Einzelheiten zu den Produkten

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MOS Kondensatoren
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Feuchtigkeitsbeständige ESD-sichere MOS-Kondensatoren 470 pF 30V Einzelschicht-Chip für Breitband-HF-Entkopplung

Feuchtigkeitsbeständige ESD-sichere MOS-Kondensatoren 470 pF 30V Einzelschicht-Chip für Breitband-HF-Entkopplung

Markenname: Hoan
Modellnummer: HMR471S30V500
Mindestbestellmenge: 10 Stück
Zahlungsbedingungen: T/T,L/C,D/A,D/P
Detailinformationen
Herkunftsort:
Shaanxi, China
Zertifizierung:
ISO 9001:2015, RoHS
Top-Metallisierung:
TiW (100 nm) + Au (mindestens 2,5 µm)
Rückseitenmetallisierung:
TiW-Pt-Au (Au 1,0 µm min)
Chipabmessungen:
0,50 × 0,50 × 0,15 mm
Betriebstemperatur:
-55°C bis +125°C
Lagertemperatur:
-65°C zu +150°C
RoHS:
Konform (EU 2015/863)
Montageart:
Drahtbondbare/eutektische Die-Befestigung
Anpassung:
Kapazitätswert, Chipgeometrie, Metallisierung und Verpackung auf Anfrage
Hervorheben:

Feuchtigkeitsbeständiger ESD-sicherer MOS-Kondensator

,

470 pF 30V MOS-Kondensator

,

Einzelschicht-Chip Breitband-HF-Entkopplung

Produkt-Beschreibung

Feuchtigkeitsbeständiger ESD-sicherer MOS-Kondensator 470 pF 30V Einzelschicht-Chip für Breitband-HF-Entkopplung


Zusammenfassung: Der HMR471S30V500 ist ein einlagiger MOS-Chip-Kondensator mit einer Nennleistung von 470 pF / 30 V DC, gefertigt auf Float-Zone-Silizium mit einem dichten thermischen SiO&sub2;-Dielektrikum und einem TiW-Pt-Au-Metallisierungssystem. Er kombiniert eine robuste Feuchtigkeitsbeständigkeit (MSL 1, keine Massenabsorption) mit elektrostatischer Robustheit und sehr geringer parasitärer Induktivität, was ihn zu einer einlagigen MOS-Kondensatoroption für die Breitband-HF-Entkopplung in feuchten, Außen- und Automobilumgebungen macht. Kapazitätswert, Chipgeometrie und Verpackung sind anpassbar.


Schlüsselspezifikationen im Überblick


  • Kapazität: 470 pF ±10% (Toleranzoptionen ±5%)
  • Nennspannung: 30 V DC, Durchschlagsfestigkeit >100 V DC
  • Intrinsische Chip-ESL: <0,05 nH (einlagiger vertikaler Strompfad)
  • Temperaturkoeffizient: +35 ppm/°C, −55 °C bis +125 °C
  • Feuchtigkeit: MSL 1; bias-humidity drift <0,1% über 1000 h
  • ESD: Klasse 0 (HBM); silberfreie Metallisierung
  • Chipgröße: 0,50 × 0,50 × 0,15 mm; bondfähig / eutektische Die-Befestigung


Vollständige elektrische Spezifikationen (T = 25 °C, sofern nicht anders angegeben)


Parameter Wert Testbedingung
Kapazität 470 pF ±10% 1 MHz, 1,0 Vrms
Toleranzoptionen ±10% (K), ±5% (J) —
Nenn-Gleichspannung 30 V Dauerbetrieb
Durchschlagsfestigkeit >100 V DC 1 min, 25 °C
Intrinsische Chip-ESL <0,05 nH Aus S-Parametern herausgerechnet
Gütefaktor @ 1 MHz >2000 Typisch
ESR @ 1 GHz <0,1 Ω Typisch
TCC +35 ppm/°C −55 °C bis +125 °C
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe MSL 1 J-STD-020, unbegrenzte Lagerfähigkeit
Biased humidity drift <0,1% 1000 h, 85 °C/85% RH, 30 V
Leckstrom <10 nA (trocken) / <20 nA (nach Feuchtigkeit) 30 V DC
Dielektrikum / Substrat Thermales SiO&sub2; 300 nm / Float-Zone-Si >1000 Ω·cm —
Betriebs- / Lagertemperatur −55 bis +125 °C / −65 bis +150 °C —
RoHS Konform EU 2015/863


Typische Anwendungen


  • Externe Remote-Radio-Einheiten (RRU), die Kondensation und thermischer Belastung ausgesetzt sind
  • Automobil-Steuergeräte (Straßensalz, Feuchtigkeit, Temperaturschwankungen)
  • Industrielle IoT-Sensor-Knoten in unbelüfteten Fabrik- oder Agrarumgebungen
  • Marine- und Küstenkommunikationselektronik in salzhaltiger Luft
  • Medizinische Wearable-Elektronik, die Schweiß und Körperfeuchtigkeit ausgesetzt ist


Feuchtigkeitsbeständige ESD-sichere MOS-Kondensatoren 470 pF 30V Einzelschicht-Chip für Breitband-HF-Entkopplung