جزئیات محصولات

خونه محصولات

فشرده سازی میکروفون MOS HACC471S50V500 470 pF 50V تراشه تک لایه ای برای تقویت کننده های قدرت RF

Name: فشرده سازی میکروفون MOS HACC471S50V500 470 pF 50V تراشه تک لایه ای برای تقویت کننده های قدرت RF
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC471S50V500
Price: قابل مذاکره USD
Availability: InStock

نام تجاری:	Hoan
شماره مدل:	HACC471S50V500
MOQ:	10 عدد
شرایط پرداخت:	L/C، D/A، D/P، T/T

اطلاعات جزئیات

توضیحات محصول

اطلاعات جزئیات

محل منبع:

شانشی، چین

گواهی:

ISO 9001:2015, RoHS

Q Factor @ 1GHz:

> 300

ابعاد تراشه:

0.50 × 0.50 × 0.15 میلی متر

تاپ متالیزاسیون:

TiW (100 نانومتر) + طلا (2.5 میکرومتر دقیقه)

متالیزاسیون پشت:

TiW-Pt-Au، Au 1.0μm دقیقه

نوع نصب:

اتصال سیم قابل اتصال / اتکتیک قالب

دمای عملیاتی:

-55 درجه سانتی گراد تا +125 درجه سانتی گراد

سفارشی سازی:

10pF-1000pF، قالب مستطیلی، الکترود حاشیه دار، پشت شناور

برجسته کردن:

خازن MOS 470 پیکوفاراد 50 ولت

چیپ تک لایه تقویت کننده RF

خازن سرکوبگر میکروفونیک HACC471S50V500

توضیحات محصول

کنترل مودولاسیون فاز میکروفونیک MOS Capacitor HACC471S50V500

تعریف:HACC471S50V500 یک خازن MOS تک لایه ای با 470 pF ±10٪ ، 50 V DC است که بر روی یک بستر سیلیکونی منطقه شناور (> 1000 Ω · cm) با SiO رشد حرارتی 300 nm ساخته شده است₂دی الکتریک. برای شبکه های تعصب تقویت کننده قدرت RF، مسدود کردن DC و تطبیق موانع طراحی شده است که در آن باید مدولاسیون فاز ناشی از ارتعاش و سر و صدای میکروفون کنترل شود.

پاسخ سريع در يک نگاه

چي هستش:خازن تک لایه ای MOS، ۴۷۰ pF، ۵۰ V، با سیم متصل می شود
عملکرد اصلی:کنترل مدولاسیون فاز میکروفون و سرکوب مدولاسیون میکروفون در زنجیره های سیگنال RF PA.
چرا جواب ميده:SiO حرارتی بی شکل₂دی الکتریک دارای یک ضریب پیزو الکتریک و هیچ دامنه فیرو الکتریک نیست.
خروجی میکروفیک تایید شده:زیر سطح خروجی اندازه گیری کمتر از 10 g، ارتعاش 20 Hz ≈ 2 kHz (روش 204 MIL-STD-202).
ثبات:<10 ppm/V ضریب تعصب DC؛ +35 ppm/°C از -55 °C تا +125 °C؛ هیچ پیری.
چیپ:0.50 × 0.50 × 0.15 mm؛ ESL <0.05 nH؛ Q >300 در 1 GHz.

ویژگی های اصلی

صفر پاسخ پیزو الکتریکی بدون تبدیل لرزش به حالت فاز
ESL تراشه داخلی <0.05 nH؛ SRF بالاتر از 1 GHz برای 470 pF (قابل تنظیم از طریق طول سیم اتصال).
Q >2000 در 1MHz و >300 در 1GHz برای از دست دادن ورودی کم.
TiW (100 nm) + Au (≥2.5 μm) فلزسازی بالای برای اتصال سیم طلایی ترموسونک (>6 gf قدرت کشش معمولی).
TiW-Pt-Au پشت با مانع پخش پلاتین برای AuSn eutectic و نقره ایپوکسی مرطوب کنید.
مطابق با RoHS (EU 2015/863) ؛ مدیریت کلاس 0 ESD (HBM) بر اساس JESD22-A114.

مشخصات (T = 25 °C مگر اینکه ذکر شده باشد)

پارامتر	ارزش	شرایط آزمایش
ظرفیت	470 pF ± 10% (± 5% گزینه)	1 مگاهرتز، 1.0 ورمیس
ولتاژ نامی DC	50 ولت	کار مستمر
ولتاژ مقاومت دی الکتریک	> 125 ولت DC	یک دقیقه در 25 درجه سانتیگراد
دی الکتریک	SiO حرارتی₂، 300 نانومتر	اکسیداسیون خشک
زیربنای	منطقه شناور Si، >1000 Ω·cm	️
تراشه داخلی ESL	<0.05 nH	از پارامتر S جدا شده
فاکتور Q @ 1GHz	>300	نمادین
ضریب تعصب DC	<10 ppm/V	050 ولت
TCC	+35 ppm/°C	-55 °C تا +125 °C
خروجی میکروفون	پایین تر از سطح سر و صدا	10 g، 20 Hz ≈ 2 kHz پاک کننده
دمای کار / ذخیره سازی	-55 °C تا +125 °C / -65 °C تا +150 °C	️
ابعاد تراشه	0.50 × 0.50 × 0.15 میلی متر	±0.025 میلی متر

کاربردهای معمول

تقویت کننده قدرت رادیواکتیو با تعویض و مسدود کردن جریان مستقیم
مخزن VCO / PLL و شبکه های فیلتر حلقه حساس به لرزش است.
مطابقت ورودی LNA و دور زدن در حضور تحریک مکانیکی.
ایستگاه پایه سلولی و واحد رادیویی از راه دور (RRU)
گرمایش صنعتی RF، تحریک پلاسما، و ابزارهای آزمایش و اندازه گیری.
ماژول های سنسور رادیویی و بی سیم خودرو تحت لرزش مستمر.

فشرده سازی میکروفون MOS HACC471S50V500 470 pF 50V تراشه تک لایه ای برای تقویت کننده های قدرت RF

برچسب ها:

سلف مخروطی

محرک های پهن باند

سلف هسته هوا

سلف کویل هوا

هک کننده های MOS