szczegółowe informacje o produktach

Created with Pixso. Do domu Created with Pixso. Produkty Created with Pixso.
Kondensatory MOS
Created with Pixso.

Odporne na wilgoć, bezpieczne ESD, kondensatory MOS 470 pF 30V, jednowarstwowe chipy do odsprzęgania szerokopasmowego RF

Odporne na wilgoć, bezpieczne ESD, kondensatory MOS 470 pF 30V, jednowarstwowe chipy do odsprzęgania szerokopasmowego RF

Nazwa marki: Hoan
Numer modelu: HMR471S30V500
MOQ: 10 sztuk
Warunki płatności: T/T, L/C, D/A, D/P
Informacje szczegółowe
Miejsce pochodzenia:
Shaanxi, Chiny
Orzecznictwo:
ISO 9001:2015, RoHS
Najlepsza metalizacja:
TiW (100 nm) + Au (2,5 µm min)
Metalizacja z tyłu:
TiW-Pt-Au (Au 1,0µm min)
Wymiary chipa:
0,50 × 0,50 × 0,15 mm
Temperatura pracy:
-55°C do +125°C
Temperatura przechowywania:
-65°C do +150°C
RoHS:
Zgodny (UE 2015/863)
Typ mocowania:
Mocowanie drutu / matrycy eutektycznej
Personalizacja:
Wartość pojemności, geometria chipa, metalizacja i opakowanie na zamówienie
Podkreślić:

Kondensator MOS bezpieczny ESD odporny na wilgoć

,

Kondensator MOS 470 pF 30V

,

Odłączenie szerokopasmowego układu RF na jednowarstwowym chipie

Opis produktu

Odporny na wilgoć, bezpieczny dla ESD, kondensator MOS 470 pF 30V, jednowarstwowy chip do odsprzęgania RF szerokopasmowego


Podsumowanie: Ten HMR471S30V500 to jednowarstwowy kondensator chipowy MOS o pojemności 470 pF / 30 V DC, wykonany na krzemie typu float-zone z gęstym dielektrykiem termicznym SiO&sub2; i systemem metalizacji TiW-Pt-Au. Łączy w sobie doskonałą odporność na wilgoć (MSL 1, brak absorpcji objętościowej) z odpornością elektrostatyczną i bardzo niską indukcyjnością pasożytniczą, co czyni go jednowarstwowym kondensatorem MOS do odsprzęgania RF szerokopasmowego w wilgotnych, zewnętrznych i samochodowych środowiskach. Wartość pojemności, geometria chipa i opakowanie są konfigurowalne.


Kluczowe specyfikacje w skrócie


  • Pojemność: 470 pF ±10% (opcje tolerancji ±5%)
  • Napięcie znamionowe: 30 V DC, wytrzymałość dielektryczna >100 V DC
  • Wewnętrzna indukcyjność pasożytnicza chipa ESL: <0.05 nH (jednowarstwowa ścieżka prądu pionowego)
  • Współczynnik temperaturowy: +35 ppm/°C, −55 °C do +125 °C
  • Wilgoć: MSL 1; dryft pod wpływem wilgoci pod napięciem <0.1% przez 1000 h
  • ESD: klasa 0 (HBM); metalizacja bez srebra
  • Rozmiar chipa: 0,50 × 0,50 × 0,15 mm; możliwość połączenia drutem / eutektyczne mocowanie.


Pełne specyfikacje elektryczne (T = 25 °C, chyba że zaznaczono inaczej)


Parametr Wartość Warunek testu
Pojemność 470 pF ±10% 1 MHz, 1,0 Vrms
Opcje tolerancji ±10% (K), ±5% (J) —
Znamionowe napięcie DC 30 V Ciągłe
Wytrzymałość dielektryczna >100 V DC 1 min, 25 °C
Wewnętrzna indukcyjność pasożytnicza chipa ESL <0.05 nH Wyznaczone z parametrów S
Współczynnik dobroci Q @ 1 MHz >2000 Typowy
ESR @ 1 GHz <0.1 Ω Typowy
TCC +35 ppm/°C −55 °C do +125 °C
Poziom wrażliwości na wilgoć MSL 1 J-STD-020, nieograniczony czas życia na płytce
Dryft pod wpływem wilgoci pod napięciem <0.1% 1000 h, 85 °C/85% RH, 30 V
Prąd upływu <10 nA (na sucho) / <20 nA (po wilgotności) 30 V DC
Dielektryk / podłoże Termiczne SiO&sub2; 300 nm / krzem typu float-zone >1000 Ω·cm —
Praca / przechowywanie −55 do +125 °C / −65 do +150 °C —
RoHS Zgodny EU 2015/863


Typowe zastosowania


  • Zewnętrzne zdalne jednostki radiowe (RRU) narażone na kondensację i cykle termiczne
  • Samochodowe jednostki sterujące (sól drogowa, wilgoć, wahania temperatury)
  • Przemysłowe węzły czujników IoT w nieklimatyzowanych środowiskach fabrycznych lub rolniczych
  • Morska i przybrzeżna elektronika komunikacyjna w powietrzu nasyconym solą
  • Medyczna elektronika noszona, narażona na pot i wilgoć od ciała


Odporne na wilgoć, bezpieczne ESD, kondensatory MOS 470 pF 30V, jednowarstwowe chipy do odsprzęgania szerokopasmowego RF