ตัวเก็บประจุ MOS แบบทนความชื้น ป้องกันไฟฟ้าสถิต ขนาด 470 pF 30V แบบชิปชั้นเดียวสำหรับการแยกสัญญาณ RF แบบบรอดแบนด์

ความชื้นทนทาน ESD ปลอดภัย MOS Capacitor 470 pF 30V ชิปชั้นเดียวสําหรับการแยก RF แบรดแบนด์

สรุป:รายการHMR471S30V500เป็นตัวประกอบชิป MOS ชิปชั้นเดียวที่มีความแรง 470 pF / 30 V DC ผลิตจากซิลิคอนโซนพลอยที่มีความหนาแน่นของ SiO&sub2; ไดเอเลคทริกและระบบโลหะ TiW-Pt-Auมันรวมผลงานความชื้นที่แข็งแกร่ง (MSL 1, ไม่มีการซึมซึมจํานวนมาก) ด้วยความแข็งแกร่งทางอิเล็กทรอสตาติกและการระตุ้นของปรสิตที่ต่ํามาก ทําให้มันเป็นตัวเลือก MOS capacitor ชั้นเดียวสําหรับการแยก RF แบรนด์ในสภาพความชื้นสภาพแวดล้อมกลางแจ้งและรถยนต์ค่าความจุ, จิปจอมทัศน์, และการบรรจุสามารถปรับแต่งได้

รายละเอียดสําคัญในภาพรวม

• ความจุ: 470 pF ±10% (ตัวเลือกความอดทน ±5%)
• ความดันเฉพาะ: 30 V DC, ความเข้มแข็งแบบ dielectric > 100 V DC
• ESL ชิปภายใน: < 0.05 nH (เส้นทางกระแสระดับตั้งชั้นเดียว)
• พันธมิตรอุณหภูมิ: +35 ppm/°C, -55 °C ถึง +125 °C
• ความชื้น: MSL 1 การเคลื่อนไหวของความชื้นที่คัดเลือก < 0.1% ภายใน 1000 ชั่วโมง
• ESD: ประเภท 0 (HBM); การโลหะไร้เงิน
• ขนาดชิป: 0.50 × 0.50 × 0.15 มิลลิเมตร

รายละเอียดไฟฟ้าครบวงจร (T = 25 °C เว้นแต่ระบุ)

การใช้งานทั่วไป

• อุปกรณ์วิทยุระยะไกลภายนอก (RRU) ที่ถูกเผชิญกับการหมุนเวียนความหนาวและความร้อน
• อุปกรณ์ควบคุมอิเล็กทรอนิกส์รถยนต์ (เกลือทาง, ความชื้น, อุณหภูมิ)
• หน่วยสัมผัส IoT อุตสาหกรรมในโรงงานหรือสิ่งแวดล้อมการเกษตรที่ไม่ปรับปรุง
• อิเล็กทรอนิกส์การสื่อสารทางทะเลและชายฝั่งในอากาศที่มีเกลือ
• อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สําหรับการแพทย์ที่สามารถสวมใส่ได้