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Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor HACC102S30V470 470pF 30V Zero C-V Hysteresis SLC

Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor HACC102S30V470 470pF 30V Zero C-V Hysteresis SLC

Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor HACC102S30V470 470pF 30V Zero C-V Hysteresis SLC

Markenname:	Hoan
Modellnummer:	HACC102S30V470
Mindestbestellmenge:	10 Stück
Zahlungsbedingungen:	L/C, D/A, D/P, T/T

Detailinformationen

Produkt-Beschreibung

Detailinformationen

Herkunftsort:

Shaanxi, China

Zertifizierung:

ISO 9001:2015, RoHS

Chipabmessungen:

0,50 x 0,50 x 0,15 mm

Top-Metallisierung:

Au, 2,5 um min

Rückseitenmetallisierung:

Au, 1,0 um min

Betriebstemperatur:

-55°C bis +125°C

RoHS:

Konform mit EU 2015/863

ESD-Klasse:

Klasse 0 (HBM)

Montageart:

Drahtbondbare/eutektische Die-Befestigung

Hervorheben:

Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor

,

470pF 30V MOS Capacitor

,

Zero C-V Hysteresis SLC Capacitor

Produkt-Beschreibung

Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor HACC102S30V470 470pF 30V Summary: The HACC102S30V470 is a 470 pF ±10%, 30 V DC single-layer MOS capacitor with a deep-level trap passivated Si/SiO2 interface. It is intended for RF matching, filtering and precision analog circuits where interface trap density, C-V hysteresis and long-term charge trapping affect stability. Overview The HACC102S30V470 is built on a float-zone silicon substrate (above 1000 Ω·cm) with a 300 nm thermal SiO2

Umbauten:

SLC Kondensator

Wirkstoffverbindungskondensator

Einlager-Keramikkondensator

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