Μικροφωνική καταστολή MOS Συμπιεστήρες HACC471S50V500 470 pF 50V μονοστρώμα τσιπ για ενισχυτές ισχύος RF

Πυκνωτής MOS Ελέγχου Μικροφωνικής Διαμόρφωσης Φάσης — HACC471S50V500

Ορισμός: Ο HACC471S50V500 είναι ένας πυκνωτής MOS μονής στρώσης 470 pF ±10%, 50 V DC, κατασκευασμένος σε υπόστρωμα πυριτίου ζώνης ελεύθερης ροής (>1000 Ω·cm) με θερμικά αναπτυγμένο SiO 300 nm₂ διηλεκτρικό. Έχει σχεδιαστεί για δίκτυα πόλωσης ενισχυτών ισχύος RF, μπλοκάρισμα DC και αντιστοίχιση σύνθετης αντίστασης όπου η διαμόρφωση φάσης που προκαλείται από δονήσεις και ο μικροφωνικός θόρυβος πρέπει να ελέγχονται.

Βασικά χαρακτηριστικά

• Μηδενική πιεζοηλεκτρική απόκριση — καμία μετατροπή δόνησης σε διαμόρφωση φάσης.
• Εγγενές ESL τσιπ <0.05 nH; SRF πάνω από 1 GHz για 470 pF (ρυθμιζόμενο μέσω μήκους σύρματος συγκόλλησης).
• Q >2000 στα 1 MHz και >300 στα 1 GHz για χαμηλή απώλεια εισαγωγής.
• Επάνω μεταλλοποίηση TiW (100 nm) + Au (≥2.5 µm) για θερμοηχητική συγκόλληση με σύρμα χρυσού (>6 gf τυπική αντοχή έλξης).
• Πίσω όψη TiW-Pt-Au με φράγμα διάχυσης πλατίνας για ευτηκτικό AuSn και σύνδεση τσιπ με ασήμι-εποξικό.
• Συμβατό με RoHS (ΕΕ 2015/863); ESD Κατηγορία 0 (HBM) χειρισμός σύμφωνα με JESD22-A114.

Προδιαγραφές (T = 25 °C εκτός αν σημειώνεται)

Τυπικές εφαρμογές

• Τέιζ και μπλοκάρισμα DC τροφοδοσίας αποχέτευσης ενισχυτών ισχύος RF.
• Δεξαμενές VCO / PLL και δίκτυα φίλτρων βρόχου ευαίσθητα σε δονήσεις.
• Αντιστοίχιση εισόδου LNA και παράκαμψη παρουσία μηχανικής διέγερσης.
• Μπροστινά άκρα σταθμών βάσης κινητής τηλεφωνίας και απομακρυσμένων ραδιο μονάδων (RRU).
• Βιομηχανική θέρμανση RF, διέγερση πλάσματος και όργανα δοκιμών & μετρήσεων.
• Μονάδες ασύρματων αισθητήρων και RF αυτοκινήτων υπό συνεχή δόνηση.