পণ্যের বিবরণ

Created with Pixso. বাড়ি Created with Pixso. পণ্য Created with Pixso.
MOS ক্যাপাসিটর
Created with Pixso.

আর্দ্রতা প্রতিরোধী ESD নিরাপদ MOS ক্যাপাসিটর 470 pF 30V সিঙ্গেল লেয়ার চিপ ব্রডব্যান্ড RF ডিকাপলিংয়ের জন্য

আর্দ্রতা প্রতিরোধী ESD নিরাপদ MOS ক্যাপাসিটর 470 pF 30V সিঙ্গেল লেয়ার চিপ ব্রডব্যান্ড RF ডিকাপলিংয়ের জন্য

ব্র্যান্ডের নাম: Hoan
মডেল নম্বর: HMR471S30V500
MOQ: 10 টুকরা
পেমেন্ট শর্তাবলী: T/T, L/C, D/A, D/P
বিস্তারিত তথ্য
উৎপত্তি স্থল:
শানসি, চীন
সাক্ষ্যদান:
ISO 9001:2015, RoHS
শীর্ষ ধাতবকরণ:
TiW (100nm) + Au (2.5µm মিনিট)
ব্যাকসাইড মেটালাইজেশন:
TiW-Pt-Au (Au 1.0µm মিনিট)
চিপ মাত্রা:
0.50 × 0.50 × 0.15 মিমি
অপারেটিং তাপমাত্রা:
-55°C থেকে +125°C
স্টোরেজ তাপমাত্রা:
-65°C থেকে +150°C
RoHS:
অনুগত (EU 2015/863)
মাউন্ট টাইপ:
ওয়্যার বন্ডেবল/ইউটেকটিক ডাই অ্যাটাচ
কাস্টমাইজেশন:
অনুরোধে ক্যাপাসিট্যান্স মান, চিপ জ্যামিতি, ধাতবকরণ এবং প্যাকেজিং
বিশেষভাবে তুলে ধরা:

আর্দ্রতা প্রতিরোধী ইএসডি নিরাপদ এমওএস ক্যাপাসিটার

,

৪৭০ পিএফ ৩০ ভোল্ট এমওএস ক্যাপাসিটার

,

একক স্তর চিপ ব্রডব্যান্ড আরএফ ডিসকপলিং

পণ্যের বর্ণনা

আর্দ্রতা প্রতিরোধী ESD নিরাপদ MOS ক্যাপাসিটর 470 pF 30V সিঙ্গেল লেয়ার চিপ ব্রডব্যান্ড RF ডিকাপলিংয়ের জন্য


সারসংক্ষেপ: HMR471S30V500 একটি সিঙ্গেল-লেয়ার MOS চিপ ক্যাপাসিটর যার রেটিং 470 pF / 30 V DC, ফ্লোট-জোন সিলিকনের উপর তৈরি, একটি ঘন থার্মাল SiO&sub2; ডাইইলেকট্রিক এবং একটি TiW-Pt-Au মেটালাইজেশন সিস্টেম সহ। এটি শক্তিশালী আর্দ্রতা কর্মক্ষমতা (MSL 1, কোন বাল্ক শোষণ নেই) ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক দৃঢ়তা এবং খুব কম প্যারাসিটিক ইন্ডাকট্যান্সের সাথে একত্রিত করে, যা এটিকে আর্দ্র, বহিরঙ্গন এবং স্বয়ংচালিত পরিবেশে ব্রডব্যান্ড RF ডিকাপলিংয়ের জন্য একটি সিঙ্গেল-লেয়ার MOS ক্যাপাসিটর বিকল্প করে তোলে। ক্যাপাসিট্যান্স মান, চিপ জ্যামিতি এবং প্যাকেজিং কাস্টমাইজযোগ্য।


এক নজরে মূল স্পেসিফিকেশন


  • ক্যাপাসিট্যান্স: 470 pF ±10% (টলারেন্স বিকল্প ±5%)
  • রেটেড ভোল্টেজ: 30 V DC, ডাইইলেকট্রিক শক্তি >100 V DC
  • ইন্ট্রিনসিক চিপ ESL: <0.05 nH (সিঙ্গেল-লেয়ার ভার্টিকাল কারেন্ট পাথ)
  • তাপমাত্রা সহগ: +35 ppm/°C, −55 °C থেকে +125 °C
  • আর্দ্রতা: MSL 1; বায়াসড-হিউমিডিটি ড্রিফট <0.1% 1000 ঘন্টা ধরে
  • ESD: ক্লাস 0 (HBM); সিলভার-মুক্ত মেটালাইজেশন
  • চিপের আকার: 0.50 × 0.50 × 0.15 mm; ওয়্যার বন্ডেবল / ইউটেকটিক ডাই অ্যাটাচ


সম্পূর্ণ বৈদ্যুতিক স্পেসিফিকেশন (T = 25 °C যদি না উল্লেখ করা হয়)


প্যারামিটার মান পরীক্ষার শর্ত
ক্যাপাসিট্যান্স 470 pF ±10% 1 MHz, 1.0 Vrms
টলারেন্স বিকল্প ±10% (K), ±5% (J) —
রেটেড ডিসি ভোল্টেজ 30 V ধারাবাহিক
ডাইইলেকট্রিক শক্তি >100 V DC 1 মিনিট, 25 °C
ইন্ট্রিনসিক চিপ ESL <0.05 nH এস-প্যারামিটার থেকে ডি-এমবেডেড
Q ফ্যাক্টর @ 1 MHz >2000 সাধারণ
ESR @ 1 GHz <0.1 Ω সাধারণ
TCC +35 ppm/°C −55 °C থেকে +125 °C
আর্দ্রতা সংবেদনশীলতা স্তর MSL 1 J-STD-020, সীমাহীন ফ্লোর লাইফ
বায়াসড হিউমিডিটি ড্রিফট <0.1% 1000 ঘন্টা, 85 °C/85% RH, 30 V
লিকিং কারেন্ট <10 nA (শুষ্ক) / <20 nA (আর্দ্রতার পরে) 30 V DC
ডাইইলেকট্রিক / সাবস্ট্রেট থার্মাল SiO&sub2; 300 nm / ফ্লোট-জোন Si >1000 Ω·cm —
অপারেটিং / স্টোরেজ −55 থেকে +125 °C / −65 থেকে +150 °C —
RoHS সম্মত EU 2015/863


সাধারণ অ্যাপ্লিকেশন


  • বহিরঙ্গন রিমোট রেডিও ইউনিট (RRU) ঘনীভবন এবং তাপীয় চক্রের সংস্পর্শে আসে
  • স্বয়ংচালিত ইলেকট্রনিক কন্ট্রোল ইউনিট (রাস্তার লবণ, আর্দ্রতা, তাপমাত্রার ওঠানামা)
  • অপ্রস্তুত কারখানা বা কৃষি পরিবেশে শিল্প IoT সেন্সর নোড
  • লবণাক্ত বাতাসে সামুদ্রিক এবং উপকূলীয় যোগাযোগ ইলেকট্রনিক্স
  • ঘাম এবং শরীরের আর্দ্রতার সংস্পর্শে আসা মেডিকেল পরিধানযোগ্য ইলেকট্রনিক্স


আর্দ্রতা প্রতিরোধী ESD নিরাপদ MOS ক্যাপাসিটর 470 pF 30V সিঙ্গেল লেয়ার চিপ ব্রডব্যান্ড RF ডিকাপলিংয়ের জন্য

সম্পর্কিত পণ্য