Подробная информация о продукции

Created with Pixso. Дом Created with Pixso. Продукты Created with Pixso.
Конденсаторы MOS
Created with Pixso.

Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor HACC102S30V470 470pF 30V Zero C-V Hysteresis SLC

Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor HACC102S30V470 470pF 30V Zero C-V Hysteresis SLC

Название бренда: Hoan
Номер модели: ХАКК102С30В470
минимальный заказ: 10 шт.
Условия оплаты: Л/К, Д/А, Д/П, Т/Т
Детальная информация
Место происхождения:
Шэньси, Китай
Сертификация:
ISO 9001:2015, RoHS
Размеры чипа:
0,50 х 0,50 х 0,15 мм
Топ Металлизация:
Au, 2,5 мкм мин.
Задняя металлизация:
Au, 1,0 мкм мин.
Рабочая температура:
от -55°С до +125°С
РоХС:
Соответствует ЕС 2015/863
Класс ЭСР:
Класс 0 (ХБМ)
Тип монтажа:
Крепление проволочной/эвтектической матрицы
Выделить:

Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor

,

470pF 30V MOS Capacitor

,

Zero C-V Hysteresis SLC Capacitor

Характер продукции
Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor HACC102S30V470 470pF 30V Summary: The HACC102S30V470 is a 470 pF ±10%, 30 V DC single-layer MOS capacitor with a deep-level trap passivated Si/SiO2 interface. It is intended for RF matching, filtering and precision analog circuits where interface trap density, C-V hysteresis and long-term charge trapping affect stability. Overview The HACC102S30V470 is built on a float-zone silicon substrate (above 1000 Ω·cm) with a 300 nm thermal SiO2