szczegółowe informacje o produktach

Do domu Produkty

Kondensatory MOS z tłumieniem mikrofonowym HACC471S50V500 470 pF 50V jednowarstwowe chipowe do wzmacniaczy mocy RF

Name: Kondensatory MOS z tłumieniem mikrofonowym HACC471S50V500 470 pF 50V jednowarstwowe chipowe do wzmacniaczy mocy RF
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC471S50V500
Price: Zbywalny USD
Availability: InStock

Nazwa marki:	Hoan
Numer modelu:	HACC471S50V500
MOQ:	10 sztuk
Warunki płatności:	L/C, D/A, D/P, T/T

Informacje szczegółowe

Opis produktu

Informacje szczegółowe

Miejsce pochodzenia:

Shaanxi, Chiny

Orzecznictwo:

ISO 9001:2015, RoHS

Współczynnik Q @ 1 GHz:

>300

Wymiary chipa:

0,50 × 0,50 × 0,15 mm

Najlepsza metalizacja:

TiW (100 nm) + Au (2,5 µm min)

Metalizacja z tyłu:

TiW-Pt-Au, Au 1,0µm min

Typ mocowania:

Mocowanie drutu / matrycy eutektycznej

Temperatura pracy:

-55°C do +125°C

Personalizacja:

10pF-1000pF, matryca prostokątna, elektroda obramowana, tył pływający

Podkreślić:

Kondensator MOS 470 pF 50V

jednowarstwowy chip wzmacniacza RF

Kondensator HACC471S50V500 z tłumieniem mikrofonowym

Opis produktu

Kondensator MOS do sterowania modulacją fazy mikrofonowej HACC471S50V500

Definicja:HACC471S50V500 to jednowarstwowy kondensator MOS o pojemności 470 pF ±10%, 50 V prądu stałego, zbudowany na podłożu krzemu strefy pływającej (> 1000 Ω·cm) o temperaturze SiO 300 nm₂Jest przeznaczony do sieci przesunięć wzmacniaczy mocy RF, blokowania prądu stałego i dopasowania impedancji, w których należy kontrolować modulację fazy wywołaną wibracjami i hałas mikrofonowy.

Szybka odpowiedź na jeden rzut oka

Co to jest:jednowarstwowy kondensator MOS, 470 pF, 50 V, połączony z drutem.
Główna funkcja:kontroluje modulację mikrofoniczną fazy i tłumi modulację mikrofoniczną w łańcuchach sygnałów RF PA.
Dlaczego to działa:amorficzny SiO cieplny₂dielektryczny nie ma współczynnika piezoelektrycznego i nie ma domen ferroelektrycznych.
Zweryfikowane wyjście mikrofonowe:W przypadku, gdy wprowadzone są dodatkowe informacje, należy określić, czy dane te są zgodne z wymogami określonymi w załączniku I do niniejszego rozporządzenia.
Stabilność:<10 ppm/V współczynnik stronniczości prądu stałego; +35 ppm/°C od -55 °C do +125 °C; brak starzenia.
Chip:0.50 × 0,50 × 0,15 mm; wewnętrzna ESL < 0,05 nH; Q > 300 przy 1 GHz.

Główne cechy

Zero reakcji piezoelektrycznej brak konwersji wibracji na modulację fazową.
Wykorzystanie urządzeń, o których mowa w pozycji 1C001.b., w celu uzyskania lub utrzymania w pełni zdolności do wykonywania funkcji określonych w pozycji 1C001.c.
Q > 2000 przy 1 MHz i > 300 przy 1 GHz dla niskiej straty wstawienia.
Wykorzystuje się w celu wytworzenia "przewodników" do wytwarzania "przewodników" lub "przewodników" do wytwarzania "przewodników" lub "przewodników" do wytwarzania "przewodników".
Tytuł TiW-Pt-Au z płatyną barierą dyfuzyjną do układu euktycznego AuSn i do układu epoksydowego srebra.
Zgodność z RoHS (UE 2015/863); obsługa klasy 0 ESD (HBM) zgodnie z JESD22-A114.

Specyfikacje (T = 25 °C, chyba że jest to zaznaczone)

Parametry	Wartość	Warunki badania
Pojemność	470 pF ±10% (opcja ±5%)	1 MHz, 1,0 Vrms
Narysowane napięcie prądu stałego	50 V	Kontynuacja pracy
Włókna elektryczne	> 125 V prądu stałego	1 minuta na rampie, 25 °C
Elektryczne	SiO cieplny₂, 300 nm	Suszone utlenianie
Substrat	Strefa pływania Si, > 1000 Ω·cm	/
Własny chip ESL	< 0,05 nH	Wyłączone z parametru S
Wskaźnik Q @ 1 GHz	> 300	Typowe
Współczynnik stronniczości prądu stałego	< 10 ppm/V	0 ̊50 V
TCC	+35 ppm/°C	-55 °C do +125 °C
Wyjście mikrofonowe	Powyżej poziomu hałasu	10 g, 20 Hz2 kHz zamiatanie
Temperatura pracy / przechowywania	-55 °C do +125 °C / -65 °C do +150 °C	/
Wymiary chipów	00,50 × 0,50 × 0,15 mm	±0,025 mm

Typowe zastosowania

Wzmocnienie mocy RF i blokowanie prądu stałego.
sieci zbiorników VCO/PLL i filtrów pętlowych wrażliwych na drgania.
dopasowanie i obejście wejścia LNA w przypadku podniecenia mechanicznego.
Front-end stacji bazowej komórkowej i zdalnej jednostki radiowej (RRU).
Przemysłowe ogrzewanie RF, podniecenie plazmy oraz instrumenty testowe i pomiarowe.
Moduły czujników radiowych i bezprzewodowych dla pojazdów pod stałą wibracją.

Kondensatory MOS z tłumieniem mikrofonowym HACC471S50V500 470 pF 50V jednowarstwowe chipowe do wzmacniaczy mocy RF

Znaków:

Wytrzymałe kondensatory MOS o wysokim napięciu przebicia, miniaturowe, o niskim prądzie upływu, 50V, z możliwością połączenia drutowego SLC

Najlepszą cenę

Induktor stożkowy

Induktory szerokopasmowe

Cewka powietrzna

cewka powietrzna