পণ্যের বিবরণ

বাড়ি পণ্য

মাইক্রোফোনিক সাপ্রেশন এমওএস ক্যাপাসিটর HACC471S50V500 470 pF 50V সিঙ্গেল লেয়ার চিপ আরএফ পাওয়ার অ্যামপ্লিফায়ারের জন্য

Name: মাইক্রোফোনিক সাপ্রেশন এমওএস ক্যাপাসিটর HACC471S50V500 470 pF 50V সিঙ্গেল লেয়ার চিপ আরএফ পাওয়ার অ্যামপ্লিফায়ারের জন্য
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC471S50V500
Price: আলোচনা সাপেক্ষ USD
Availability: InStock

ব্র্যান্ডের নাম:	Hoan
মডেল নম্বর:	HACC471S50V500
MOQ:	10 টুকরা
পেমেন্ট শর্তাবলী:	এল/সি, ডি/এ, ডি/পি, টি/টি

বিস্তারিত তথ্য

পণ্যের বর্ণনা

বিস্তারিত তথ্য

উৎপত্তি স্থল:

শানসি, চীন

সাক্ষ্যদান:

ISO 9001:2015, RoHS

Q ফ্যাক্টর @ 1GHz:

>300

চিপ মাত্রা:

0.50 × 0.50 × 0.15 মিমি

শীর্ষ ধাতবকরণ:

TiW (100nm) + Au (2.5µm মিনিট)

ব্যাকসাইড মেটালাইজেশন:

TiW-Pt-Au, Au 1.0µm মিনিট

মাউন্ট টাইপ:

ওয়্যার বন্ডেবল/ইউটেকটিক ডাই অ্যাটাচ

অপারেটিং তাপমাত্রা:

-55°C থেকে +125°C

কাস্টমাইজেশন:

10pF-1000pF, আয়তক্ষেত্রাকার ডাই, বর্ডারযুক্ত ইলেক্ট্রোড, পিছনে ভাসমান

বিশেষভাবে তুলে ধরা:

এমওএস ক্যাপাসিটর 470 pF 50V

সিঙ্গেল লেয়ার চিপ আরএফ অ্যামপ্লিফায়ার

HACC471S50V500 মাইক্রোফোনিক সাপ্রেশন ক্যাপাসিটর

পণ্যের বর্ণনা

মাইক্রোফোনিক ফেজ মডুলেশন কন্ট্রোল এমওএস ক্যাপাসিটর — HACC471S50V500

সংজ্ঞা: HACC471S50V500 হল একটি 470 pF ±10%, 50 V DC, একক-স্তর এমওএস ক্যাপাসিটর যা একটি ফ্লোট-জোন সিলিকন সাবস্ট্রেটের উপর নির্মিত (>1000 Ω·cm) একটি 300 nm তাপীয়ভাবে বৃদ্ধিপ্রাপ্ত SiO_{সাবস্ট্রেট} ডাইইলেকট্রিক সহ। এটি RF পাওয়ার এমপ্লিফায়ার বায়াস নেটওয়ার্ক, DC ব্লকিং এবং ইম্পিডেন্স ম্যাচিংয়ের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে যেখানে কম্পন-প্ররোচিত ফেজ মডুলেশন এবং মাইক্রোফোনিক নয়েজ নিয়ন্ত্রণ করতে হবে।

দ্রুত উত্তর — এক নজরে

এটি কী: একক-স্তর এমওএস ক্যাপাসিটর, 470 pF, 50 V, ওয়্যার-বন্ডেবল বেয়ার ডাই।
মূল কার্যকারিতা: মাইক্রোফোনিক ফেজ মডুলেশন নিয়ন্ত্রণ করে এবং RF PA সিগন্যাল চেইনে মাইক্রোফোনিক মডুলেশন দমন করে।
কেন এটি কাজ করে: অ্যামোরফাস থার্মাল SiO_{সাবস্ট্রেট} ডাইইলেকট্রিকের কোনও পাইজোইলেকট্রিক সহগ এবং কোনও ফেরোইলেকট্রিক ডোমেন নেই।
যাচাইকৃত মাইক্রোফোনিক আউটপুট: 10 g, 20 Hz–2 kHz কম্পনের অধীনে পরিমাপ নয়েজ ফ্লোরের নিচে (MIL-STD-202 পদ্ধতি 204)।
স্থিতিশীলতা: <10 ppm/V DC-বায়াস সহগ; -55 °C থেকে +125 °C পর্যন্ত +35 ppm/°C; কোনও বার্ধক্য নেই।
চিপ:মূল বৈশিষ্ট্যশূন্য পাইজোইলেকট্রিক প্রতিক্রিয়া — কোনও কম্পন-থেকে-ফেজ-মডুলেশন রূপান্তর নেই।

