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Mikrofonunterdrückung MOS-Kondensatoren HACC471S50V500 470 pF 50V Einschicht-Chip für HF-Leistungsverstärker

Name: Mikrofonunterdrückung MOS-Kondensatoren HACC471S50V500 470 pF 50V Einschicht-Chip für HF-Leistungsverstärker
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC471S50V500
Price: Verhandelbar USD
Availability: InStock

Markenname:	Hoan
Modellnummer:	HACC471S50V500
Mindestbestellmenge:	10 Stück
Zahlungsbedingungen:	L/C, D/A, D/P, T/T

Detailinformationen

Produkt-Beschreibung

Detailinformationen

Herkunftsort:

Shaanxi, China

Zertifizierung:

ISO 9001:2015, RoHS

Q-Faktor bei 1 GHz:

>300

Chipabmessungen:

0,50 × 0,50 × 0,15 mm

Top-Metallisierung:

TiW (100 nm) + Au (mindestens 2,5 µm)

Rückseitenmetallisierung:

TiW-Pt-Au, Au 1,0 µm min

Montageart:

Drahtbondbare/eutektische Die-Befestigung

Betriebstemperatur:

-55°C bis +125°C

Anpassung:

10pF-1000pF, rechteckiger Chip, umrandete Elektrode, schwimmende Rückseite

Hervorheben:

MOS-Kondensator 470 pF 50V

Einschicht-Chip HF-Verstärker

HACC471S50V500 Mikrofonunterdrückungskondensator

Produkt-Beschreibung

MOS-Kondensator zur Steuerung der Mikrophonen-Phasenmodulation HACC471S50V500

Definition:Der HACC471S50V500 ist ein 470 pF ±10%, 50 V Gleichstrom, einlagiger MOS-Kondensator, der auf einem Float-Zone-Silizium-Substrat (> 1000 Ω·cm) mit einem 300 nm thermisch angebauten SiO aufgebaut ist₂Dies ist für HF-Leistungsverstärker-Bias-Netzwerke, Gleichstromblockade und Impedanz-Matching vorgesehen, bei denen die durch Vibrationen verursachte Phasenmodulation und das Mikrophonengeräusch kontrolliert werden müssen.

Schnelle Antwort ̇ auf einen Blick

Was ist es:Einlagen-MOS-Kondensator, 470 pF, 50 V, drahtgebundene Bare Die.
Kernfunktion:Steuert die mikrofonische Phasenmodulation und unterdrückt die mikrofonische Modulation in HF-PA-Signalketten.
Warum es funktioniert:amorphes thermisches SiO₂Die Elektrizität des dielektrischen Geräts hat keinen piezoelektrischen Koeffizienten und keine ferroelektrischen Domänen.
Überprüfte Mikrofonausgabe:unter dem Messgeräuschboden unter 10 g, 20 Hz ∼2 kHz Vibration (Methode 204 der MIL-STD-202).
Stabilität:< 10 ppm/V Gleichstrom-Bias-Koeffizient; +35 ppm/°C bei −55 °C bis +125 °C; keine Alterung.
- Ich weiß nicht.0.50 × 0,50 × 0,15 mm; intrinsische ESL < 0,05 nH; Q > 300 bei 1 GHz.

Hauptmerkmale

Null piezoelektrische Reaktion - keine Konvertierung von Vibration in Phasenmodulation.
Innerer Chip ESL < 0,05 nH; SRF über 1 GHz bei 470 pF (über die Länge des Binddrahtes abgestimmt).
Q > 2000 bei 1 MHz und > 300 bei 1 GHz bei geringem Einsatzverlust.
TiW (100 nm) + Au (≥2,5 μm) Topmetallisierung für die thermosonische Golddrahtbindung (> 6 gf typische Zugkraft).
TiW-Pt-Au-Rückseite mit Platin-Diffusionsschranke für AuSn-Eutektische und Silber-Epoxidhalter.
Einheitliche Anlagen für die Erstellung von Fahrzeugen, die in einem Fahrzeug mit einem Fahrrad ausgestattet sind.

Spezifikationen (T = 25 °C, sofern nicht angegeben)

Parameter	Wert	Prüfungszustand
Kapazität	470 pF ±10% (Option von ±5%)	1 MHz, 1,0 Vrms
Nennspannung Gleichstrom	50 V	Dauerbetrieb
Dielektrische Widerstandsspannung	> 125 V Gleichstrom	1 Minuten Rampen, 25 °C
Dielektrische	Wärme SiO₂, 300 nm	Trockene Oxidation
Substrat	Schwimmbereich Si, > 1000 Ω·cm	- Ich weiß.
Intrinsischer Chip ESL	< 0,05 nH	Aus dem S-Parameter entfernt
Q-Faktor @ 1 GHz	> 300	Typisch
Gleichstromverzerrungskoeffizient	< 10 ppm/V	0 ̊50 V
TCC	+35 ppm/°C	-55 °C bis +125 °C
Mikrophonenausgang	Unterhalb der Geräuschgrenze	10 g, 20 Hz2 kHz-Sweep
Betriebstemperatur / Lagertemperatur	-55 °C bis +125 °C / -65 °C bis +150 °C	- Ich weiß.
Abmessungen des Chips	00,50 × 0,50 × 0,15 mm	±0,025 mm

Typische Anwendungen

HF-Leistungsverstärker und Abfluss-DC-Blocking.
VCO/PLL-Tank- und Schleiffilternetze, die auf Vibrationen empfindlich sind.
LNA-Eingangsmatching und -Bypass bei mechanischer Anregung.
Front-Ends für die zelluläre Basisstation und die Remote-Radio-Einheit (RRU).
Industrielle HF-Heizung, Plasmaerregung und Prüf- und Messgeräte.
Fahrzeug-RF- und drahtlose Sensormodule unter kontinuierlicher Vibration.

Mikrofonunterdrückung MOS-Kondensatoren HACC471S50V500 470 pF 50V Einschicht-Chip für HF-Leistungsverstärker

Umbauten:

Konischer Induktor

Breitband-Induktoren

Luft-Kern-Induktor

Luftspulen-Induktor

MOS Kondensatoren