Подробная информация о продукции

Дом Продукты

Микрофонное подавление MOS конденсаторы HACC471S50V500 470 pF 50V однослойный чип для усилителей мощности RF

Название бренда:	Hoan
Номер модели:	ХАСС471С50В500
минимальный заказ:	10 шт.
Условия оплаты:	Л/К, Д/А, Д/П, Т/Т

Детальная информация

Характер продукции

Детальная информация

Место происхождения:

Шэньси, Китай

Сертификация:

ISO 9001:2015, RoHS

Q-фактор @ 1 ГГц:

>300

Размеры чипа:

0,50 × 0,50 × 0,15 мм

Топ Металлизация:

TiW (100 нм) + Au (2,5 мкм мин)

Задняя металлизация:

TiW-Pt-Au, Au 1,0 мкм мин.

Тип монтажа:

Крепление проволочной/эвтектической матрицы

Рабочая температура:

от -55°С до +125°С

Кастомизация:

10пФ-1000пФ, прямоугольная матрица, электрод с окантовкой, плавающая задняя сторона

Выделить:

MOS-конденсатор 470 пФ 50В

однослойный чип ВЧ усилителя

HACC471S50V500 микрофонный подавляющий конденсатор

Характер продукции

Конденсатор MOS с управлением микрофонной фазовой модуляцией — HACC471S50V500

Определение: HACC471S50V500 — это однослойный МОП-конденсатор емкостью 470 пФ ±10% на напряжение 50 В постоянного тока, изготовленный на подложке из кремния зонной плавки (>1000 Ω·см) с термически выращенным диэлектриком SiO₂ толщиной 300 нм. Он предназначен для сетей смещения ВЧ-усилителей мощности, блокировки по постоянному току и согласования импедансов, где необходимо контролировать фазовую модуляцию, вызванную вибрацией, и микрофонный шум.

Краткий ответ — в общих чертах

Что это: однослойный МОП-конденсатор, 470 пФ, 50 В, проводящий кристалл для монтажа проволокой.
Основная функция: контролирует микрофонную фазовую модуляцию и подавляет микрофонную модуляцию в сигнальных цепях ВЧ-усилителей мощности.
Почему это работает: аморфный термический диэлектрик SiO₂ не имеет пьезоэлектрического коэффициента и ферроэлектрических доменов.
Проверенный микрофонный выход: ниже уровня шума измерения при вибрации 10 g, 20 Гц–2 кГц (метод MIL-STD-202 № 204).
Стабильность: <10 ppm/V коэффициент при постоянном смещении; +35 ppm/°C в диапазоне от −55 °C до +125 °C; отсутствие старения.
Кристалл: 0,50 × 0,50 × 0,15 мм; собственная индуктивность ESL 300 при 1 ГГц.

Ключевые особенности

Нулевая пьезоэлектрическая реакция — отсутствие преобразования вибрации в фазовую модуляцию.
Собственная индуктивность кристалла ESL <0,05 нГн; SRF выше 1 ГГц для 470 пФ (регулируется длиной монтажной проволоки).
Добротность Q >2000 при 1 МГц и >300 при 1 ГГц для низких вносимых потерь.
Верхняя металлизация TiW (100 нм) + Au (≥2,5 µм) для термозвуковой пайки золотой проволокой (>6 гс типичная прочность на разрыв).
Нижняя сторона TiW-Pt-Au с платиновым диффузионным барьером для эвтектики AuSn и крепления кристалла серебряным эпоксидным клеем.
Соответствие RoHS (EU 2015/863); класс защиты от электростатического разряда ESD 0 (HBM) согласно JESD22-A114.

Технические характеристики (T = 25 °C, если не указано иное)

Параметр	Значение	Условие испытания
Емкость	470 пФ ±10% (±5% вариант)	1 МГц, 1,0 В среднеквадр.
Номинальное напряжение постоянного тока	50 В	Непрерывная работа
Диэлектрическая прочность	>125 В постоянного тока	1 минута нарастания, 25 °C
Диэлектрик	Термический SiO₂, 300 нм	Сухое окисление
Подложка	Кремний зонной плавки, >1000 Ω·см	—
Собственная индуктивность кристалла ESL	<0,05 нГн	Вычтено из S-параметров
Добротность Q @ 1 ГГц	>300	Типичное
Коэффициент при постоянном смещении	<10 ppm/V	0–50 В
ТКЕ	+35 ppm/°C	−55 °C до +125 °C
Микрофонный выход	Ниже уровня шума	10 g, развертка 20 Гц–2 кГц
Рабочая / температура хранения	−55 °C до +125 °C / −65 °C до +150 °C	—
Размеры кристалла	0,50 × 0,50 × 0,15 мм	±0,025 мм

Типичные области применения

ВЧ-усилители мощности, схемы смещения и блокировки по постоянному току на входе стока.
Резонаторные и фильтрующие цепи VCO / PLL, чувствительные к вибрации.
Согласование входа и шунтирование LNA при наличии механических воздействий.
Фронт-энды базовых станций сотовой связи и удаленных радиомодулей (RRU).
Промышленные ВЧ-нагреватели, плазменные возбудители и измерительные приборы.
Автомобильные ВЧ и беспроводные сенсорные модули при постоянной вибрации.

Микрофонное подавление MOS конденсаторы HACC471S50V500 470 pF 50V однослойный чип для усилителей мощности RF

Бирки:

Надежные МОП-конденсаторы с высоким напряжением пробоя, ультраминиатюрные, с низкими утечками, 50 В, с возможностью проволочного монтажа SLC

Получите самую лучшую цену

Конический индуктор

Индукторы широкополосного доступа

Индуктор ядра воздуха

Индуктор воздушной катушки

Конденсаторы MOS