rincian produk

Rumah Produk

Kapasitor MOS Peredam Mikrofon HACC471S50V500 470 pF 50V Chip Lapisan Tunggal untuk Penguat Daya RF

Name: Kapasitor MOS Peredam Mikrofon HACC471S50V500 470 pF 50V Chip Lapisan Tunggal untuk Penguat Daya RF
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC471S50V500
Price: Bisa dinegosiasikan USD
Availability: InStock

Nama Merek:	Hoan
Nomor Model:	HACC471S50V500
MOQ:	10 buah
Ketentuan Pembayaran:	L/C,D/A,D/P,T/T

Informasi Rinci

Deskripsi Produk

Informasi Rinci

Tempat asal:

Shaanxi, Tiongkok

Sertifikasi:

ISO 9001:2015, RoHS

Faktor Q @ 1GHz:

>300

Dimensi Keping:

0,50 × 0,50 × 0,15mm

Metalisasi Teratas:

TiW (100nm) + Au (2,5µm mnt)

Metalisasi Bagian Belakang:

TiW-Pt-Au, Au 1,0µm mnt

Tipe Pemasangan:

Kawat Berikat / Die Attach Eutectic

Suhu Operasional:

-55°C hingga +125°C

Kustomisasi:

10pF-1000pF, cetakan persegi panjang, elektroda berbatas, bagian belakang mengambang

Menyoroti:

Kondensator MOS 470 pF 50V

amplifier RF chip satu lapisan

HACC471S50V500 kondensator penekanan mikrofon

Deskripsi Produk

Kondensator MOS Pengendalian Modulasi Fase Mikrofonik HACC471S50V500

Definisi:HACC471S50V500 adalah 470 pF ± 10%, 50 V DC, MOS kondensator lapisan tunggal dibangun pada substrat silikon zona terapung (> 1000 Ω · cm) dengan 300 nm SiO termal tumbuh₂Dirancang untuk jaringan bias amplifier daya RF, blok DC, dan pencocokan impedansi di mana modulasi fase yang diinduksi getaran dan kebisingan mikrofon harus dikendalikan.

Jawaban Cepat ️ sekilas

Apa itu:Kondensator MOS satu lapisan, 470 pF, 50 V, kawat-bonding mati telanjang.
Fungsi inti:mengontrol modulasi fase mikrofon dan menekan modulasi mikrofon dalam rantai sinyal RF PA.
Mengapa itu berhasil:SiO termal amorf₂Dielektrik tidak memiliki koefisien piezoelektrik dan tidak memiliki domain ferroelektrik.
Output mikrofon yang diverifikasi:di bawah lantai kebisingan pengukuran di bawah 10 g, getaran 20 Hz ∼2 kHz (Metode 204 MIL-STD-202).
Stabilitas:< 10 ppm/V koefisien bias DC; +35 ppm/°C dari -55 °C sampai +125 °C; tidak ada penuaan.
Chip:0.50 × 0,50 × 0,15 mm; ESL intrinsik < 0,05 nH; Q > 300 pada 1 GHz.

Fitur utama

Respon piezoelektrik nol tidak ada konversi getaran-ke-modulasi fase.
Ciri-ciri yang dapat digunakan adalah:
Q > 2000 pada 1 MHz dan > 300 pada 1 GHz untuk kehilangan penempatan rendah.
TiW (100 nm) + Au (≥ 2,5 μm) top metallization untuk ikatan kawat emas termosonik (> 6 gf kekuatan tarik khas).
TiW-Pt-Au bagian belakang dengan penghalang difusi platinum untuk AuSn eutectic dan perak-epoxy die attach.
RoHS sesuai (EU 2015/863); ESD Kelas 0 (HBM) penanganan sesuai dengan JESD22-A114.

Spesifikasi (T = 25 °C kecuali dinyatakan)

Parameter	Nilai	Kondisi pengujian
Kapasitas	470 pF ± 10% (opsi ± 5%)	1 MHz, 1,0 Vrms
Tegangan DC nominal	50 V	Operasi terus menerus
Tegangan tahan dielektrik	> 125 V DC	Ramp 1 menit, 25 °C
Dielektrik	SiO termal₂, 300 nm	Oksidasi kering
Substrat	Zona terapung Si, > 1000 Ω·cm	️
Chip intrinsik ESL	< 0,05 nH	Dihapus dari parameter S
Faktor Q @ 1 GHz	> 300	Tipikal
Koefisien bias DC	< 10 ppm/V	050 V
TCC	+35 ppm/°C	-55 °C sampai +125 °C
Output mikrofon	Di bawah tingkat kebisingan	10 g, 20 Hz2 kHz menyapu
Suhu operasi / penyimpanan	-55 °C sampai +125 °C / -65 °C sampai +150 °C	️
Dimensi chip	00,50 × 0,50 × 0,15 mm	± 0,025 mm

Aplikasi khas

RF penguat daya bias tees dan pembuangan-sumber DC blokir.
Tangki VCO / PLL dan jaringan filter loop sensitif terhadap getaran.
Pencocokan input LNA dan bypass di hadapan eksitasi mekanis.
Stasiun basis seluler dan unit radio jarak jauh (RRU) front-end.
Pemanasan RF industri, eksitasi plasma, dan instrumen uji & pengukuran.
RF otomotif dan modul sensor nirkabel di bawah getaran terus menerus.

Kapasitor MOS Peredam Mikrofon HACC471S50V500 470 pF 50V Chip Lapisan Tunggal untuk Penguat Daya RF

Tag:

Induktor Kerucut

Induktor Broadband

Induktor inti udara

induktor kumparan udara

Kondensator MOS