho hàng không vũ trụ, vệ tinh,và các mạch điện đáng tin cậy cao khác phải chịu nổi sự kiện giật và quá tải và cũng sử dụng các mô hình mô phỏng RF chính xác.
| Parameter | Giá trị | Điều kiện |
| Khả năng | 470 pF ± 10% | 1 MHz, 1,0 Vrms |
| Điện áp định số DC | 100 V | Tiếp tục |
| Tăng áp chống điện áp | 200 V (2× định lượng) | Hình sóng 10/1000 μs |
| Dòng điện đệm chịu điện áp | > 250 V DC | 1 phút, 25 °C |
| Loại dielektrik | SiO nhiệt2, 300 nm, vô hình | ️ |
| Substrate | Vùng nổi Si, > 1000 Ω·cm | ️ |
| Chip nội tại ESL | < 0,05 nH | Không được nhúng |
| Q Factor | > 2000 @ 1 MHz / > 250 @ 1 GHz | Thông thường |
| ESR @ 1 GHz | <0,1 Ω | Thông thường |
| Nguyên nhân phân tán | ≤ 2,5% @ 1 MHz | 1.0 Vrms |
| Kháng cách nhiệt | ≥ 104MΩ | Ở điện áp định số |
| TCC | 0 ± 30 ppm/°C | -55 °C đến +125 °C |
| Dòng rò rỉ | < 10 nA @ 25 °C / < 100 nA @ 125 °C | Ở 100 V DC |
| Sự khoan dung với ESD | Lớp 0 HBM / Lớp C2 CDM | JESD22-A114 / C101 |
| Nhạy cảm với độ ẩm | MSL 1 (J-STD-020, không giới hạn thời gian sử dụng sàn) | ️ |
| Độ cứng TID | > 100 krad ((Si) | ESCC 22900 |
| Nhiệt độ hoạt động | -55 °C đến +125 °C | ️ |
| Nhiệt độ lưu trữ | -65 °C đến +150 °C | ️ |
| Than hóa trên cùng | TiW-Au, ≥ 2,5 μm Au | ️ |
| Sự kim loại hóa phía sau | TiW-Pt-Au, ≥1,0 μm Au (rào cản Pt) | ️ |
| Loại lắp đặt | Sợi dây liên kết / AuSn Eutectic hoặc kết nối epoxy dẫn điện | ️ |
| Sức kéo dây liên kết | > 6 gf (25 μm Au dây) | ️ |
| Kích thước chip | 0.50 × 0,50 × 0,15 mm (20 × 20 × 6 mil) | ️ |
| RoHS | Phù hợp (EU 2015/863) | ️ |
![]()