تفاصيل المنتجات

المنزل منتجات

مكثفات قمع الميكروفون MOS HACC471S50V500 470 بيكوفاراد 50 فولت طبقة واحدة شريحة لمضخمات الترددات الراديوية

Name: مكثفات قمع الميكروفون MOS HACC471S50V500 470 بيكوفاراد 50 فولت طبقة واحدة شريحة لمضخمات الترددات الراديوية
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC471S50V500
Price: قابل للتفاوض USD
Availability: InStock

اسم العلامة التجارية:	Hoan
رقم الموديل:	HACC471S50V500
موك:	10 قطع
شروط الدفع:	خطاب الاعتماد، D/A، D/P، T/T

معلومات مفصلة

وصف المنتج

معلومات مفصلة

مكان المنشأ:

شنشي، الصين

إصدار الشهادات:

ISO 9001:2015, RoHS

عامل Q @ 1 جيجا هرتز:

> 300

أبعاد الشريحة:

0.50 × 0.50 × 0.15 ملم

أعلى المعدنة:

TiW (100 نانومتر) + Au (2.5 ميكرومتر دقيقة)

تعدين المؤخر:

TiW-Pt-Au، Au 1.0 ميكرومتر دقيقة

نوع التركيب:

سلك قابل للربط / مرفق بالقالب سهل الانصهار

درجة حرارة التشغيل:

-55 درجة مئوية إلى +125 درجة مئوية

التخصيص:

10pF-1000pF، قالب مستطيل، قطب كهربائي محاط، ظهر عائم

إبراز:

مكثف MOS 470 pF 50V

مكبرات الراديو الراديوي ذات طبقة واحدة

مكثف القمع الميكروفي HACC471S50V500

وصف المنتج

مكثف MOS للتحكم في تعديل الطور الميكروفوني — HACC471S50V500

التعريف:HACC471S50V500 هو مكثف MOS أحادي الطبقة بسعة 470 بيكوفاراد (+±10%)، 50 فولت تيار مستمر، مبني على ركيزة سيليكون منطقة عائمة (>1000 أوم.سم) مع طبقة عازلة من SiO بطول 300 نانومتر تم نموها حرارياً._{الركيزة} عازلة. تم تصميمه لشبكات انحياز مضخمات طاقة الترددات الراديوية، وحجب التيار المستمر، ومطابقة المعاوقة حيث يجب التحكم في تعديل الطور الناجم عن الاهتزاز والضوضاء الميكروفونية.

إجابة سريعة — نظرة عامة

ما هو: مكثف MOS أحادي الطبقة، 470 بيكوفاراد، 50 فولت، شريحة عارية قابلة للربط بالسلك.
الوظيفة الأساسية: يتحكم في تعديل الطور الميكروفوني ويقمع التعديل الميكروفوني في سلاسل إشارات مضخمات الترددات الراديوية.
لماذا يعمل: العازل الحراري غير المتبلور SiO_{الركيزة} ليس له معامل كهروإجهادي ولا مجالات كهروانضغاطية.
خرج ميكروفوني تم التحقق منه: أقل من ضوضاء القياس تحت اهتزاز 10 جرام، 20 هرتز-2 كيلو هرتز (MIL-STD-202 الطريقة 204).
الاستقرار: <10 جزء في المليون/فولت معامل انحياز تيار مستمر؛ +35 جزء في المليون/درجة مئوية من -55 درجة مئوية إلى +125 درجة مئوية؛ لا يوجد تقادم.
الشريحة:الميزات الرئيسيةاستجابة كهروإجهادية صفرية — لا يوجد تحويل اهتزاز إلى تعديل طور.

محاثة ذاتية للشريحة (ESL) <0.05 نانوهنري؛ تردد ذاتي الرنين (SRF) أعلى من 1 جيجاهرتز لسعة 470 بيكوفاراد (يمكن ضبطه عبر طول سلك الربط).

عامل الجودة (Q) >2000 عند 1 ميجاهرتز و>300 عند 1 جيجاهرتز لخسارة إدخال منخفضة.
طبقة معدنية علوية TiW (100 نانومتر) + Au (≥2.5 ميكرومتر) للربط بسلك الذهب بالصوت الحراري (>6 جرام قوة سحب نموذجية).جانب خلفي TiW-Pt-Au مع حاجز انتشار البلاتين لربط الشريحة بسبائك AuSn اليوتكتيكية والإيبوكسي الفضي.
متوافق مع RoHS (الاتحاد الأوروبي 2015/863)؛ فئة ESD 0 (HBM) معالجة وفقًا لـ JESD22-A114.
المواصفات (T = 25 درجة مئوية ما لم يُذكر خلاف ذلك)
المعلمة
القيمة

شرط الاختبار

السعة	470 بيكوفاراد ±10% (خيار ±5%)	1 ميجاهرتز، 1.0 فولت ذروة فعالة
جهد التيار المستمر المقنن	50 فولت	تشغيل مستمر
جهد تحمل العازل	>125 فولت تيار مستمر	1 دقيقة تصاعدي، 25 درجة مئوية
العازل	SiO حراري	2
, 300 نانومتر	أكسدة جافة_{الركيزة}سيليكون منطقة عائمة، >1000 أوم.سم	—
المحاثة الذاتية للشريحة (ESL)	<0.05 نانوهنري	±0.025 ملم
عامل الجودة @ 1 جيجاهرتز	>300	نموذجي
معامل انحياز التيار المستمر	<10 جزء في المليون/فولت	0-50 فولت
معامل درجة حرارة السعة (TCC)	+35 جزء في المليون/درجة مئوية	−55 درجة مئوية إلى +125 درجة مئوية
الخرج الميكروفوني	أقل من ضوضاء القياس	10 جرام، مسح 20 هرتز-2 كيلو هرتز
درجة حرارة التشغيل / التخزين	−55 درجة مئوية إلى +125 درجة مئوية / −65 درجة مئوية إلى +150 درجة مئوية	—
أبعاد الشريحة	0.50 × 0.50 × 0.15 ملم	±0.025 ملم
التطبيقات النموذجية	مداخل ومخارج مضخمات طاقة الترددات الراديوية وشبكات حجب التيار المستمر للمصارف.	شبكات خزان ومصفاة حلقة المذبذب المتحكم فيه بالجهد (VCO) / حلقة الطور المقفلة (PLL) الحساسة للاهتزاز.

مطابقة المدخلات وتجاوز مكبرات الصوت منخفضة الضوضاء (LNA) في وجود إثارة ميكانيكية.

واجهات أمامية لمحطات قاعدة الهواتف الخلوية ووحدات الراديو عن بعد (RRU).
أجهزة التسخين بالترددات الراديوية الصناعية، وإثارة البلازما، وأدوات الاختبار والقياس.
وحدات الاستشعار اللاسلكية ووحدات الترددات الراديوية للسيارات تحت اهتزاز مستمر.

مكثفات قمع الميكروفون MOS HACC471S50V500 470 بيكوفاراد 50 فولت طبقة واحدة شريحة لمضخمات الترددات الراديوية

العلامات:

محث مخروطي

محاثات النطاق العريض

مغو الهواء الأساسية

مغو لفائف الهواء

مكثفات MOS