تفاصيل المنتجات

Created with Pixso. المنزل Created with Pixso. منتجات Created with Pixso.
مكثفات MOS
Created with Pixso.

مقاومة للرطوبة ESD مكثفات MOS آمنة 470 pF 30V رقاقة طبقة واحدة لفك ربط RF العريض

مقاومة للرطوبة ESD مكثفات MOS آمنة 470 pF 30V رقاقة طبقة واحدة لفك ربط RF العريض

اسم العلامة التجارية: Hoan
رقم الموديل: HMR471S30V500
موك: 10 قطع
شروط الدفع: تي/تي، خطاب الاعتماد، د/أ، د/ف
معلومات مفصلة
مكان المنشأ:
شنشي، الصين
إصدار الشهادات:
ISO 9001:2015, RoHS
أعلى المعدنة:
TiW (100 نانومتر) + Au (2.5 ميكرومتر دقيقة)
تعدين المؤخر:
TiW-Pt-Au (Au 1.0 ميكرومتر دقيقة)
أبعاد الشريحة:
0.50 × 0.50 × 0.15 ملم
درجة حرارة التشغيل:
-55 درجة مئوية إلى +125 درجة مئوية
درجة حرارة التخزين:
-65 درجة مئوية إلى + 150 درجة مئوية
بنفايات:
متوافق (الاتحاد الأوروبي 863/2015)
نوع التركيب:
سلك قابل للربط / مرفق بالقالب سهل الانصهار
التخصيص:
قيمة السعة وهندسة الرقائق والتعدين والتعبئة عند الطلب
إبراز:

مكثف MOS آمن ESD مقاوم للرطوبة

,

مكثف MOS 470 pF 30V

,

تفكيك الشريحة ذات الطبقة الواحدة من الشريحة العريضة

وصف المنتج

المقاومة للرطوبة ESD آمن MOS مكثف 470 pF 30V رقاقة طبقة واحدة لفك ربط RF النطاق العريض


ملخص:الـHMR471S30V500هو مكثف رقاقة MOS من طبقة واحدة مع 470 pF / 30 V DC ، المصنوع على السيليكون في المنطقة العائمة مع SiO&sub2 الحراري الكثيف ؛ كهرباء الديليكتريك ونظام تعديل TiW-Pt-Au.يجمع بين أداء رطوبة قوية (MSL 1، بدون امتصاص هائل) مع قوة الكهرباء الستاتيكية وانخفاض الحثية الطفيلية منخفضة جدا، مما يجعلها خيار مكثف MOS من طبقة واحدة لفك ربط RF النطاق العريض في الرطوبة،البيئات الخارجية والسياراتقيمة السعة، هندسة الشريحة، والتعبئة يمكن تخصيصها.


المواصفات الرئيسية في لمحة


  • سعة: 470 pF ± 10% (خيارات التسامح ± 5٪)
  • الجهد الاسمي: 30 فولت DC، قوة كهربائية معطلة > 100 فولت DC
  • ESL الشريحة الداخلية: <0.05 nH (مسار التيار الرأسي من طبقة واحدة)
  • معامل الحرارة: +35 ppm/°C، من -55 °C إلى +125 °C
  • الرطوبة: MSL 1 ، تحرك الرطوبة المتحيز < 0.1% على مدى 1000 ساعة
  • ESD: الفئة 0 (HBM) ؛ المعادن الخالية من الفضة
  • حجم الشريحة: 0.50 × 0.50 × 0.15 ملم ؛ سلك القيود / الوتيكتيك المقطوعة


المواصفات الكهربائية الكاملة (T = 25 درجة مئوية ما لم يذكر)


المعلم القيمة حالة الاختبار
السعة 470 pF ± 10% 1 ميغاهرتز، 1.0 Vrms
خيارات التسامح ± 10% (K) ، ± 5% (J) ‬‬
الجهد المباشر 30 فولت مستمرة
القوة الكهربائية > 100 فولت DC 1 دقيقة، 25 درجة مئوية
الشريحة الداخلية ESL <0.05 نهي غير مضمنة من معايير S
عامل Q @ 1 ميگاهرتز >2000 نموذجي
ESR @ 1 GHz <0.1 Ω نموذجي
TCC +35 ppm/°C من -55 °C إلى +125 °C
مستوى حساسية الرطوبة MSL 1 J-STD-020 ، عمر الأرضية غير المحدود
الانجراف المتحيز للرطوبة < 0.1% 1000 ساعة، 85 °C/85٪ RH، 30 فولت
تيار التسرب < 10 nA (جاف) / < 20 nA (بعد الرطوبة) 30 فولت DC
الديليكتريك / الركيزة SiO&sub2; الحراري 300 nm / منطقة العائمة Si > 1000 Ω·cm ‬‬
تشغيل / تخزين -55 إلى +125 °C / -65 إلى +150 °C ‬‬
RoHS متوافق الاتحاد الأوروبي 2015/863


تطبيقات نموذجية


  • وحدات الراديو البعيدة في الهواء الطلق (RRU) المتعرضة للتكثيف والدورة الحرارية
  • وحدات التحكم الإلكترونية للسيارات (ملح الطريق، الرطوبة، تقلبات درجة الحرارة)
  • عقدة أجهزة استشعار إنترنت الأشياء الصناعية في بيئات مصنع أو زراعية غير مشروطة
  • إلكترونيات الاتصالات البحرية والساحلية في الهواء المملح
  • الإلكترونيات الطبية القابلة للارتداء عرضة للتعرق والرطوبة الجسدية


مقاومة للرطوبة ESD مكثفات MOS آمنة 470 pF 30V رقاقة طبقة واحدة لفك ربط RF العريض