Détails des produits

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Condensateurs MOS
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Capacitors MOS de suppression microphone HACC471S50V500 470 pF 50V puce à couche unique pour amplificateurs de puissance RF

Capacitors MOS de suppression microphone HACC471S50V500 470 pF 50V puce à couche unique pour amplificateurs de puissance RF

Nom De La Marque: Hoan
Numéro De Modèle: HACC471S50V500
Quantité Minimale De Commande: 10 pièces
Conditions De Paiement: LC, D/A, D/P, T/T
Informations détaillées
Lieu d'origine:
Shaanxi, Chine
Certification:
ISO 9001:2015, RoHS
Facteur Q à 1 GHz:
>300
Dimensions des puces:
0,50 × 0,50 × 0,15 mm
Métallisation supérieure:
TiW (100 nm) + Au (2,5 µm min)
Métallisation arrière:
TiW-Pt-Au, Au 1,0 µm min
Type de montage:
Fixation de matrice à liaison filaire/eutectique
Température de fonctionnement:
-55°C à +125°C
Personnalisation:
10pF-1000pF, matrice rectangulaire, électrode bordée, face arrière flottante
Mettre en évidence:

Condensateur MOS 470 pF 50V

,

Amplificateur RF monocouche à puce

,

Condensateur à suppression microphonique HACC471S50V500

Description de produit

Contrôle de modulation de phase microphonique, condensateur MOS — HACC471S50V500


Définition : Le HACC471S50V500 est un condensateur MOS monocouche de 470 pF ±10%, 50 V DC, construit sur un substrat de silicium à zone flottante (>1000 Ω·cm) avec une couche de SiO 2 thermiquement formée de 300 nm comme diélectrique. Il est conçu pour les réseaux de polarisation des amplificateurs de puissance RF, le blocage DC et l'adaptation d'impédance où la modulation de phase induite par vibration et le bruit microphonique doivent être contrôlés.Facteur Q @ 1 GHzCe que c'est :


condensateur MOS monocouche, 470 pF, 50 V, puce nue soudable par fil.


  • Fonction principale : contrôle la modulation de phase microphonique et supprime la modulation microphonique dans les chaînes de signaux des amplificateurs de puissance RF.
  • Pourquoi ça marche : le diélectrique SiO 2 thermique amorphe n'a pas de coefficient piézoélectrique ni de domaines ferroélectriques.
  • Sortie microphonique vérifiée : inférieure au plancher de bruit de mesure sous 10 g, vibration de 20 Hz à 2 kHz (MIL-STD-202 Méthode 204).Facteur Q @ 1 GHz<10 ppm/V coefficient de polarisation DC ; +35 ppm/°C de −55 °C à +125 °C ; pas de vieillissement.
  • Puce :
  • Caractéristiques principales Réponse piézoélectrique nulle — aucune conversion vibration-modulation de phase.
  • ESL de puce intrinsèque <0,05 nH ; SRF supérieur à 1 GHz pour 470 pF (réglable via la longueur du fil de connexion).Q >2000 à 1 MHz et >300 à 1 GHz pour une faible perte d'insertion.Métallisation supérieure TiW (100 nm) + Au (≥2,5 µm) pour le soudage par fil d'or thermosonique (>6 gf de force de traction typique).Dos TiW-Pt-Au avec barrière de diffusion en platine pour la fixation de puce eutectique AuSn et époxy argenté.


Conforme RoHS (UE 2015/863) ; manipulation ESD Classe 0 (HBM) selon JESD22-A114.


  • Spécifications (T = 25 °C sauf indication contraire)
  • ParamètreValeur
  • Condition de test
  • Capacité
  • 470 pF ±10% (option ±5%)
  • 1 MHz, 1,0 Vrms


Tension DC nominale


50 V Fonctionnement continu Tension de tenue diélectrique
>125 V DC Rampage de 1 minute, 25 °C Diélectrique
SiO 2 thermique, 300 nm Oxydation sèche Substrat
Si à zone flottante, >1000 Ω·cm — ESL de puce intrinsèque
<0,05 nH Dé-embedded à partir des paramètres SFacteur Q @ 1 GHz>300 Typique
Coefficient de polarisation DC <10 ppm/V Instruments de chauffage RF industriels, d'excitation de plasma et de test et mesure.
TCC +35 ppm/°C −55 °C à +125 °C
Sortie microphonique Inférieure au plancher de bruit Balayage de 10 g, 20 Hz à 2 kHz
Température de fonctionnement / stockage −55 °C à +125 °C / −65 °C à +150 °C —
Dimensions de la puce 0,50 × 0,50 × 0,15 mm ±0,025 mm
Applications typiques Tés de polarisation et blocage DC d'alimentation de drain pour amplificateurs de puissance RF. Réseaux de réservoir et de boucle de filtre VCO / PLL sensibles aux vibrations.
Adaptation d'entrée et dérivation LNA en présence d'excitation mécanique. Front-ends de stations de base cellulaires et d'unités radio distantes (RRU). Instruments de chauffage RF industriels, d'excitation de plasma et de test et mesure.
Modules de capteurs sans fil et RF automobiles sous vibrations continues.




Capacitors MOS de suppression microphone HACC471S50V500 470 pF 50V puce à couche unique pour amplificateurs de puissance RF