| Marca: | Hoan |
| Número do modelo: | HMR471S30V500 |
| Quantidade mínima: | 10 peças |
| Condições de pagamento: | T/T,L/C,D/A,D/P |
Resumo:OHMR471S30V500é um condensador de chip MOS de uma única camada de 470 pF / 30 V DC, fabricado em silício de zona flutuante com um dieléctrico térmico denso SiO&sub2; e um sistema de metalização TiW-Pt-Au.Combina um desempenho robusto em relação à humidade (MSL 1, sem absorção a granel) com robustez eletrostática e indutividade parasitária muito baixa, tornando-se uma opção de condensador MOS de camada única para desacoplamento de RF de banda larga em condições úmidas,Ambientes ao ar livre e automóveisO valor da capacitância, a geometria do chip e a embalagem são personalizáveis.
| Parâmetro | Valor | Condição de ensaio |
| Capacidade | 470 pF ± 10% | 1 MHz, 1,0 Vrms |
| Opções de tolerância | ±10% (K), ±5% (J) | - Não. |
| Tensão nominal de CC | 30 V | Contínuo |
| Força dielétrica | > 100 V DC | 1 minuto, 25 °C |
| ESL de chip intrínseco | < 0,05 nH | Desintegrado dos parâmetros S |
| Fator Q @ 1 MHz | > 2000 | Tipico |
| ESR @ 1 GHz | < 0,1 Ω | Tipico |
| TCC | +35 ppm/°C | -55 °C a +125 °C |
| Nível de sensibilidade à umidade | MSL 1 | J-STD-020, vida útil do piso ilimitada |
| Desvio de umidade tendencioso | < 0,1% | 1000 h, 85 °C/85% RH, 30 V |
| Corrente de fuga | < 10 nA (seco) / < 20 nA (pós-umidade) | 30 V DC |
| Dieléctrico/substrato | SiO&sub2; térmico 300 nm/zona de flutuação Si > 1000 Ω·cm | - Não. |
| Operação / armazenagem | -55 a +125 °C / -65 a +150 °C | - Não. |
| RoHS | Conformidade | A partir de 1 de janeiro de 2015 |
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