Ürün ayrıntıları

Evde Ürünler

Mikrofonik Bastırma MOS Kapasitörleri HACC471S50V500 470 pF 50V RF Güç Amplifikatörleri için Tek Katmanlı Çip

Name: Mikrofonik Bastırma MOS Kapasitörleri HACC471S50V500 470 pF 50V RF Güç Amplifikatörleri için Tek Katmanlı Çip
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC471S50V500
Price: Pazarlık edilebilir USD
Availability: InStock

Marka Adı:	Hoan
Model Numarası:	HACC471S50V500
Adedi:	10 Adet
Ödeme Koşulları:	L/C,D/A,D/P,T/T

Detay Bilgisi

Ürün Tanımı

Detay Bilgisi

Menşe yeri:

Şaanksi, Çin

Sertifika:

ISO 9001:2015, RoHS

Q Faktörü @ 1GHz:

>300

Çip Boyutları:

0,50 × 0,50 × 0,15 mm

Üst Metalizasyon:

TiW (100 nm) + Au (2,5 µm dk.)

Arka Taraf Metalizasyonu:

TiW-Pt-Au, Au 1.0μm dk.

Montaj Tipi:

Tel Bağlanabilir / Ötektik Kalıp Bağlantısı

Çalışma Sıcaklığı:

-55°C ila +125°C

Özelleştirme:

10pF-1000pF, dikdörtgen kalıp, kenarlı elektrot, yüzer arka taraf

Vurgulamak:

MOS kapasitör 470 pF 50V

tek katmanlı çip RF yükseltici

HACC471S50V500 mikrofonik bastırmalı kapasitör

Ürün Tanımı

Mikrofonik Faz Modülasyon Kontrollü MOS Kapasitör — HACC471S50V500

Tanım: HACC471S50V500, 300 nm termal olarak büyütülmüş SiO_{Alt tabaka} dielektriğe sahip, float-zone silikon alt tabaka (>1000 Ω·cm) üzerine inşa edilmiş, 470 pF ±10%, 50 V DC, tek katmanlı bir MOS kapasitördür. Titreşim kaynaklı faz modülasyonu ve mikrofonik gürültünün kontrol edilmesi gereken RF güç amplifikatörü bias ağları, DC engelleme ve empedans eşleştirme için tasarlanmıştır.

Hızlı cevap — genel bakış

Nedir: tek katmanlı MOS kapasitör, 470 pF, 50 V, tel-bağlanabilir çıplak kalıp.
Temel işlev: mikrofonik faz modülasyonunu kontrol eder ve RF PA sinyal zincirlerinde mikrofonik modülasyonu bastırır.
Neden çalışır: amorf termal SiO_{Alt tabaka} dielektriğin piezoelektrik katsayısı ve ferroelektrik alanları yoktur.
Doğrulanmış mikrofonik çıkış: 10 g, 20 Hz–2 kHz titreşim (MIL-STD-202 Yöntem 204) altında ölçüm gürültü tabanının altında.
Kararlılık: <10 ppm/V DC-bias katsayısı; -55 °C ila +125 °C arası +35 ppm/°C; yaşlanma yok.
Çip:Ana özelliklerSıfır piezoelektrik tepki — titreşimden faz modülasyonuna dönüşüm yok.

İçsel çip ESL <0.05 nH; 470 pF için 1 GHz üzerinde SRF (bağlantı teli uzunluğu ile ayarlanabilir).

Düşük ekleme kaybı için 1 MHz'de >2000 ve 1 GHz'de >300 Q.
Termosonik altın tel bağlama için TiW (100 nm) + Au (≥2.5 µm) üst metalizasyon (>6 gf tipik çekme mukavemeti).AuSn ötektik ve gümüş-epoksi çip yapıştırma için TiW-Pt-Au arka yüzey, platin difüzyon bariyerli.
RoHS uyumlu (AB 2015/863); JESD22-A114'e göre ESD Sınıf 0 (HBM) kullanım.
Özellikler (T = 25 °C, aksi belirtilmedikçe)
Parametre
Değer

Test koşulu

Kapasitans	470 pF ±10% (±5% seçenek)	1 MHz, 1.0 Vrms
Anma DC gerilimi	50 V	Sürekli çalışma
Dielektrik dayanım gerilimi	>125 V DC	1 dakika artış, 25 °C
Dielektrik	Termal SiO	2
, 300 nm	Kuru oksidasyon_{Alt tabaka}Float-zone Si, >1000 Ω·cm	—
İçsel çip ESL	<0.05 nH	±0.025 mm
Q faktörü @ 1 GHz	>300	Tipik
DC-bias katsayısı	<10 ppm/V	0–50 V
TCC	+35 ppm/°C	−55 °C ila +125 °C
Mikrofonik çıkış	Gürültü tabanının altında	10 g, 20 Hz–2 kHz tarama
Çalışma / depolama sıcaklığı	−55 °C ila +125 °C / −65 °C ila +150 °C	—
Çip boyutları	0.50 × 0.50 × 0.15 mm	±0.025 mm
Tipik uygulamalar	RF güç amplifikatörü bias tee'leri ve drain-feed DC engelleme.	Titreşime duyarlı VCO / PLL tank ve döngü filtresi ağları.

Mekanik uyarımlar varlığında LNA giriş eşleştirmesi ve bypass.

Hücresel baz istasyonu ve uzak radyo ünitesi (RRU) ön uçları.
Endüstriyel RF ısıtma, plazma uyarıcı ve test & ölçüm cihazları.
Sürekli titreşim altındaki otomotiv RF ve kablosuz sensör modülleri.

Mikrofonik Bastırma MOS Kapasitörleri HACC471S50V500 470 pF 50V RF Güç Amplifikatörleri için Tek Katmanlı Çip

Etiketler:

Konik İndüktör

Geniş bant indüktörleri

Hava çekirdekli indüktör

hava bobini indüktörü

MOS Kapasitörler