รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

ตัวเก็บประจุ MOS ลดเสียงรบกวน HACC471S50V500 470 pF 50V แบบชั้นเดียวสำหรับแอมพลิฟายเออร์กำลัง RF

Name: ตัวเก็บประจุ MOS ลดเสียงรบกวน HACC471S50V500 470 pF 50V แบบชั้นเดียวสำหรับแอมพลิฟายเออร์กำลัง RF
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC471S50V500
Price: ต่อรองได้ USD
Availability: InStock

ชื่อแบรนด์:	Hoan
หมายเลขรุ่น:	HACC471S50V500
ขั้นต่ำ:	10 ชิ้น
เงื่อนไขการชำระเงิน:	L/C,D/A,D/P,T/T

ข้อมูลรายละเอียด

คําอธิบายสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

มณฑลส่านซีประเทศจีน

ได้รับการรับรอง:

ISO 9001:2015, RoHS

ปัจจัย Q @ 1GHz:

>300

ขนาดชิป:

0.50 × 0.50 × 0.15 มม

การทำให้เป็นโลหะด้านบน:

TiW (100nm) + Au (ขั้นต่ำ 2.5µm)

การทำให้เป็นโลหะด้านหลัง:

TiW-Pt-Au, Au ขั้นต่ำ 1.0µm

ประเภทการติดตั้ง:

ลวดยึดติดแบบติดได้ / ยูเทคติก

อุณหภูมิในการทำงาน:

-55°ซ ถึง +125°ซ

การปรับแต่ง:

10pF-1000pF, แม่พิมพ์สี่เหลี่ยม, อิเล็กโทรดมีขอบ, ด้านหลังแบบลอย

เน้น:

ตัวเก็บประจุ MOS 470 pF 50V

ชิปชั้นเดียวสำหรับเครื่องขยายเสียง RF

ตัวเก็บประจุแบบลดเสียงไมโครโฟน HACC471S50V500

คําอธิบายสินค้า

เครื่องควบคุมการปรับปรุงระยะไมโครโฟนิก MOS Capacitor HACC471S50V500

คํานิยาม:HACC471S50V500 เป็น 470 pF ± 10%, 50 V DC, เครื่องประกอบ MOS ชั้นเดียวที่สร้างขึ้นบนพื้นฐานซิลิคอนโซนลอย (> 1000 Ω · cm) ด้วย SiO ที่เติบโตด้วยความร้อน 300 nm₂dielectric. มันถูกออกแบบมาสําหรับเครือข่ายการกระตุ้นความแรง RF bias, การกั้น DC, และการจับคู่ impedance ที่ต้องควบคุมการปรับระยะที่เกิดจากการสั่นสะเทือนและเสียงไมโครโฟนิก

คําตอบรวดเร็ว ณ มุมมองเดียว

อะไรคือ:เครื่องประกอบความแข็ง MOS ชั้นเดียว 470 pF, 50 V เครื่องประกอบความแข็งที่สามารถเชื่อมต่อกับสายไฟได้
ฟังก์ชันหลัก:ควบคุมการปรับปรุงระยะไมโครโฟนิค และยับยั้งการปรับปรุงไมโครโฟนิคในโซ่สัญญาณ RF PA
ทําไมมันถึงได้ผลSiO ความร้อนแบบไม่มีรูปแบบ₂ไดเอเล็คทริกไม่มีปริมาตรไฟฟ้าและไม่มีโดเมนไฟฟ้า
การตรวจสอบการออกเสียงไมโครโฟนิค:ต่ํากว่าพื้นเสียงการวัดต่ํากว่า 10 g, การสั่นสะเทือน 20 Hz ต่ํากว่า 2 kHz (วิธี 204 ของ MIL-STD-202)
ความมั่นคง:< 10 ppm/V คออฟเซนต์ความคัดค้าน DC + 35 ppm/°C จาก -55 °C ถึง + 125 °C ไม่มีการแก่ตัว
ชิป:0.50 × 0.50 × 0.15 มิลลิเมตร; ESL ภายใน < 0.05 nH; Q > 300 ที่ 1 GHz

