| Nazwa marki: | Hoan |
| Numer modelu: | HMR471S30V500 |
| MOQ: | 10 sztuk |
| Warunki płatności: | T/T, L/C, D/A, D/P |
Podsumowanie: Ten HMR471S30V500 to jednowarstwowy kondensator chipowy MOS o pojemności 470 pF / 30 V DC, wykonany na krzemie typu float-zone z gęstym dielektrykiem termicznym SiO&sub2; i systemem metalizacji TiW-Pt-Au. Łączy w sobie doskonałą odporność na wilgoć (MSL 1, brak absorpcji objętościowej) z odpornością elektrostatyczną i bardzo niską indukcyjnością pasożytniczą, co czyni go jednowarstwowym kondensatorem MOS do odsprzęgania RF szerokopasmowego w wilgotnych, zewnętrznych i samochodowych środowiskach. Wartość pojemności, geometria chipa i opakowanie są konfigurowalne.
| Parametr | Wartość | Warunek testu |
| Pojemność | 470 pF ±10% | 1 MHz, 1,0 Vrms |
| Opcje tolerancji | ±10% (K), ±5% (J) | — |
| Znamionowe napięcie DC | 30 V | Ciągłe |
| Wytrzymałość dielektryczna | >100 V DC | 1 min, 25 °C |
| Wewnętrzna indukcyjność pasożytnicza chipa ESL | <0.05 nH | Wyznaczone z parametrów S |
| Współczynnik dobroci Q @ 1 MHz | >2000 | Typowy |
| ESR @ 1 GHz | <0.1 Ω | Typowy |
| TCC | +35 ppm/°C | −55 °C do +125 °C |
| Poziom wrażliwości na wilgoć | MSL 1 | J-STD-020, nieograniczony czas życia na płytce |
| Dryft pod wpływem wilgoci pod napięciem | <0.1% | 1000 h, 85 °C/85% RH, 30 V |
| Prąd upływu | <10 nA (na sucho) / <20 nA (po wilgotności) | 30 V DC |
| Dielektryk / podłoże | Termiczne SiO&sub2; 300 nm / krzem typu float-zone >1000 Ω·cm | — |
| Praca / przechowywanie | −55 do +125 °C / −65 do +150 °C | — |
| RoHS | Zgodny | EU 2015/863 |
![]()