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Capacitores MOS de Supressão Microfônica HACC471S50V500 470 pF 50V Chip de Camada Única para Amplificadores de Potência RF

Name: Capacitores MOS de Supressão Microfônica HACC471S50V500 470 pF 50V Chip de Camada Única para Amplificadores de Potência RF
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC471S50V500
Price: Negociável USD
Availability: InStock

Marca:	Hoan
Número do modelo:	HACC471S50V500
Quantidade mínima:	10 peças
Condições de pagamento:	L/C,D/A,D/P,T/T

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

Shanxi, China

Certificação:

ISO 9001:2015, RoHS

Fator Q @ 1 GHz:

>300

Dimensões do chip:

0,50 × 0,50 × 0,15 mm

Metalização Superior:

TiW (100 nm) + Au (2,5 µm min)

Metalização traseira:

TiW-Pt-Au, Au 1,0 µm min

Tipo de montagem:

Fixação de matriz eutética/fio ligável

Temperatura operacional:

-55°C a +125°C

Personalização:

10pF-1000pF, matriz retangular, eletrodo com borda, parte traseira flutuante

Destacar:

Condensador MOS 470 pF 50V

amplificador RF de chip de camada única

HACC471S50V500 condensador de supressão de microfones

Descrição do produto

Controle de Modulação de Fase Microfônica Capacitor MOS — HACC471S50V500

Definição: O HACC471S50V500 é um capacitor MOS de camada única de 470 pF ±10%, 50 V DC, construído em um substrato de silício float-zone (>1000 Ω·cm) com um SiO 2 dielétrico crescido termicamente de 300 nm. Ele é projetado para redes de polarização de amplificadores de potência RF, bloqueio DC e casamento de impedância onde a modulação de fase induzida por vibração e o ruído microfônico devem ser controlados._{Fator Q @ 1 GHz}O que é:

capacitor MOS de camada única, 470 pF, 50 V, die metalizável para wire-bonding.

Função principal: controla a modulação de fase microfônica e suprime a modulação microfônica em cadeias de sinal de PA RF.
Por que funciona: o dielétrico de SiO 2 térmico amorfo não possui coeficiente piezoelétrico nem domínios ferroelétricos.
Saída microfônica verificada: abaixo do piso de ruído de medição sob vibração de 10 g, 20 Hz–2 kHz (MIL-STD-202 Método 204)._{Fator Q @ 1 GHz} coeficiente de polarização DC <10 ppm/V; +35 ppm/°C de −55 °C a +125 °C; sem envelhecimento.
Chip:
Principais características Resposta piezoelétrica zero — sem conversão vibração-para-modulação de fase.
ESL intrínseco do chip <0,05 nH; SRF acima de 1 GHz para 470 pF (ajustável pelo comprimento do fio de bond).Q >2000 a 1 MHz e >300 a 1 GHz para baixa perda de inserção.Metalização superior TiW (100 nm) + Au (≥2,5 µm) para wire-bonding de ouro termossônico (>6 gf de força de tração típica).Fundo TiW-Pt-Au com barreira de difusão de platina para fixação de die eutético AuSn e epóxi de prata.

Compatível com RoHS (EU 2015/863); manuseio Classe 0 ESD (HBM) conforme JESD22-A114.

Especificações (T = 25 °C, a menos que observado)
ParâmetroValor
Condição de teste
Capacitância
470 pF ±10% (±5% opção)
1 MHz, 1,0 Vrms

Tensão DC nominal

50 V	Operação contínua	Tensão de suportabilidade dielétrica
>125 V DC	Rampa de 1 minuto, 25 °C	Dielétrico
SiO 2 térmico, 300 nm	Oxidação seca	Substrato
Si float-zone, >1000 Ω·cm	—	ESL intrínseco do chip
<0,05 nH	Desempenhado a partir de S-parâmetro_{Fator Q @ 1 GHz}>300	Típico
Coeficiente de polarização DC	<10 ppm/V	Aquecimento RF industrial, excitação de plasma e instrumentos de teste e medição.
TCC	+35 ppm/°C	−55 °C a +125 °C
Saída microfônica	Abaixo do piso de ruído	Varredura de 10 g, 20 Hz–2 kHz
Temperatura de operação / armazenamento	−55 °C a +125 °C / −65 °C a +150 °C	—
Dimensões do chip	0,50 × 0,50 × 0,15 mm	±0,025 mm
Aplicações típicas	Tees de polarização de amplificador de potência RF e bloqueio DC de alimentação de dreno.	Redes de tanque e filtro de malha de VCO / PLL sensíveis à vibração.
Casamento de entrada e bypass de LNA na presença de excitação mecânica.	Front-ends de estação base celular e unidade de rádio remota (RRU).	Aquecimento RF industrial, excitação de plasma e instrumentos de teste e medição.
Módulos de sensor sem fio e RF automotivos sob vibração contínua.

Capacitores MOS de Supressão Microfônica HACC471S50V500 470 pF 50V Chip de Camada Única para Amplificadores de Potência RF

Etiquetas:

Indutor Cônico

Indutores de banda larga

Indutor do núcleo do ar

Indutor de bobina de ar

Capacitores MOS