उत्पादों का विवरण

घर उत्पादों

माइक्रोफोनिक सप्रेशन एमओएस कैपेसिटर HACC471S50V500 470 pF 50V आरएफ पावर एम्पलीफायरों के लिए सिंगल लेयर चिप

Name: माइक्रोफोनिक सप्रेशन एमओएस कैपेसिटर HACC471S50V500 470 pF 50V आरएफ पावर एम्पलीफायरों के लिए सिंगल लेयर चिप
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC471S50V500
Price: बातचीत योग्य USD
Availability: InStock

ब्रांड का नाम:	Hoan
मॉडल नंबर:	HACC471S50V500
MOQ:	10 टुकड़े
भुगतान की शर्तें:	एल/सी,डी/ए,डी/पी,टी/टी

विस्तृत जानकारी

उत्पाद का वर्णन

विस्तृत जानकारी

उत्पत्ति के प्लेस:

शानक्सी, चीन

प्रमाणन:

ISO 9001:2015, RoHS

क्यू फ़ैक्टर @ 1GHz:

>300

चिप आयाम:

0.50 × 0.50 × 0.15 मिमी

शीर्ष धातुकरण:

TiW (100nm) + Au (2.5µm मिनट)

पीछे की ओर धातुकरण:

TiW-Pt-Au, Au 1.0μm मिनट

माउन्टिंग का प्रकार:

वायर बॉन्डेबल / यूटेक्टिक डाई अटैच

परिचालन तापमान:

-55°C से +125°C

अनुकूलन:

10pF-1000pF, आयताकार डाई, बॉर्डर वाला इलेक्ट्रोड, फ्लोटिंग बैकसाइड

प्रमुखता देना:

एमओएस कैपेसिटर 470 पीएफ 50V

सिंगल लेयर चिप आरएफ एम्पलीफायर

HACC471S50V500 माइक्रोफोनिक दमन कैपेसिटर

उत्पाद का वर्णन

माइक्रोफोनिक फेज मॉड्यूलेशन कंट्रोल एमओएस कैपेसिटर — HACC471S50V500

परिभाषा: HACC471S50V500 एक 470 pF ±10%, 50 V DC, सिंगल-लेयर एमओएस कैपेसिटर है जो फ्लोट-ज़ोन सिलिकॉन सब्सट्रेट (>1000 Ω·cm) पर 300 nm थर्मल रूप से विकसित SiO₂ डाइइलेक्ट्रिक के साथ बनाया गया है। इसे आरएफ पावर एम्पलीफायर बायस नेटवर्क, डीसी ब्लॉकिंग और इम्पीडेंस मैचिंग के लिए डिज़ाइन किया गया है जहाँ कंपन-प्रेरित फेज मॉड्यूलेशन और माइक्रोफोनिक शोर को नियंत्रित करने की आवश्यकता होती है।

त्वरित उत्तर — एक नज़र में

यह क्या है: सिंगल-लेयर एमओएस कैपेसिटर, 470 pF, 50 V, वायर-बॉन्डेबल बेयर डाई।
मुख्य कार्य: माइक्रोफोनिक फेज मॉड्यूलेशन को नियंत्रित करता है और आरएफ पीए सिग्नल चेन में माइक्रोफोनिक मॉड्यूलेशन को दबाता है।
यह कैसे काम करता है: एमोर्फस थर्मल SiO₂ डाइइलेक्ट्रिक में कोई पीजोइलेक्ट्रिक गुणांक और कोई फेरोइलेक्ट्रिक डोमेन नहीं होता है।
सत्यापित माइक्रोफोनिक आउटपुट: 10 g, 20 Hz–2 kHz कंपन (MIL-STD-202 मेथड 204) के तहत माप शोर तल से नीचे।
स्थिरता: <10 ppm/V डीसी-बायस गुणांक; +35 ppm/°C −55 °C से +125 °C तक; कोई एजिंग नहीं।
चिप: 0.50 × 0.50 × 0.15 mm; आंतरिक ईएसएल 300 1 GHz पर।

