제품 세부 정보

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MOS 콘덴시터
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RF 전력 증폭기용 마이크로포닉 억제 MOS 커패시터 HACC471S50V500 470 pF 50V 단층 칩

RF 전력 증폭기용 마이크로포닉 억제 MOS 커패시터 HACC471S50V500 470 pF 50V 단층 칩

브랜드 이름: Hoan
모델 번호: HACC471S50V500
MOQ: 10개
지불 조건: L/C,D/A,D/P,T/T
상세 정보
원래 장소:
중국 산시성
인증:
ISO 9001:2015, RoHS
Q 인자 @ 1GHz:
>300
칩 크기:
0.50×0.50×0.15mm
최고 금속화:
TiW(100nm) + Au(최소 2.5μm)
후면 금속화:
TiW-Pt-Au, Au 1.0μm 최소
장착 유형:
와이어 본딩 가능/공융 다이 부착
작동 온도:
-55°C ~ +125°C
맞춤화:
10pF-1000pF, 직사각형 다이, 경계형 전극, 플로팅 뒷면
강조하다:

MOS 콘덴서 470 pF 50V

,

단층 칩 RF 증폭기

,

HACC471S50V500 마이크 억제 콘덴서

제품 설명

마이크로폰 단계 변조 제어 MOS 콘덴시터 ∙ HACC471S50V500


정의:HACC471S50V500는 470 pF ±10%, 50 V DC, 단층 MOS 콘덴시터로, 300 nm 열성 성장 SiO를 가진 부동 영역 실리콘 기판 (> 1000 Ω·cm) 에 구축되어 있습니다.2이형 전력. RF 전력 증폭자 편향 네트워크, DC 차단 및 진동 유발 단계 변조 및 마이크 잡음을 제어해야하는 임피던스 매칭을 위해 설계되었습니다.


빠른 답변 ↓ 한눈에


  • 무슨 소리야?단층 MOS 콘덴서, 470pF, 50V, 와이어 결합 할 수 있는 맨 다이.
  • 핵심 기능:마이크로폰 파스 변조를 제어하고 RF PA 신호 체인에서의 마이크로폰 변조를 억제합니다.
  • 왜 효과가 있는지:무형 열 SiO2다이엘렉트릭은 피에조 전기 계수가 없고 철 전기 영역도 없습니다.
  • 확인된 마이크 출력:측정 노이즈 바닥 이하의 10g, 20 Hz ∼2 kHz 진동 (MIL-STD-202 방법 204)
  • 안정성:< 10ppm/V DC 편향 계수; +35ppm/°C -55°C ~ +125°C; 노화되지 않습니다.
  • 칩:0.50 × 0.50 × 0.15 mm; 내재적 ESL <0.05 nH; 1 GHz에서 Q >300


주요 특징


  • 제로 피에조 전기 반응 ∼ 진동에서 단계 변조 변환이 없습니다.
  • 내부 칩 ESL <0.05 nH; 470 pF에 1 GHz 이상의 SRF (연결선 길이를 통해 조정할 수 있다).
  • Q 낮은 삽입 손실을 위해 1MHz에서 >2000 및 1GHz에서 >300
  • TiW (100 nm) + Au (≥2.5 μm) 열음 금 와이어 결합 (> 6 gf 전형적인 당기 강도) 에 대한 톱 금화.
  • TiW-Pt-Au 뒷면은 AuSn 유텍스 및 은-에포시 다이 붙이기 위해 플래티넘 확산 장벽과 함께.
  • RoHS 준수 (EU 2015/863); JESD22-A114에 따라 ESD 클래스 0 (HBM) 처리


사양 (T = 25 °C 표시되지 않는 경우)


매개 변수 가치 시험 조건
용량 470 pF ±10% (±5% 옵션) 1MHz, 1.0Vrms
정류량 전압 50V 연속 작동
다이렉트릭 저항 전압 125V 이상 DC 1분 램프, 25 °C
다이렉트릭 열성 SiO2, 300 nm 건조 산화
기판 떠있는 구역 Si, > 1000 Ω·cm ∙
내부 칩 ESL <0.05 nH S-패라미터에서 제거
Q 요인 @ 1 GHz >300 전형적
DC 편차 계수 < 10ppm/V 050V
TCC +35ppm/°C -55 °C ~ +125 °C
마이크 출력 소음 바닥 이하 10g, 20Hz ∼2kHz 스파이
작동 온도 / 저장 온도 -55 °C ~ +125 °C / -65 °C ~ +150 °C ∙
칩 크기 0.50 × 0.50 × 0.15 mm ±0.025mm


전형적인 응용 프로그램


  • RF 전력 증폭기 편향 티와 배수 공급 DC 차단.
  • VCO / PLL 탱크 및 루프 필터 네트워크는 진동에 민감합니다.
  • 기계적 흥분 현상에서 LNA 입력 일치 및 우회
  • 셀룰러 베이스 스테이션과 원격 라디오 유닛 (RRU) 프론트엔드.
  • 산업용 RF 난방, 플라즈마 흥분, 시험 및 측정 장비
  • 자동차 RF 및 무선 센서 모듈은 지속적인 진동으로 작동합니다.


RF 전력 증폭기용 마이크로포닉 억제 MOS 커패시터 HACC471S50V500 470 pF 50V 단층 칩