details van de producten

Huis Producten

Microphonic Suppression MOS Condensatoren HACC471S50V500 470 pF 50V Single Layer Chip voor RF-vermogenversterkers

Name: Microphonic Suppression MOS Condensatoren HACC471S50V500 470 pF 50V Single Layer Chip voor RF-vermogenversterkers
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC471S50V500
Price: Bespreekbaar USD
Availability: InStock

Merknaam:	Hoan
Modelnummer:	HACC471S50V500
MOQ:	10 stuks
Betalingsvoorwaarden:	L/C, D/A, D/P, T/T

Gedetailleerde informatie

Productomschrijving

Gedetailleerde informatie

Plaats van herkomst:

Shaanxi, China

Certificering:

ISO 9001:2015, RoHS

Q-factor @ 1GHz:

>300

Chipafmetingen:

0,50 × 0,50 × 0,15 mm

Topmetallisatie:

TiW (100 nm) + Au (2,5 µm min)

Metallisatie aan de achterkant:

TiW-Pt-Au, Au 1,0 µm min

Montagetype:

Met draad te verbinden/eutectische matrijsbevestiging

Bedrijfstemperatuur:

-55°C tot +125°C

Maatwerk:

10pF-1000pF, rechthoekige matrijs, omrande elektrode, zwevende achterkant

Markeren:

MOS condensator 470 pF 50V

enkellaagchip RF-versterker

HACC471S50V500 microphonic suppression condensator

Productomschrijving

Microfonische Fase Modulatie Controle MOS Condensator — HACC471S50V500

Definitie: De HACC471S50V500 is een 470 pF ±10%, 50 V DC, enkellaagse MOS-condensator gebouwd op een float-zone siliciumsubstraat (>1000 Ω·cm) met een 300 nm thermisch gegroeide SiO₂ diëlektricum. Het is ontworpen voor RF-vermogensversterker biasnetwerken, DC-blokkering en impedantieaanpassing waarbij door trillingen geïnduceerde fase modulatie en microfonisch geluid gecontroleerd moeten worden.

Snel antwoord — in één oogopslag

Wat het is: enkellaagse MOS-condensator, 470 pF, 50 V, draad-bondbare kale chip.
Kernfunctie: regelt microfonische fase modulatie en onderdrukt microfonische modulatie in RF PA signaalketens.
Waarom het werkt: amorf thermisch SiO₂ diëlektricum heeft geen piëzo-elektrische coëfficiënt en geen ferro-elektrische domeinen.
Geverifieerde microfonische output: onder de meetruisvloer onder 10 g, 20 Hz–2 kHz trilling (MIL-STD-202 Methode 204).
Stabiliteit: <10 ppm/V DC-bias coëfficiënt; +35 ppm/°C van −55 °C tot +125 °C; geen veroudering.
Chip: 0.50 × 0.50 × 0.15 mm; intrinsieke ESL 300 bij 1 GHz.

Belangrijkste kenmerken

Nul piëzo-elektrische respons — geen trilling-naar-fase-modulatie conversie.
Intrinsieke chip ESL <0.05 nH; SRF boven 1 GHz voor 470 pF (afstembaar via bonddraadlengte).
Q >2000 bij 1 MHz en >300 bij 1 GHz voor laag invoegverlies.
TiW (100 nm) + Au (≥2.5 µm) top metallisatie voor thermosonische gouden draad bonding (>6 gf typische trekkracht).
TiW-Pt-Au achterkant met platina diffusiebarrière voor AuSn eutectische en zilver-epoxy chip bevestiging.
RoHS-conform (EU 2015/863); ESD Klasse 0 (HBM) hantering volgens JESD22-A114.

Specificaties (T = 25 °C tenzij anders vermeld)

Parameter	Waarde	Testconditie
Capaciteit	470 pF ±10% (±5% optie)	1 MHz, 1.0 Vrms
Nominale DC-spanning	50 V	Continue werking
Diëlektrische weerstandsspanning	>125 V DC	1 minuut oplopend, 25 °C
Diëlektricum	Thermisch SiO₂, 300 nm	Droge oxidatie
Substraat	Float-zone Si, >1000 Ω·cm	—
Intrinsieke chip ESL	<0.05 nH	Ontkoppeld van S-parameter
Q-factor @ 1 GHz	>300	Typisch
DC-bias coëfficiënt	<10 ppm/V	0–50 V
TCC	+35 ppm/°C	−55 °C tot +125 °C
Microfonische output	Onder ruisvloer	10 g, 20 Hz–2 kHz sweep
Bedrijfs- / opslagtemperatuur	−55 °C tot +125 °C / −65 °C tot +150 °C	—
Chipafmetingen	0.50 × 0.50 × 0.15 mm	±0.025 mm

Typische toepassingen

RF-vermogensversterker bias tees en drain-feed DC-blokkering.
VCO / PLL tank- en lusfilternetwerken gevoelig voor trillingen.
LNA ingangs-aanpassing en bypass in aanwezigheid van mechanische excitatie.
Cellulaire basisstations en remote radio unit (RRU) front-ends.
Industriële RF-verwarming, plasma-excitatie en test- en meetinstrumenten.
Automotive RF en draadloze sensormodules onder continue trillingen.

Microphonic Suppression MOS Condensatoren HACC471S50V500 470 pF 50V Single Layer Chip voor RF-vermogenversterkers

Markeringen:

Conische spoel

Breedbandspoelen

De Inductor van de luchtkern

Air Coil Inductor

MOS-condensatoren