| Επωνυμία: | Hoan |
| Αριθμός μοντέλου: | HMR471S30V500 |
| MOQ: | 10 τεμάχια |
| Όροι πληρωμής: | T/T,L/C,D/A,D/P |
Σύνοψη:ΗHMR471S30V500είναι ένας ενιαίο στρώμα MOS συσσωρευτής chip με ονομαστική ισχύ 470 pF / 30 V DC, κατασκευασμένο σε πυρίτιο πλωτής ζώνης με πυκνό θερμικό SiO&sub2; διαλεκτρικό και σύστημα μεταλλικοποίησης TiW-Pt-Au.Συνδυάζει ισχυρές επιδόσεις υγρασίας (MSL 1, χωρίς απορρόφηση χύδης) με ηλεκτροστατική ανθεκτικότητα και πολύ χαμηλή παρασιτική επαγωγικότητα, καθιστώντας το μια επιλογή μονόστρωμα MOS πυκνωτή για αποσύνδεση ευρυζωνικής ραδιοσυχνότητας σε υγρό περιβάλλον,εξωτερικά περιβάλλοντα και περιβάλλοντα αυτοκινήτωνΗ τιμή χωρητικότητας, η γεωμετρία των τσιπ και η συσκευασία είναι προσαρμόσιμες.
| Παράμετρος | Αξία | Συνθήκη δοκιμής |
| Δυνατότητα | 470 pF ± 10% | 1 MHz, 1,0 Vrms |
| Επιλογές ανοχής | ±10% (K), ±5% (J) | Επικεφαλής |
| Διορισμένη τάση DC | 30 V | Συνεχή |
| Δυνατότητα διηλεκτρικής | > 100 V DC | 1 λεπτό, 25 °C |
| Εσωτερικό τσιπ ESL | < 0,05 nH | Αποσύνδεση από τις παραμέτρους S |
| Ο συντελεστής Q @ 1 MHz | > 2000 | Τυπικό |
| ESR @ 1 GHz | <0,1 Ω | Τυπικό |
| ΤΣΚ | +35 ppm/°C | -55 °C έως +125 °C |
| Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία | MSL 1 | J-STD-020, απεριόριστη διάρκεια ζωής |
| Προορισμένη μετατόπιση υγρασίας | < 0,1% | 1000 h, 85 °C/85% RH, 30 V |
| ρεύμα διαρροής | < 10 nA (ξηρά) / < 20 nA (μετά την υγρασία) | 30 V συνεχής |
| Δηλεκτρικό / υπόστρωμα | Θερμικό SiO&sub2; 300 nm/ζώνη πλεύσης Si > 1000 Ω·cm | Επικεφαλής |
| Χρησιμοποίηση / αποθήκευση | -55 έως +125 °C / -65 έως +150 °C | Επικεφαλής |
| RoHS | Συμμόρφωση | ΕΕ 2015/863 |
![]()