| ब्रांड का नाम: | Hoan |
| मॉडल नंबर: | HMR471S30V500 |
| MOQ: | 10 टुकड़े |
| भुगतान की शर्तें: | टी/टी, एल/सी, डी/ए, डी/पी |
सारांश: HMR471S30V500 एक सिंगल-लेयर MOS चिप कैपेसिटर है जिसकी रेटिंग 470 pF / 30 V DC है, जो फ्लोट-ज़ोन सिलिकॉन पर एक सघन थर्मल SiO&sub2; डाइइलेक्ट्रिक और एक TiW-Pt-Au मेटलाइजेशन सिस्टम के साथ निर्मित है। यह मजबूत नमी प्रदर्शन (MSL 1, कोई बल्क अवशोषण नहीं) को इलेक्ट्रोस्टैटिक मजबूती और बहुत कम परजीवी इंडक्शन के साथ जोड़ता है, जिससे यह आर्द्र, बाहरी और ऑटोमोटिव वातावरण में ब्रॉडबैंड RF डिकपलिंग के लिए एक सिंगल-लेयर MOS कैपेसिटर विकल्प बन जाता है। कैपेसिटेंस मान, चिप ज्यामिति और पैकेजिंग अनुकूलन योग्य हैं।
| पैरामीटर | मान | परीक्षण की स्थिति |
| कैपेसिटेंस | 470 pF ±10% | 1 MHz, 1.0 Vrms |
| टॉलरेंस विकल्प | ±10% (K), ±5% (J) | — |
| रेटेड डीसी वोल्टेज | 30 V | निरंतर |
| डाइइलेक्ट्रिक स्ट्रेंथ | >100 V DC | 1 मिनट, 25 °C |
| आंतरिक चिप ESL | <0.05 nH | एस-पैरामीटर से डी-एम्बेडेड |
| Q फैक्टर @ 1 MHz | >2000 | विशिष्ट |
| ESR @ 1 GHz | <0.1 Ω | विशिष्ट |
| TCC | +35 ppm/°C | −55 °C से +125 °C |
| नमी संवेदनशीलता स्तर | MSL 1 | J-STD-020, असीमित फ्लोर लाइफ |
| बायस्ड ह्यूमिडिटी ड्रिफ्ट | <0.1% | 1000 h, 85 °C/85% RH, 30 V |
| लीकेज करंट | <10 nA (सूखा) / <20 nA (पोस्ट-ह्यूमिडिटी) | 30 V DC |
| डाइइलेक्ट्रिक / सब्सट्रेट | थर्मल SiO&sub2; 300 nm / फ्लोट-ज़ोन Si >1000 Ω·cm | — |
| ऑपरेटिंग / स्टोरेज | −55 से +125 °C / −65 से +150 °C | — |
| RoHS | अनुरूप | EU 2015/863 |
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