Подробная информация о продукции

Created with Pixso. Дом Created with Pixso. Продукты Created with Pixso.
Конденсаторы MOS
Created with Pixso.

Устойчивые к влаге ESD безопасные MOS конденсаторы 470 pF 30V однослойный чип для широкополосного расцепления RF

Устойчивые к влаге ESD безопасные MOS конденсаторы 470 pF 30V однослойный чип для широкополосного расцепления RF

Название бренда: Hoan
Номер модели: ХМР471С30В500
минимальный заказ: 10 шт.
Условия оплаты: Т/Т,Л/К,Д/А,Д/П
Детальная информация
Место происхождения:
Шэньси, Китай
Сертификация:
ISO 9001:2015, RoHS
Топ Металлизация:
TiW (100 нм) + Au (2,5 мкм мин)
Задняя металлизация:
TiW-Pt-Au (Au 1,0 мкм мин.)
Размеры чипа:
0,50 × 0,50 × 0,15 мм
Рабочая температура:
от -55°С до +125°С
Температура хранения:
-65°C к +150°C
РоХС:
Соответствует (ЕС 2015/863)
Тип монтажа:
Крепление проволочной/эвтектической матрицы
Кастомизация:
Значение емкости, геометрия чипа, металлизация и упаковка по запросу.
Выделить:

Устойчивый к влаге конденсатор MOS ESD

,

Конденсатор MOS 470 pF 30V

,

Однослойная широкополосная радиочастотная разъединение чипа

Характер продукции

Устойчивый к влаге ESD безопасный конденсатор MOS 470 pF 30V однослойный чип для широкополосной радиочастотной разъединения


Резюме:ВHMR471S30V500является однослойным конденсатором микросхемы MOS с номинальной частотой 470 pF / 30 V DC, изготовленным на кремниевой зоне плавающей зоны с плотным тепловым диэлектриком SiO&sub2; и системой металлизации TiW-Pt-Au.Он сочетает в себе надежную влагостойкость (MSL 1, без массовой абсорбции) с электростатической прочностью и очень низкой паразитарной индуктивностью, что делает его однослойным конденсатором MOS для широкополосного разъединения RF в влажном состоянии,наружные и автомобильные средыЗначение емкости, геометрия чипа и упаковка настраиваются.


Ключевые характеристики на первый взгляд


  • Конденсация: 470 pF ±10% (варианты допуска ±5%)
  • Номинальное напряжение: 30 В постоянного тока, диэлектрическая прочность > 100 В постоянного тока
  • Внутренний чип ESL: < 0,05 nH (однослойный вертикальный путь тока)
  • Температурный коэффициент: +35 ppm/°C, от −55 °C до +125 °C
  • Влажность: MSL 1; смещение влажности < 0,1% за 1000 ч
  • ESD: класс 0 (HBM); металлизация без серебра
  • Размер микросхемы: 0,50 × 0,50 × 0,15 мм; проволока подключаемая к проволоке / эутектическая установка


Полная электрическая спецификация (T = 25 °C, если не указано)


Параметр Стоимость Условия испытания
Пропускная способность 470 pF ±10% 1 МГц, 1,0 ВРМ
Варианты допуска ±10% (K), ±5% (J) —
Номинальное напряжение постоянного тока 30 В Непрерывный
Диэлектрическая прочность > 100 В постоянного тока 1 минута, 25 °C
Внутренний чип ESL < 0,05 нГ Снято с S-параметров
Q-фактор @ 1 МГц >2000 Типичный
ESR @ 1 ГГц <0,1 Ω Типичный
ТЦК +35 ppm/°C от −55 °C до +125 °C
Уровень чувствительности к влаге MSL 1 J-STD-020, неограниченный срок службы
Уклонение влажности < 0,1% 1000 ч, 85 °C/85% RH, 30 В
Ток утечки < 10 nA (сухо) / < 20 nA (после влажности) 30 В постоянного тока
Диэлектрик / субстрат Тепловая SiO&sub2; 300 нм / зона плавания Si > 1000 Ω·cm —
Эксплуатация / хранение -55 до +125 °C / -65 до +150 °C —
RoHS Соответствует ЕС 2015/863


Типичные применения


  • Внешние дистанционные радиоустановки (RRU), подверженные конденсации и тепловому циклизму
  • Автомобильные электронные устройства управления (дорожная соль, влажность, колебания температуры)
  • Промышленные узлы датчиков IoT в некондиционированной фабрике или сельскохозяйственной среде
  • Электроника морской и береговой связи в воздухе, наполненном солью
  • Медицинская носимая электроника, подверженная потоотделению и влажности тела


Устойчивые к влаге ESD безопасные MOS конденсаторы 470 pF 30V однослойный чип для широкополосного расцепления RF