| Marka Adı: | Hoan |
| Model Numarası: | HMR471S30V500 |
| Adedi: | 10 Adet |
| Ödeme Koşulları: | T/T,L/C,D/A,D/P |
Özet:BuHMR471S30V500470 pF / 30 V DC değerli tek katmanlı bir MOS çip kondansatörüdür, yoğun bir termal SiO&sub2; dielektrik ve TiW-Pt-Au metalleşme sistemi ile yüzen bölge silikon üzerinde üretilmiştir.Güçlü nem performansını birleştirir (MSL 1Elektrostatik sağlamlığı ve çok düşük parazitik indüktansı ile geniş bantlı RF koplama için tek katmanlı bir MOS kondansatörü seçeneği haline getirir.Dış ve otomotiv ortamlarıKapasitans değeri, çip geometri ve ambalaj özelleştirilebilir.
| Parametreler | Değer | Test Durumu |
| Kapasite | 470 pF ±10% | 1 MHz, 1.0 Vrms |
| Tolerans seçenekleri | ±10% (K), ±5% (J) | - Evet. |
| Adlık DC voltajı | 30 V | Devamlı |
| Dielektrik kuvveti | >100 V DC | 1 dakika, 25 °C |
| İçsel çip ESL | <0,05 nH | S-parametrelerinden yerleştirilmemiş |
| Q faktörü @ 1 MHz | >2000 | Tipik |
| ESR @ 1 GHz | <0,1 Ω | Tipik |
| TCC | +35 ppm/°C | −55 °C - +125 °C |
| Nem duyarlılığı seviyesi | MSL 1 | J-STD-020, sınırsız kat ömrü |
| Önyargılı nem sürüklenmesi | < 0,1% | 1000 saat, 85 °C/85% RH, 30 V |
| Sızıntı akımı | <10 nA (kuru) / <20 nA (nükleer nem sonrası) | 30 V DC |
| Dielektrik / substrat | Termal SiO&sub2; 300 nm / yüzen bölge Si >1000 Ω·cm | - Evet. |
| Çalışma / depolama | -55 ila +125 °C / -65 ila +150 °C | - Evet. |
| RoHS | Uyumlu | AB 2015/863 |
![]()