অন্তর্নিহিত চিপ ESL <0.05 nH; 470 pF এর জন্য 1 GHz এর উপরে SRF (বন্ড-ওয়ায়ার দৈর্ঘ্য দ্বারা টিউনযোগ্য)।

কম সন্নিবেশ ক্ষতির জন্য 1 MHz এ Q >2000 এবং 1 GHz এ >300।
থার্মোসোনিক গোল্ড ওয়্যার বন্ডিংয়ের জন্য TiW (100 nm) + Au (≥2.5 μm) টপ মেটালাইজেশন (>6 gf সাধারণ পুল শক্তি)।AuSn ইউটেকটিক এবং সিলভার-ইপোক্সি ডাই অ্যাটাচের জন্য TiW-Pt-Au ব্যাকসাইড প্ল্যাটিনাম ডিফিউশন ব্যারিয়ার সহ।
RoHS অনুবর্তী (EU 2015/863); JESD22-A114 প্রতি ESD ক্লাস 0 (HBM) হ্যান্ডলিং।
স্পেসিফিকেশন (T = 25 °C যদি না অন্যথায় উল্লেখ করা হয়)
প্যারামিটার
মান

পরীক্ষার শর্ত

ক্যাপাসিট্যান্স	470 pF ±10% (±5% বিকল্প)	1 MHz, 1.0 Vrms
রেটেড ডিসি ভোল্টেজ	50 V	ধারাবাহিক অপারেশন
ডাইইলেকট্রিক সহ্য ভোল্টেজ	>125 V DC	1 মিনিট র্যাম্প, 25 °C
ডাইইলেকট্রিক	থার্মাল SiO	2
, 300 nm	শুষ্ক অক্সিডেশন_{সাবস্ট্রেট}ফ্লোট-জোন Si, >1000 Ω·cm	—
অন্তর্নিহিত চিপ ESL	<0.05 nH	±0.025 মিমি
Q ফ্যাক্টর @ 1 GHz	>300	সাধারণ
ডিসি-বায়াস সহগ	<10 ppm/V	0–50 V
TCC	+35 ppm/°C	−55 °C থেকে +125 °C
মাইক্রোফোনিক আউটপুট	নয়েজ ফ্লোরের নিচে	10 g, 20 Hz–2 kHz সুইপ
অপারেটিং / স্টোরেজ তাপমাত্রা	−55 °C থেকে +125 °C / −65 °C থেকে +150 °C	—
চিপের মাত্রা	0.50 × 0.50 × 0.15 মিমি	±0.025 মিমি
সাধারণ অ্যাপ্লিকেশন	RF পাওয়ার এমপ্লিফায়ার বায়াস টিস এবং ড্রেন-ফিড ডিসি ব্লকিং।	VCO / PLL ট্যাঙ্ক এবং লুপ-ফিল্টার নেটওয়ার্ক যা কম্পনের প্রতি সংবেদনশীল।

যান্ত্রিক উত্তেজনার উপস্থিতিতে LNA ইনপুট ম্যাচিং এবং বাইপাস।

সেলুলার বেস স্টেশন এবং রিমোট রেডিও ইউনিট (RRU) ফ্রন্ট-এন্ড।
শিল্প RF হিটিং, প্লাজমা এক্সাইটেশন, এবং টেস্ট ও পরিমাপ যন্ত্র।
অটোমোটিভ RF এবং ওয়্যারলেস সেন্সর মডিউলগুলি ধারাবাহিক কম্পনের অধীনে।

মাইক্রোফোনিক সাপ্রেশন এমওএস ক্যাপাসিটর HACC471S50V500 470 pF 50V সিঙ্গেল লেয়ার চিপ আরএফ পাওয়ার অ্যামপ্লিফায়ারের জন্য

ট্যাগ:

কনিক্যাল ইনডাক্টর

ব্রডব্যান্ড ইন্ডাক্টর

এয়ার কোর ইন্ডাক্টর

বায়ু কুণ্ডলী প্রবর্তক

MOS ক্যাপাসিটর