| Merknaam: | Hoan |
| Modelnummer: | HMR471S30V500 |
| MOQ: | 10 stuks |
| Betalingsvoorwaarden: | T/T,L/C,D/A,D/P |
SamenvattingDeHMR471S30V500is een enkellagige MOS-chipcapacitor met een vermogen van 470 pF / 30 V DC, vervaardigd op float-zone silicium met een diëlektrische dichtheid van SiO&sub2; en een TiW-Pt-Au-metallisatiesysteem.Het combineert robuuste vochtprestaties (MSL 1, geen bulk absorptie) met elektrostatische robuustheid en zeer lage parasitaire inductance, waardoor het een enkellagige MOS-capacitoroptie is voor breedband RF-ontkoppeling in vochtige omstandigheden,buitenomgevingen en autoomgevingenDe capaciteitswaarde, de chipgeometrie en de verpakking zijn aanpasbaar.
| Parameter | Waarde | Testconditie |
| Capaciteit | 470 pF ±10% | 1 MHz, 1,0 Vrms |
| Opties voor tolerantie | ±10% (K), ±5% (J) | — |
| Nominale gelijkstroomspanning | 30 V | Continu |
| Dielectrische sterkte | > 100 V gelijkstroom | 1 minuut, 25 °C |
| Intrinsieke chip ESL | < 0,05 nH | De S-parameters zijn losgemaakt. |
| Q-factor @ 1 MHz | > 2000 | Typisch |
| ESR @ 1 GHz | < 0,1 Ω | Typisch |
| TCC | +35 ppm/°C | -55 °C tot +125 °C |
| Vochtgevoeligheid | MSL 1 | J-STD-020, onbeperkte levensduur van de vloer |
| Biased vochtigheidsdrift | < 0,1% | 1000 uur, 85 °C/85% RH, 30 V |
| Leekstroom | < 10 nA (droog) / < 20 nA (na vochtigheid) | 30 V gelijkstroom |
| Dielectricum/substraat | Thermische SiO&sub2; 300 nm / zwevende zone Si > 1000 Ω·cm | — |
| Bewerking / opslag | -55 tot +125 °C / -65 tot +150 °C | — |
| RoHS | Voldoende | EU 2015/863 |
![]()