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Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor HACC102S30V470 470pF 30V Zero C-V Hysteresis SLC

Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor HACC102S30V470 470pF 30V Zero C-V Hysteresis SLC

Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor HACC102S30V470 470pF 30V Zero C-V Hysteresis SLC

Marca:	Hoan
Número do modelo:	HACC102S30V470
Quantidade mínima:	10 peças
Condições de pagamento:	L/C,D/A,D/P,T/T

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

Shanxi, China

Certificação:

ISO 9001:2015, RoHS

Dimensões do chip:

0,50x0,50x0,15mm

Metalização Superior:

Au, 2,5 um min

Metalização traseira:

Au, 1,0 um min

Temperatura operacional:

-55°C a +125°C

RoHS:

Compatível com UE 2015/863

Classe ESD:

Classe 0 (HBM)

Tipo de montagem:

Fixação de matriz eutética/fio ligável

Destacar:

Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor

,

470pF 30V MOS Capacitor

,

Zero C-V Hysteresis SLC Capacitor

Descrição do produto

Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor HACC102S30V470 470pF 30V Summary: The HACC102S30V470 is a 470 pF ±10%, 30 V DC single-layer MOS capacitor with a deep-level trap passivated Si/SiO2 interface. It is intended for RF matching, filtering and precision analog circuits where interface trap density, C-V hysteresis and long-term charge trapping affect stability. Overview The HACC102S30V470 is built on a float-zone silicon substrate (above 1000 Ω·cm) with a 300 nm thermal SiO2

Etiquetas:

Capacitor SLC

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