Tụ chống micro MOS HACC471S50V500 470 pF 50V Chip Lớp Đơn cho Bộ khuếch đại công suất RF

Máy nén MOS điều khiển điều chế pha microphonic HACC471S50V500

Định nghĩa:HACC471S50V500 là một 470 pF ± 10%, 50 V DC, MOS đơn lớp tụ điện được xây dựng trên một nền silicon vùng nổi (> 1000 Ω · cm) với SiO phát triển nhiệt 300 nm₂Nó được thiết kế cho các mạng khuynh hướng khuếch đại công suất RF, chặn DC và khớp điện trở khi điều chỉnh pha do rung động và tiếng ồn microphonic phải được kiểm soát.

Đặc điểm chính

• Không phản ứng piezoelectric không có chuyển đổi dao động thành điều chế pha.
• Chip nội tại ESL <0,05 nH; SRF trên 1 GHz cho 470 pF (có thể điều chỉnh thông qua chiều dài dây liên kết).
• Q > 2000 ở 1 MHz và > 300 ở 1 GHz cho mất tích chèn thấp.
• TiW (100 nm) + Au (≥ 2,5 μm) kim loại hóa trên cùng để liên kết dây vàng nhiệt âm (> 6 gf sức kéo điển hình).
• TiW-Pt-Au mặt sau với rào cản khuếch tán bạch kim cho AuSn eutectic và bạc epoxy die attach.
• Phù hợp với RoHS (EU 2015/863); xử lý ESD lớp 0 (HBM) theo JESD22-A114.

Thông số kỹ thuật (T = 25 °C trừ khi có ghi chú)

Các ứng dụng điển hình

• Tăng cường điện RF khuynh hướng và ngăn chặn DC.
• VCO / PLL bể và các mạng lọc vòng nhạy cảm với rung động.
• Khớp với đầu vào LNA và bỏ qua trong sự hiện diện của kích thích cơ học.
• Điện thoại di động trạm cơ sở và đơn vị vô tuyến từ xa (RRU) đầu cuối.
• Sản xuất RF sưởi ấm, kích thích plasma, và các thiết bị thử nghiệm và đo lường.
• RF ô tô và các mô-đun cảm biến không dây dưới rung liên tục.