मुख्य विशेषताएं

शून्य पीजोइलेक्ट्रिक प्रतिक्रिया — कोई कंपन-से-फेज-मॉड्यूलेशन रूपांतरण नहीं।
आंतरिक चिप ईएसएल <0.05 nH; एसआरएफ 470 pF के लिए 1 GHz से ऊपर (बॉन्ड-वायर लंबाई के माध्यम से ट्यून करने योग्य)।
कम इंसर्शन लॉस के लिए 1 MHz पर Q >2000 और 1 GHz पर >300।
थर्मोसोनिक गोल्ड वायर बॉन्डिंग (>6 gf विशिष्ट पुल स्ट्रेंथ) के लिए TiW (100 nm) + Au (≥2.5 µm) टॉप मेटलाइजेशन।
AuSn यूटेक्टिक और सिल्वर-एपॉक्सी डाई अटैच के लिए प्लैटिनम डिफ्यूजन बैरियर के साथ TiW-Pt-Au बैकसाइड।
RoHS अनुपालन (EU 2015/863); JESD22-A114 प्रति ESD क्लास 0 (HBM) हैंडलिंग।

विनिर्देश (T = 25 °C जब तक कि अन्यथा उल्लेख न किया गया हो)

पैरामीटर	मान	परीक्षण की स्थिति
कैपेसिटेंस	470 pF ±10% (±5% विकल्प)	1 MHz, 1.0 Vrms
रेटेड डीसी वोल्टेज	50 V	निरंतर संचालन
डाइइलेक्ट्रिक विदस्टैंडिंग वोल्टेज	>125 V DC	1 मिनट रैंप, 25 °C
डाइइलेक्ट्रिक	थर्मल SiO₂, 300 nm	ड्राई ऑक्सीडेशन
सब्सट्रेट	फ्लोट-ज़ोन Si, >1000 Ω·cm	—
आंतरिक चिप ईएसएल	<0.05 nH	एस-पैरामीटर से डी-एम्बेडेड
क्यू फैक्टर @ 1 GHz	>300	विशिष्ट
डीसी-बायस गुणांक	<10 ppm/V	0–50 V
टीसीसी	+35 ppm/°C	−55 °C से +125 °C
माइक्रोफोनिक आउटपुट	शोर तल से नीचे	10 g, 20 Hz–2 kHz स्वीप
ऑपरेटिंग / स्टोरेज तापमान	−55 °C से +125 °C / −65 °C से +150 °C	—
चिप आयाम	0.50 × 0.50 × 0.15 mm	±0.025 mm

विशिष्ट अनुप्रयोग

आरएफ पावर एम्पलीफायर बायस टीज़ और ड्रेन-फीड डीसी ब्लॉकिंग।
कंपन के प्रति संवेदनशील वीसीओ / पीएलएल टैंक और लूप-फिल्टर नेटवर्क।
यांत्रिक उत्तेजना की उपस्थिति में एलएनए इनपुट मैचिंग और बाईपास।
सेलुलर बेस स्टेशन और रिमोट रेडियो यूनिट (आरआरयू) फ्रंट-एंड।
औद्योगिक आरएफ हीटिंग, प्लाज्मा उत्तेजना, और परीक्षण और माप उपकरण।
निरंतर कंपन के तहत ऑटोमोटिव आरएफ और वायरलेस सेंसर मॉड्यूल।

माइक्रोफोनिक सप्रेशन एमओएस कैपेसिटर HACC471S50V500 470 pF 50V आरएफ पावर एम्पलीफायरों के लिए सिंगल लेयर चिप

टैग:

शंक्वाकार प्रेरक

ब्रॉडबैंड इंडक्टर्स

एयर कोर प्रारंभ करनेवाला

वायु कुंडल प्रारंभ करनेवाला

एमओएस कैपेसिटर