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Condensatori MOS
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Resistenza all'umidità ESD Capacitori MOS sicuri 470 pF 30V Single layer chip per decoppiamento RF a banda larga

Resistenza all'umidità ESD Capacitori MOS sicuri 470 pF 30V Single layer chip per decoppiamento RF a banda larga

Marchio: Hoan
Numero di modello: HMR471S30V500
MOQ: 10 pezzi
Termini di pagamento: T/T,L/C,D/A,D/P
Informazioni dettagliate
Luogo di origine:
Shaanxi, Cina
Certificazione:
ISO 9001:2015, RoHS
Metallizzazione superiore:
TiW (100 nm) + Au (2,5 µm/min)
Metallizzazione del retro:
TiW-Pt-Au (Au 1,0 µm min)
Dimensioni del chip:
0,50 × 0,50 × 0,15 millimetri
Temperatura operativa:
Da -55°C a +125°C
Temperatura di conservazione:
-65°C a +150°C
RoHS:
Conforme (UE 2015/863)
Tipo di montaggio:
Fissaggio a filo/matrice eutettica
Personalizzazione:
Valore di capacità, geometria del chip, metallizzazione e confezionamento su richiesta
Evidenziare:

Condensatore MOS ESD sicuro e resistente all'umidità

,

condensatore MOS da 470 pF 30V

,

Disaggregazione RF a banda larga su chip a strato singolo

Descrizione di prodotto

Capacitore MOS sicuro ESD resistente all'umidità 470 pF 30V chip a singolo strato per decoppiamento RF a banda larga


Riassunto:IlHMR471S30V500è un condensatore a chip MOS a uno strato con potenza nominale di 470 pF / 30 V DC, fabbricato su silicio a zona galleggiante con un dielettrico termico denso SiO&sub2; e un sistema di metallizzazione TiW-Pt-Au.Combina una robusta resistenza all'umidità (MSL 1, senza assorbimento di massa) con robustezza elettrostatica e induttanza parassitaria molto bassa, che lo rende un condensatore MOS a strato singolo per lo scollegamento RF a banda larga in ambiente umido,ambienti esterni e automobilisticiIl valore della capacità, la geometria del chip e l'imballaggio sono personalizzabili.


Specificità chiave in sintesi


  • Capacità: 470 pF ±10% (opzioni di tolleranza ±5%)
  • tensione nominale: 30 V di corrente continua, resistenza dielettrica > 100 V di corrente continua
  • ESL del chip intrinseco: < 0,05 nH (via di corrente verticale a uno strato)
  • Coefficiente di temperatura: +35 ppm/°C, da -55 °C a +125 °C
  • Umidità: MSL 1; deriva di umidità pregiudiziale < 0,1% in 1000 h
  • ESD: classe 0 (HBM); metallizzazione senza argento
  • Dimensioni del chip: 0,50 × 0,50 × 0,15 mm; attacco a striscia eutectico


Specifiche elettriche complete (T = 25 °C, salvo indicazione)


Parametro Valore Condizione di prova
Capacità 470 pF ±10% 1 MHz, 1,0 Vrms
Opzioni di tolleranza ±10% (K), ±5% (J) ️
Voltaggio nominale di corrente continua 30 V Continuo
Resistenza dielettrica > 100 V DC 1 minuto, 25 °C
ESL a chip intrinseco < 0,05 nH Disintegrato dai parametri S
Fattore Q @ 1 MHz > 2000 Tipico
ESR @ 1 GHz < 0,1 Ω Tipico
TCC +35 ppm/°C Da −55 °C a +125 °C
Livello di sensibilità all'umidità MSL 1 J-STD-020, durata illimitata del pavimento
Dislivello di umidità pregiudicato < 0,1% 1000 h, 85 °C/85% RH, 30 V
Corrente di perdita < 10 nA (asciutto) / < 20 nA (post-umidità) 30 V di corrente
Dielettrico / substrato SiO&sub2; termico 300 nm/zona galleggiante Si > 1000 Ω·cm ️
Funzionamento / immagazzinamento -55 a +125 °C / -65 a +150 °C ️
RoHS Conformità Codice di riferimento


Applicazioni tipiche


  • Unità radio a distanza all'aperto (RRU) esposte a condensazione e ciclo termico
  • Dispositivi di controllo elettronico per autoveicoli (sale stradale, umidità, variazioni di temperatura)
  • Nodi sensori IoT industriali in ambienti industriali o agricoli non condizionati
  • Elettronica di comunicazione marina e costiera in aria salmastra
  • Elettronica indossabile per uso medico soggetta a sudorazione e umidità corporea


Resistenza all'umidità ESD Capacitori MOS sicuri 470 pF 30V Single layer chip per decoppiamento RF a banda larga