Ürün ayrıntıları

Created with Pixso. Evde Created with Pixso. Ürünler Created with Pixso.
MOS Kapasitörler
Created with Pixso.

Nem Direncili ESD Güvenli MOS Kondensatörleri 470 pF 30V Geniş Bant RF Kopyalama için Tek Katmanlı Çip

Nem Direncili ESD Güvenli MOS Kondensatörleri 470 pF 30V Geniş Bant RF Kopyalama için Tek Katmanlı Çip

Marka Adı: Hoan
Model Numarası: HMR471S30V500
Adedi: 10 Adet
Ödeme Koşulları: T/T,L/C,D/A,D/P
Detay Bilgisi
Menşe yeri:
Şaanksi, Çin
Sertifika:
ISO 9001:2015, RoHS
Üst Metalizasyon:
TiW (100 nm) + Au (2,5 µm dk.)
Arka Taraf Metalizasyonu:
TiW-Pt-Au (Au 1.0μm dk.)
Çip Boyutları:
0,50 × 0,50 × 0,15 mm
Çalışma Sıcaklığı:
-55°C ila +125°C
Depolama Sıcaklığı:
-65°C ila +150°C
RoHS:
Uyumlu (AB 2015/863)
Montaj Tipi:
Tel Bağlanabilir / Ötektik Kalıp Bağlantısı
Özelleştirme:
Kapasite değeri, talaş geometrisi, metal kaplama ve paketleme talep üzerine
Vurgulamak:

Nem karşıtı ESD güvenli MOS kondansatörü

,

470 pF 30V MOS kapasitörü

,

Tek katmanlı çip geniş bant RF koplama

Ürün Tanımı

Nem Direncili ESD Güvenli MOS Kondensatörü 470 pF 30V Geniş Bant RF Kopyalama için Tek Katmanlı Çip


Özet:BuHMR471S30V500470 pF / 30 V DC değerli tek katmanlı bir MOS çip kondansatörüdür, yoğun bir termal SiO&sub2; dielektrik ve TiW-Pt-Au metalleşme sistemi ile yüzen bölge silikon üzerinde üretilmiştir.Güçlü nem performansını birleştirir (MSL 1Elektrostatik sağlamlığı ve çok düşük parazitik indüktansı ile geniş bantlı RF koplama için tek katmanlı bir MOS kondansatörü seçeneği haline getirir.Dış ve otomotiv ortamlarıKapasitans değeri, çip geometri ve ambalaj özelleştirilebilir.


Ana özellikler bir bakışta


  • Kapasitans: 470 pF ±10% (tolerans seçenekleri ±5%)
  • İsimlendirilmiş voltaj: 30 V DC, dielektrik gücü >100 V DC
  • İç çip ESL: <0,05 nH (tek katmanlı dikey akım yolu)
  • Sıcaklık katsayısı: +35 ppm/°C, -55 °C ila +125 °C
  • Nem: MSL 1; 1000 saat boyunca eğilimli nem dalgalanması <0,1%
  • ESD: sınıf 0 (HBM); gümüşsüz metalleşme
  • Çip boyutu: 0.50 × 0.50 × 0.15 mm; kablo bağlanabilir / eutektik ölçekli takmak


Tam Elektriksel Özellikler (T = 25 °C, belirtilmedikçe)


Parametreler Değer Test Durumu
Kapasite 470 pF ±10% 1 MHz, 1.0 Vrms
Tolerans seçenekleri ±10% (K), ±5% (J) - Evet.
Adlık DC voltajı 30 V Devamlı
Dielektrik kuvveti >100 V DC 1 dakika, 25 °C
İçsel çip ESL <0,05 nH S-parametrelerinden yerleştirilmemiş
Q faktörü @ 1 MHz >2000 Tipik
ESR @ 1 GHz <0,1 Ω Tipik
TCC +35 ppm/°C −55 °C - +125 °C
Nem duyarlılığı seviyesi MSL 1 J-STD-020, sınırsız kat ömrü
Önyargılı nem sürüklenmesi < 0,1% 1000 saat, 85 °C/85% RH, 30 V
Sızıntı akımı <10 nA (kuru) / <20 nA (nükleer nem sonrası) 30 V DC
Dielektrik / substrat Termal SiO&sub2; 300 nm / yüzen bölge Si >1000 Ω·cm - Evet.
Çalışma / depolama -55 ila +125 °C / -65 ila +150 °C - Evet.
RoHS Uyumlu AB 2015/863


Tipik Uygulamalar


  • Kondensasyona ve ısı döngüsüne maruz kalan açık hava uzaktan radyo üniteleri (RRU)
  • Otomobil elektronik kontrol üniteleri (yol tuzu, nem, sıcaklık dalgalanmaları)
  • Endüstriyel IoT sensör düğümleri koşulsuz fabrika veya tarımsal ortamlarda
  • Tuzlu havada deniz ve kıyı iletişim elektronikleri
  • Terleme ve vücut nemine maruz kalan tıbbi giyilebilir elektronikler


Nem Direncili ESD Güvenli MOS Kondensatörleri 470 pF 30V Geniş Bant RF Kopyalama için Tek Katmanlı Çip