ลักษณะสําคัญ

ความตอบสนองแบบฟีเซออิเล็กทรริค 0 ครับ ไม่มีการแปลงสั่นเป็นการปรับระยะ
ESL ชิปภายใน <0.05 nH; SRF มากกว่า 1 GHz สําหรับ 470 pF (สามารถปรับผ่านความยาวสายผูก)
Q > 2000 ที่ 1 MHz และ > 300 ที่ 1 GHz สําหรับการสูญเสียการใส่ที่ต่ํา
TiW (100 nm) + Au (≥ 2.5 μm) การผสมผสานโลหะด้านบนสําหรับการผสมผสานสายทอง thermosonic (> 6 gf ความแรงดึงเฉพาะ)
TiW-Pt-Au ด้านหลังที่มีปลาตินามกั้นการแพร่ระบายสําหรับ AuSn ยูเทคติกและเงิน-เอโป็กซี่ die attach
สอดคล้องกับ RoHS (EU 2015/863); การจัดการ ESD ชั้น 0 (HBM) ตาม JESD22-A114

รายละเอียด (T = 25 °C เว้นแต่ระบุไว้)

ปริมาตร	มูลค่า	สภาพการทดสอบ
ความจุ	470 pF ± 10% ( ± 5% ทางเลือก)	1 MHz 1.0 Vrms
ความแรงดันแบบเรียงลําดับ	50 วอลต์	การทํางานต่อเนื่อง
ความดันความดันแบบ Dielectric	> 125 V DC	ระยะเวลา 1 นาที 25 °C
ไดเอเลคทริก	SiO ความร้อน₂, 300 นม	การออกซิเดนแบบแห้ง
สับสราต	โซนลอย Si > 1000 Ω·cm	รางวัล
ชิปภายใน ESL	< 0.05 nH	กําจัดจาก S-parameter
Q Factor @ 1 GHz	> 300	แบบปกติ
คออฟเฟกชั่นความคัดค้าน DC	< 10 ppm/V	0 วาลต์
TCC	+35 ppm/°C	-55 °C ถึง +125 °C
การออกเสียงไมโครโฟน	ต่ํากว่าระดับความรุนแรง	10 กรัม, 20 Hz2 kHz สะกด
อุณหภูมิการทํางาน / การเก็บรักษา	-55 °C ถึง +125 °C / -65 °C ถึง +150 °C	รางวัล
ขนาดชิป	0.50 × 0.50 × 0.15 มิลลิเมตร	± 0.025 มม.

การใช้งานทั่วไป

เสริมพลังงาน RF เส้นทางการคัดค้าน และการปิด DC
VCO / PLL ถังและเครือข่ายกรองวงจรที่รู้สึกต่อการสั่นสะเทือน
LNA การเข้าที่ตรงกันและเลี่ยงในกรณีที่มีการตื่นเต้นทางกล
สถานีฐานมือถือและหน่วยวิทยุไกล (RRU)
เครื่องทําความร้อน RF อุตสาหกรรม, การตื่นเต้นของพลาสมา, และอุปกรณ์การทดสอบและวัด
รถยนต์ RF และโมดูลเซ็นเซอร์ไร้สาย ภายใต้การสั่นสั่นต่อเนื่อง

ตัวเก็บประจุ MOS ลดเสียงรบกวน HACC471S50V500 470 pF 50V แบบชั้นเดียวสำหรับแอมพลิฟายเออร์กำลัง RF

แท็ก:

ตัวเหนี่ยวนำทรงกรวย

อินดูเตอร์เบนด์กว้าง

ตัวเหนี่ยวนำแกนอากาศ

ตัวเหนี่ยวนำขดลวดอากาศ

เครื่องปรับความแรง MOS