HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| 브랜드 이름: | Hoan |
| 모델 번호: | HMR471S30V500 |
| MOQ: | 10개 |
| 지불 조건: | T/T,L/C,D/A,D/P |
요약:의HMR471S30V500470 pF / 30 V DC로 지정된 단일 계층 MOS 칩 콘덴시터이며, 밀도가 높은 열 SiO&sub2; 다이렉트릭과 TiW-Pt-Au 금속화 시스템을 가진 부동 영역 실리콘으로 제조되었습니다.탄탄한 습도 성능 (MSL 1, 대용량 흡수 없이) 전기 정전적 견고성과 매우 낮은 기생충 인덕턴스를 가지고 있으며, 습한 환경에서 광대역 RF 분리용 단일 계층 MOS 콘덴시터 옵션이 됩니다.야외 및 자동차 환경용량 값, 칩 기하학, 패키지는 사용자 정의 가능합니다.
| 매개 변수 | 가치 | 시험 상태 |
| 용량 | 470 pF ±10% | 1MHz, 1.0Vrms |
| 허용 옵션 | ±10% (K), ±5% (J) | ∙ |
| 정류량 전압 | 30V | 연속 |
| 다이렉트릭 강도 | 100V 이상 DC | 1분, 25 °C |
| 내부 칩 ESL | <0.05 nH | S-패라미터에서 분리 |
| Q 요인 @ 1MHz | >2000년 | 전형적 |
| ESR @ 1 GHz | <0.1 Ω | 전형적 |
| TCC | +35ppm/°C | -55 °C ~ +125 °C |
| 수분 민감도 수준 | MSL 1 | J-STD-020, 제한 없는 바닥 수명 |
| 편향된 습도 이동 | <0.1% | 1000 h, 85 °C/85% RH, 30 V |
| 누출 전류 | <10 nA (건조) / <20 nA (후 습도) | 30V DC |
| 다이렉트릭 / 서브스트라트 | 열 SiO&sub2; 300 nm / 떠있는 구역 Si >1000 Ω·cm | ∙ |
| 운영 / 저장 | -55 ~ +125 °C / -65 ~ +150 °C | ∙ |
| RoHS | 준수 | EU 2015/863 |
