Chống độ ẩm ESD MOS an toàn 470 pF 30V Chip lớp đơn cho giải ly RF băng thông rộng

Chống độ ẩm ESD MOS an toàn Capacitor 470 pF 30V Chip lớp đơn cho giải ly RF băng thông rộng

Tóm lại:CácHMR471S30V500là một bộ tụ chip MOS một lớp có giá trị 470 pF / 30 V DC, được chế tạo trên silicon khu vực nổi với SiO&sub2; nhiệt dày đặc; điện môi và hệ thống kim loại TiW-Pt-Au.Nó kết hợp hiệu suất độ ẩm mạnh mẽ (MSL 1, không có hấp thụ khối lượng lớn) với độ bền điện tĩnh và cảm ứng ký sinh trùng rất thấp, làm cho nó trở thành một lựa chọn tụ MOS một lớp cho giải ly tần số RF băng thông rộng trong điều kiện ẩm,môi trường ngoài trời và ô tôGiá trị điện dung, hình học chip và bao bì có thể tùy chỉnh.

Các thông số kỹ thuật chính trong một cái nhìn

• Capacity: 470 pF ±10% (các tùy chọn dung sai ±5%)
• Điện áp định số: 30 V DC, cường độ dielectric > 100 V DC
• ESL chip nội tại: <0,05 nH (con đường dòng thẳng đứng một lớp)
• Tỷ lệ nhiệt độ: +35 ppm/°C, -55 °C đến +125 °C
• Độ ẩm: MSL 1; xu hướng độ ẩm thiên vị < 0,1% trong 1000 giờ
• ESD: lớp 0 (HBM); kim loại hóa không bạc
• Kích thước chip: 0,50 × 0,50 × 0,15 mm; dây liên kết / gắn die eutectic

Thông số kỹ thuật điện đầy đủ (T = 25 °C trừ khi được ghi nhận)

Các ứng dụng điển hình

• Các thiết bị vô tuyến từ xa ngoài trời (RRU) tiếp xúc với ngưng tụ và chu kỳ nhiệt
• Đơn vị điều khiển điện tử ô tô (muối đường, độ ẩm, biến động nhiệt độ)
• Các nút cảm biến IoT công nghiệp trong môi trường nhà máy hoặc nông nghiệp không điều kiện
• Điện tử truyền thông biển và ven biển trong không khí chứa muối
• Các thiết bị điện tử dùng trong y tế có thể bị đổ mồ hôi và độ ẩm trên cơ thể