| Marchio: | Hoan |
| Numero di modello: | HMR471S30V500 |
| MOQ: | 10 pezzi |
| Termini di pagamento: | T/T,L/C,D/A,D/P |
Riassunto:IlHMR471S30V500è un condensatore a chip MOS a uno strato con potenza nominale di 470 pF / 30 V DC, fabbricato su silicio a zona galleggiante con un dielettrico termico denso SiO&sub2; e un sistema di metallizzazione TiW-Pt-Au.Combina una robusta resistenza all'umidità (MSL 1, senza assorbimento di massa) con robustezza elettrostatica e induttanza parassitaria molto bassa, che lo rende un condensatore MOS a strato singolo per lo scollegamento RF a banda larga in ambiente umido,ambienti esterni e automobilisticiIl valore della capacità, la geometria del chip e l'imballaggio sono personalizzabili.
| Parametro | Valore | Condizione di prova |
| Capacità | 470 pF ±10% | 1 MHz, 1,0 Vrms |
| Opzioni di tolleranza | ±10% (K), ±5% (J) | ️ |
| Voltaggio nominale di corrente continua | 30 V | Continuo |
| Resistenza dielettrica | > 100 V DC | 1 minuto, 25 °C |
| ESL a chip intrinseco | < 0,05 nH | Disintegrato dai parametri S |
| Fattore Q @ 1 MHz | > 2000 | Tipico |
| ESR @ 1 GHz | < 0,1 Ω | Tipico |
| TCC | +35 ppm/°C | Da −55 °C a +125 °C |
| Livello di sensibilità all'umidità | MSL 1 | J-STD-020, durata illimitata del pavimento |
| Dislivello di umidità pregiudicato | < 0,1% | 1000 h, 85 °C/85% RH, 30 V |
| Corrente di perdita | < 10 nA (asciutto) / < 20 nA (post-umidità) | 30 V di corrente |
| Dielettrico / substrato | SiO&sub2; termico 300 nm/zona galleggiante Si > 1000 Ω·cm | ️ |
| Funzionamento / immagazzinamento | -55 a +125 °C / -65 a +150 °C | ️ |
| RoHS | Conformità | Codice di riferimento |
![]()