उत्पादों का विवरण

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एमओएस कैपेसिटर
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नमी प्रतिरोधी ESD सुरक्षित MOS कैपेसिटर 470 pF 30V ब्रॉडबैंड RF डिकपलिंग के लिए सिंगल लेयर चिप

नमी प्रतिरोधी ESD सुरक्षित MOS कैपेसिटर 470 pF 30V ब्रॉडबैंड RF डिकपलिंग के लिए सिंगल लेयर चिप

ब्रांड का नाम: Hoan
मॉडल नंबर: HMR471S30V500
MOQ: 10 टुकड़े
भुगतान की शर्तें: टी/टी, एल/सी, डी/ए, डी/पी
विस्तृत जानकारी
उत्पत्ति के प्लेस:
शानक्सी, चीन
प्रमाणन:
ISO 9001:2015, RoHS
शीर्ष धातुकरण:
TiW (100nm) + Au (2.5µm मिनट)
पीछे की ओर धातुकरण:
TiW-Pt-Au (Au 1.0µm मिनट)
चिप आयाम:
0.50 × 0.50 × 0.15 मिमी
परिचालन तापमान:
-55°C से +125°C
भंडारण तापमान:
-65 डिग्री सेल्सियस से +150 डिग्री सेल्सियस
RoHS:
आज्ञाकारी (ईयू 2015/863)
माउन्टिंग का प्रकार:
वायर बॉन्डेबल / यूटेक्टिक डाई अटैच
अनुकूलन:
अनुरोध पर कैपेसिटेंस मान, चिप ज्यामिति, धातुकरण और पैकेजिंग
प्रमुखता देना:

नमी प्रतिरोधी ईएसडी सुरक्षित एमओएस कैपेसिटर

,

470 पीएफ 30V एमओएस कैपेसिटर

,

सिंगल लेयर चिप ब्रॉडबैंड आरएफ डिकपलिंग

उत्पाद का वर्णन

नमी प्रतिरोधी ESD सुरक्षित MOS कैपेसिटर 470 pF 30V सिंगल लेयर चिप ब्रॉडबैंड RF डिकपलिंग के लिए


सारांश: HMR471S30V500 एक सिंगल-लेयर MOS चिप कैपेसिटर है जिसकी रेटिंग 470 pF / 30 V DC है, जो फ्लोट-ज़ोन सिलिकॉन पर एक सघन थर्मल SiO&sub2; डाइइलेक्ट्रिक और एक TiW-Pt-Au मेटलाइजेशन सिस्टम के साथ निर्मित है। यह मजबूत नमी प्रदर्शन (MSL 1, कोई बल्क अवशोषण नहीं) को इलेक्ट्रोस्टैटिक मजबूती और बहुत कम परजीवी इंडक्शन के साथ जोड़ता है, जिससे यह आर्द्र, बाहरी और ऑटोमोटिव वातावरण में ब्रॉडबैंड RF डिकपलिंग के लिए एक सिंगल-लेयर MOS कैपेसिटर विकल्प बन जाता है। कैपेसिटेंस मान, चिप ज्यामिति और पैकेजिंग अनुकूलन योग्य हैं।


एक नज़र में मुख्य विनिर्देश


  • कैपेसिटेंस: 470 pF ±10% (टॉलरेंस विकल्प ±5%)
  • रेटेड वोल्टेज: 30 V DC, डाइइलेक्ट्रिक स्ट्रेंथ >100 V DC
  • आंतरिक चिप ESL: <0.05 nH (सिंगल-लेयर वर्टिकल करंट पाथ)
  • तापमान गुणांक: +35 ppm/°C, −55 °C से +125 °C
  • नमी: MSL 1; बायस्ड-ह्यूमिडिटी ड्रिफ्ट <0.1% 1000 h से अधिक
  • ESD: क्लास 0 (HBM); सिल्वर-मुक्त मेटलाइजेशन
  • चिप आकार: 0.50 × 0.50 × 0.15 mm; वायर बॉन्डेबल / यूटेक्टिक डाई अटैच


पूर्ण विद्युत विनिर्देश (T = 25 °C जब तक कि अन्यथा उल्लेख न किया गया हो)


पैरामीटर मान परीक्षण की स्थिति
कैपेसिटेंस 470 pF ±10% 1 MHz, 1.0 Vrms
टॉलरेंस विकल्प ±10% (K), ±5% (J) —
रेटेड डीसी वोल्टेज 30 V निरंतर
डाइइलेक्ट्रिक स्ट्रेंथ >100 V DC 1 मिनट, 25 °C
आंतरिक चिप ESL <0.05 nH एस-पैरामीटर से डी-एम्बेडेड
Q फैक्टर @ 1 MHz >2000 विशिष्ट
ESR @ 1 GHz <0.1 Ω विशिष्ट
TCC +35 ppm/°C −55 °C से +125 °C
नमी संवेदनशीलता स्तर MSL 1 J-STD-020, असीमित फ्लोर लाइफ
बायस्ड ह्यूमिडिटी ड्रिफ्ट <0.1% 1000 h, 85 °C/85% RH, 30 V
लीकेज करंट <10 nA (सूखा) / <20 nA (पोस्ट-ह्यूमिडिटी) 30 V DC
डाइइलेक्ट्रिक / सब्सट्रेट थर्मल SiO&sub2; 300 nm / फ्लोट-ज़ोन Si >1000 Ω·cm —
ऑपरेटिंग / स्टोरेज −55 से +125 °C / −65 से +150 °C —
RoHS अनुरूप EU 2015/863


विशिष्ट अनुप्रयोग


  • आउटडोर रिमोट रेडियो यूनिट (RRU) जो संघनन और थर्मल साइक्लिंग के संपर्क में आते हैं
  • ऑटोमोटिव इलेक्ट्रॉनिक कंट्रोल यूनिट (रोड सॉल्ट, आर्द्रता, तापमान में उतार-चढ़ाव)
  • अनकंडीशन्ड फैक्ट्री या कृषि वातावरण में औद्योगिक IoT सेंसर नोड्स
  • नमक युक्त हवा में समुद्री और तटीय संचार इलेक्ट्रॉनिक्स
  • चिकित्सा पहनने योग्य इलेक्ट्रॉनिक्स जो पसीने और शरीर द्वारा धारण की जाने वाली आर्द्रता के अधीन हैं


नमी प्रतिरोधी ESD सुरक्षित MOS कैपेसिटर 470 pF 30V ब्रॉडबैंड RF डिकपलिंग के लिए सिंगल लेयर चिप

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