chi tiết sản phẩm

Created with Pixso. Nhà Created with Pixso. Các sản phẩm Created with Pixso.
Capacitor MOS
Created with Pixso.

Tăng độ chịu sóng MOS Capacitors 100V Single Layer 470 pF Capacitor Chip For Aerospace Power Systems

Tăng độ chịu sóng MOS Capacitors 100V Single Layer 470 pF Capacitor Chip For Aerospace Power Systems

Tên thương hiệu: Hoan
Số mô hình: HACC471S100V470
MOQ: 10 miếng
Điều khoản thanh toán: L/C,D/A,D/P,T/T
Thông tin chi tiết
Nguồn gốc:
Thiểm Tây, Trung Quốc
Chứng nhận:
ISO 9001:2015, RoHS
Kim loại hóa mặt sau:
TiW-Pt-Au, >=1,0 um Au (rào cản Pt)
Kiểu lắp:
Dây có thể liên kết / AuSn Eutectic hoặc Epoxy Die Attach
Sức mạnh kéo dây:
>6 gf (dây 25 um Au)
Nhiệt độ hoạt động:
-55 C đến +125 C
Nhiệt độ bảo quản:
-65 C đến +150 C
Kích thước chip:
0,50 x 0,50 x 0,15 mm (20 x 20 x 6 triệu)
RoHS:
Tuân thủ (EU 2015/863)
Tùy chọn tùy chỉnh:
Điện dung 10-2000 pF, điện áp định mức 20-200 V, khuôn hình chữ nhật lên tới 4:1, điện cực có viền,
Làm nổi bật:

Capacitor 100V MOS

,

470 pF Capacitor một lớp

,

Máy gia cố hệ thống điện không gian

Mô tả sản phẩm

Tăng độ chịu áp lực MOS Capacitor HACC471S100V470 ?? 470 pF 100 V Chip lớp đơn cho hệ thống điện hàng không vũ trụ

Định nghĩa sản phẩm:HACC471S100V470 là một tụ điện MOS một lớp chịu sóng với công suất 470 pF ± 10% và chỉ số 100 V DC.Nó được xây dựng trên silicon vùng nổi kháng cao (> 1000 Ω · cm) với nhiệt SiO 300 nm2Dielectric và một TiW-Au trên / TiW-Pt-Au hệ thống kim loại hóa phía sau, trong một chip dây có thể liên kết 0,50 × 0,50 × 0,15 mm. Nó được thiết kế cho hàng không vũ trụ, vệ tinh,và các mạch điện đáng tin cậy cao khác phải chịu nổi sự kiện giật và quá tải và cũng sử dụng các mô hình mô phỏng RF chính xác.


Một cái nhìn

  • Chất điện: 470 pF ± 10%
  • Điện áp định số DC: 100 V
  • Chống điện giật: 200 V (2 × định giá, hình sóng 10/1000 μs)
  • Điện áp chống điện đệm: > 250 V DC
  • Chip nội tại ESL: <0,05 nH, ESR <0,1 Ω @ 1 GHz
  • Kích thước chip: 0,50 × 0,50 × 0,15 mm, dây liên kết / đính kèm die eutectic


Thông số kỹ thuật (T = 25 °C trừ khi có ghi chú)

Parameter Giá trị Điều kiện
Khả năng 470 pF ± 10% 1 MHz, 1,0 Vrms
Điện áp định số DC 100 V Tiếp tục
Tăng áp chống điện áp 200 V (2× định lượng) Hình sóng 10/1000 μs
Dòng điện đệm chịu điện áp > 250 V DC 1 phút, 25 °C
Loại dielektrik SiO nhiệt2, 300 nm, vô hình ️
Substrate Vùng nổi Si, > 1000 Ω·cm ️
Chip nội tại ESL < 0,05 nH Không được nhúng
Q Factor > 2000 @ 1 MHz / > 250 @ 1 GHz Thông thường
ESR @ 1 GHz <0,1 Ω Thông thường
Nguyên nhân phân tán ≤ 2,5% @ 1 MHz 1.0 Vrms
Kháng cách nhiệt ≥ 104MΩ Ở điện áp định số
TCC 0 ± 30 ppm/°C -55 °C đến +125 °C
Dòng rò rỉ < 10 nA @ 25 °C / < 100 nA @ 125 °C Ở 100 V DC
Sự khoan dung với ESD Lớp 0 HBM / Lớp C2 CDM JESD22-A114 / C101
Nhạy cảm với độ ẩm MSL 1 (J-STD-020, không giới hạn thời gian sử dụng sàn) ️
Độ cứng TID > 100 krad ((Si) ESCC 22900
Nhiệt độ hoạt động -55 °C đến +125 °C ️
Nhiệt độ lưu trữ -65 °C đến +150 °C ️
Than hóa trên cùng TiW-Au, ≥ 2,5 μm Au ️
Sự kim loại hóa phía sau TiW-Pt-Au, ≥1,0 μm Au (rào cản Pt) ️
Loại lắp đặt Sợi dây liên kết / AuSn Eutectic hoặc kết nối epoxy dẫn điện ️
Sức kéo dây liên kết > 6 gf (25 μm Au dây) ️
Kích thước chip 0.50 × 0,50 × 0,15 mm (20 × 20 × 6 mil) ️
RoHS Phù hợp (EU 2015/863) ️


Các ứng dụng điển hình

  • Máy bay không gian liên kết DC-link và tách bus
  • Điều hòa năng lượng vệ tinh và bỏ qua nguồn cung cấp độ tin cậy cao
  • Đột phá tạm thời trong mạch chuyển mạch tải cảm ứng
  • Mạng thiên vị tăng cường công suất RF độ tin cậy cao
  • Các mạch thu năng lượng và xả xung trong môi trường khắc nghiệt


Tăng độ chịu sóng MOS Capacitors 100V Single Layer 470 pF Capacitor Chip For Aerospace Power Systems