rincian produk

Rumah Produk

Kelembaban tahan ESD MOS Aman Kondensator 470 pF 30V Single Layer Chip untuk Broadband RF decoupling

Name: Kelembaban tahan ESD MOS Aman Kondensator 470 pF 30V Single Layer Chip untuk Broadband RF decoupling
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HMR471S30V500
Price: Bisa dinegosiasikan USD
Availability: InStock

Nama Merek:	Hoan
Nomor Model:	HMR471S30V500
MOQ:	10 buah
Ketentuan Pembayaran:	T/T,L/C,D/A,D/P

Informasi Rinci

Deskripsi Produk

Informasi Rinci

Tempat asal:

Shaanxi, Tiongkok

Sertifikasi:

ISO 9001:2015, RoHS

Metalisasi Teratas:

TiW (100nm) + Au (2,5µm mnt)

Metalisasi Bagian Belakang:

TiW-Pt-Au (Au 1,0µm mnt)

Dimensi Keping:

0,50 × 0,50 × 0,15mm

Suhu Operasional:

-55°C hingga +125°C

Suhu Penyimpanan:

-65°C hingga +150°C

RoHS:

Sesuai (UE 2015/863)

Tipe Pemasangan:

Kawat Berikat / Die Attach Eutectic

Kustomisasi:

Nilai kapasitansi, geometri chip, metalisasi, dan pengemasan berdasarkan permintaan

Menyoroti:

Kapasitor MOS aman ESD tahan lembab

Kapasitor MOS 470 pF 30V

Decoupling RF broadband chip lapisan tunggal

Deskripsi Produk

Kapasitor MOS Tahan Lembab ESD Aman 470 pF 30V Lapisan Tunggal Chip untuk Decoupling RF Broadband

Ringkasan: HMR471S30V500 adalah kapasitor chip MOS lapisan tunggal dengan rating 470 pF / 30 V DC, dibuat pada silikon float-zone dengan dielektrik SiO&sub2; termal yang padat dan sistem metalisasi TiW-Pt-Au. Kapasitor ini menggabungkan kinerja kelembaban yang kuat (MSL 1, tidak ada penyerapan curah) dengan ketahanan elektrostatik dan induktansi parasit yang sangat rendah, menjadikannya pilihan kapasitor MOS lapisan tunggal untuk decoupling RF broadband di lingkungan lembab, luar ruangan, dan otomotif. Nilai kapasitansi, geometri chip, dan pengemasan dapat disesuaikan.

Spesifikasi Utama Sekilas

Kapasitansi: 470 pF ±10% (opsi toleransi ±5%)
Tegangan terukur: 30 V DC, kekuatan dielektrik >100 V DC
ESL chip intrinsik: <0.05 nH (jalur arus vertikal lapisan tunggal)
Koefisien suhu: +35 ppm/°C, −55 °C hingga +125 °C
Kelembaban: MSL 1; penyimpangan kelembaban bias <0.1% selama 1000 jam
ESD: kelas 0 (HBM); metalisasi bebas perak
Ukuran chip: 0.50 × 0.50 × 0.15 mm; dapat diikat kawat / sambungan die eutektik

Spesifikasi Listrik Lengkap (T = 25 °C kecuali dicatat)

Parameter	Nilai	Kondisi Uji
Kapasitansi	470 pF ±10%	1 MHz, 1.0 Vrms
Opsi toleransi	±10% (K), ±5% (J)	—
Tegangan DC terukur	30 V	Kontinu
Kekuatan dielektrik	>100 V DC	1 menit, 25 °C
ESL chip intrinsik	<0.05 nH	Dilepas dari parameter S
Faktor Q @ 1 MHz	>2000	Tipikal
ESR @ 1 GHz	<0.1 Ω	Tipikal
TCC	+35 ppm/°C	−55 °C hingga +125 °C
Tingkat sensitivitas kelembaban	MSL 1	J-STD-020, masa pakai di lantai tidak terbatas
Penyimpangan kelembaban bias	<0.1%	1000 jam, 85 °C/85% RH, 30 V
Arus bocor	<10 nA (kering) / <20 nA (pasca-kelembaban)	30 V DC
Dielektrik / substrat	SiO&sub2; termal 300 nm / silikon float-zone >1000 Ω·cm	—
Operasi / penyimpanan	−55 hingga +125 °C / −65 hingga +150 °C	—
RoHS	Sesuai	EU 2015/863

Aplikasi Khas

Unit radio jarak jauh luar ruangan (RRU) yang terpapar kondensasi dan siklus termal
Unit kontrol elektronik otomotif (garam jalan, kelembaban, perubahan suhu)
Node sensor IoT industri di lingkungan pabrik atau pertanian yang tidak terkondisi
Elektronik komunikasi laut dan pesisir di udara yang penuh garam
Elektronik wearable medis yang terkena keringat dan kelembaban yang dikenakan di tubuh

Kelembaban tahan ESD MOS Aman Kondensator 470 pF 30V Single Layer Chip untuk Broadband RF decoupling

Tag:

Induktor Kerucut

Induktor Broadband

Induktor inti udara

induktor kumparan udara

Kondensator MOS