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Capacitadores MOS de supresión microfónica HACC471S50V500 470 pF 50V Chip de capa única para amplificadores de potencia RF

Name: Capacitadores MOS de supresión microfónica HACC471S50V500 470 pF 50V Chip de capa única para amplificadores de potencia RF
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC471S50V500
Price: Negociable USD
Availability: InStock

Nombre De La Marca:	Hoan
Número De Modelo:	HACC471S50V500
Cantidad Mínima De Pedido:	10 piezas
Condiciones De Pago:	LC, D/A, D/P, T/T

Información detallada

Descripción de producto

Información detallada

Lugar de origen:

Shaanxi, China

Certificación:

ISO 9001:2015, RoHS

Factor Q a 1GHz:

>300

Dimensiones de los chips:

0,50 × 0,50 × 0,15 mm

Metalización superior:

TiW (100 nm) + Au (2,5 µm mín.)

Metalización trasera:

TiW-Pt-Au, Au 1,0 µm mín.

Tipo de montaje:

Fijación de matriz eutéctica / adherible con alambre

Temperatura de funcionamiento:

-55°C a +125°C

Personalización:

10pF-1000pF, matriz rectangular, electrodo con borde, parte posterior flotante

Resaltar:

Condensador MOS 470 pF 50V

Chip RF de capa única para amplificador

Condensador HACC471S50V500 con supresión microfónica

Descripción de producto

El condensador MOS de control de modulación de fase por micrófono HACC471S50V500

Definición:El HACC471S50V500 es un condensador MOS de una sola capa de 470 pF ± 10%, 50 V DC, construido en un sustrato de silicio de zona flotante (> 1000 Ω · cm) con un SiO cultivado térmicamente a 300 nm₂Dieléctrico. Está diseñado para redes de sesgo de amplificadores de potencia de RF, bloqueo de CC y emparejamiento de impedancia donde se debe controlar la modulación de fase inducida por vibración y el ruido microfónico.

Respuesta rápida con un vistazo

Qué es:condensador MOS de una sola capa, 470 pF, 50 V, matriz desnuda ligada por alambre.
Función central:Controla la modulación de fase de los micrófonos y suprime la modulación de los micrófonos en las cadenas de señales RF PA.
Por qué funciona:SiO térmico amorfo₂El dieléctrico no tiene coeficiente piezoeléctrico ni dominios ferroeléctricos.
Salida de micrófono verificada:Bajo el nivel de ruido de medición inferior a 10 g, vibración de 20 Hz ∼2 kHz (Método 204 del MIL-STD-202).
Estabilidad:< 10 ppm/V coeficiente de sesgo de corriente continua; +35 ppm/°C desde −55 °C hasta +125 °C; sin envejecimiento.
¿ Qué haces?0.50 × 0,50 × 0,15 mm; ESL intrínseco < 0,05 nH; Q > 300 a 1 GHz.

Principales características

Respuesta piezoeléctrica cero no hay conversión de vibración a modulación de fase.
Las "tecnologías" incluidas en el presente anexo son las siguientes:
Q > 2000 a 1 MHz y > 300 a 1 GHz para baja pérdida de inserción.
TiW (100 nm) + Au (≥2,5 μm) metalización superior para el enlace de alambre de oro termozónico (> 6 gf fuerza de tracción típica).
TiW-Pt-Au con una barrera de difusión de platino para el adhesivo eutectico de AuSn y el adhesivo epoxi plateado.
El sistema de control de la seguridad de los vehículos de la categoría M2 es compatible con la Directiva 2014/34/UE.

Especificaciones (T = 25 °C, a menos que se indique)

Parámetro	Valor	Condición de ensayo
Capacidad	470 pF ±10% (opción de ±5%)	1 MHz, 1,0 Vrs
Voltagem nominal de corriente continua	50 V	Funcionamiento continuo
Tensión de resistencia dieléctrica	> 125 V de corriente continua	1 minuto de rampa, 25 °C
Dieléctrico	SiO térmico₂, 300 nm	Oxidación seca
Substrato	Zona flotante Si, > 1000 Ω·cm	¿Qué quieres decir?
ESL de chip intrínseco	< 0,05 nH	Desintegrado del parámetro S
Factor Q @ 1 GHz	> 300	Típico
Coeficiente de sesgo de corriente continua	Se aplican las siguientes medidas:	0 ̊50 V
El TCC	+35 ppm/°C	-55 °C a +125 °C
Salida de micrófono	Bajo el nivel de ruido	10 g, barrido de 20 Hz2 kHz
Temperatura de funcionamiento / almacenamiento	-55 °C a +125 °C / -65 °C a +150 °C	¿Qué quieres decir?
Dimensiones del chip	0.50 × 0,50 × 0,15 mm	± 0,025 mm

Aplicaciones típicas

Amplificador de energía de RF de sesgo y bloqueo de corriente continua de drenaje.
Las redes de tanques VCO/PLL y de filtros de bucle sensibles a las vibraciones.
Aparición de entrada y desvío de LNA en presencia de excitación mecánica.
Estación base celular y unidad de radio remota (RRU).
Calentamiento por RF industrial, excitación por plasma e instrumentos de ensayo y medición.
Modulos de sensores de RF y inalámbricos para automóviles bajo vibración continua.

Capacitadores MOS de supresión microfónica HACC471S50V500 470 pF 50V Chip de capa única para amplificadores de potencia RF

Etiquetas:

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