Capacitori MOS di soppressione microfonica HACC471S50V500 470 pF 50V chip a singolo strato per amplificatori di potenza RF

Controllo della modulazione di fase microfonica MOS Capacitor — HACC471S50V500

Definizione: L'HACC471S50V500 è un condensatore MOS monostrato da 470 pF ±10%, 50 V DC, costruito su un substrato di silicio float-zone (>1000 Ω·cm) con un dielettrico di SiO₂ cresciuto termicamente di 300 nm. È progettato per reti di polarizzazione di amplificatori di potenza RF, blocco DC e adattamento di impedenza in cui la modulazione di fase indotta da vibrazioni e il rumore microfonico devono essere controllati.

Caratteristiche principali

• Risposta piezoelettrica zero — nessuna conversione vibrazione-modulazione di fase.
• ESL intrinseco del chip <0,05 nH; SRF superiore a 1 GHz per 470 pF (sintonizzabile tramite lunghezza del filo di connessione).
• Q >2000 a 1 MHz e >300 a 1 GHz per bassa perdita di inserzione.
• Metallizzazione superiore TiW (100 nm) + Au (≥2,5 µm) per saldatura a filo d'oro termosonica (>6 gf di resistenza di trazione tipica).
• Retro TiW-Pt-Au con barriera di diffusione al platino per attacco die eutettico AuSn e argento-epossidico.
• Conforme RoHS (EU 2015/863); gestione ESD Classe 0 (HBM) secondo JESD22-A114.

Specifiche (T = 25 °C se non diversamente indicato)

Applicazioni tipiche

• Tee di polarizzazione e blocco DC di drain-feed per amplificatori di potenza RF.
• Reti di serbatoio e filtro di anello VCO/PLL sensibili alle vibrazioni.
• Adattamento di ingresso e bypass LNA in presenza di eccitazione meccanica.
• Front-end di stazioni base cellulari e unità radio remote (RRU).
• Riscaldamento RF industriale, eccitazione al plasma e strumenti di test e misurazione.
• Moduli sensore wireless e RF automobilistici in condizioni di vibrazione continua.