خازن‌های MOS ایمن ESD مقاوم در برابر رطوبت 470 پیکوفاراد 30 ولت تراشه تک لایه برای جداسازی RF پهن باند

مقاومت در برابر رطوبت ESD امن MOS Capacitor 470 pF 30V تراشه تک لایه برای جداسازی RF پهن باند

خلاصه:درHMR471S30V500یک خازن تراشه MOS تک لایه ای با درجه 470 pF / 30 V DC است که بر روی سیلیکون منطقه شناور با یک دی الکتریک گرمایی متراکم SiO&sub2 و یک سیستم فلز TiW-Pt-Au ساخته شده است.این ترکیب عملکرد رطوبت قوی (MSL 1، بدون جذب انبوه) با قدرت الکتروستاتیک و استحکام انگل بسیار پایین، که آن را به یک گزینه خازن MOS تک لایه برای جداسازی RF پهن باند در رطوبت تبدیل می کند،محیط های بیرونی و خودروارزش ظرفیت، هندسه تراشه و بسته بندی قابل سفارشی سازی است.

مشخصات کلیدی در یک نگاه

• ظرفیت: 470 pF ± 10% (انتخابات تحمل ± 5٪)
• ولتاژ نامی: 30 V DC، قدرت دی الکتریک > 100 V DC
• ESL درونی تراشه: <0.05 nH (مسیر جریان عمودی تک لایه ای)
• ضریب دمایی: +35 ppm/°C، -55 °C تا +125 °C
• رطوبت: MSL 1؛ حرکت رطوبت منحرف < 0.1% در طول 1000 ساعت
• ESD: کلاس 0 (HBM) ؛ فلز سازی بدون نقره
• اندازه تراشه: 0.50 × 0.50 × 0.15 میلی متر؛ اتصال سیم قابل اتصال

مشخصات الکتریکی کامل (T = 25 °C مگر اینکه ذکر شده باشد)

کاربردهای معمول

• واحدهای رادیویی از راه دور در فضای باز (RRU) که در معرض تهویه و چرخه حرارتی هستند
• واحدهای کنترل الکترونیکی خودرو (ملزوم جاده، رطوبت، نوسانات دمایی)
• گره های سنسور IoT صنعتی در محیط های کارخانه یا کشاورزی بدون شرایط
• الکترونیک ارتباطی دریایی و ساحلی در هوای مملو از نمک
• لوازم الکترونیکی پوشیدنی پزشکی که در معرض عرق و رطوبت بدن قرار دارند