تفاصيل المنتجات

Created with Pixso. المنزل Created with Pixso. منتجات Created with Pixso.
مكثفات MOS
Created with Pixso.

Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor HACC102S30V470 470pF 30V Zero C-V Hysteresis SLC

Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor HACC102S30V470 470pF 30V Zero C-V Hysteresis SLC

اسم العلامة التجارية: Hoan
رقم الموديل: HACC102S30V470
موك: 10 قطع
شروط الدفع: خطاب الاعتماد، D/A، D/P، T/T
معلومات مفصلة
مكان المنشأ:
شنشي، الصين
إصدار الشهادات:
ISO 9001:2015, RoHS
أبعاد الشريحة:
0.50 × 0.50 × 0.15 ملم
أعلى المعدنة:
الاتحاد الأفريقي، 2.5 أم دقيقة
تعدين المؤخر:
الاتحاد الأفريقي، 1.0 أم دقيقة
درجة حرارة التشغيل:
-55 درجة مئوية إلى +125 درجة مئوية
بنفايات:
متوافقة مع معايير الاتحاد الأوروبي 2015/863
فئة البيئة والتنمية المستدامة:
الفئة 0 (HBM)
نوع التركيب:
سلك قابل للربط / مرفق بالقالب سهل الانصهار
إبراز:

Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor

,

470pF 30V MOS Capacitor

,

Zero C-V Hysteresis SLC Capacitor

وصف المنتج
Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor HACC102S30V470 470pF 30V Summary: The HACC102S30V470 is a 470 pF ±10%, 30 V DC single-layer MOS capacitor with a deep-level trap passivated Si/SiO2 interface. It is intended for RF matching, filtering and precision analog circuits where interface trap density, C-V hysteresis and long-term charge trapping affect stability. Overview The HACC102S30V470 is built on a float-zone silicon substrate (above 1000 Ω·cm) with a 300 nm thermal SiO2