商品の詳細

ホーム製品

Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor HACC102S30V470 470pF 30V Zero C-V Hysteresis SLC

Name: Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor HACC102S30V470 470pF 30V Zero C-V Hysteresis SLC
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC102S30V470
Price: 交渉可能 USD
Availability: InStock

ブランド名:	Hoan
モデル番号:	HACC102S30V470
MOQ:	10個
支払い条件:	L/C、D/A、D/P、T/T

詳細情報

製品の説明

詳細情報

起源の場所:

陝西省、中国

証明:

ISO 9001:2015, RoHS

チップ寸法:

0.50×0.50×0.15mm

上部のメタライゼーション:

Au、2.5um以上

裏面メタライゼーション:

Au、1.0um以上

動作温度:

-55℃～+125℃

RoHS:

EU 2015/863準拠

ESDクラス:

クラス0 (HBM)

取付タイプ:

ワイヤーボンディング可能/共晶ダイアタッチ可能

ハイライト:

Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor

470pF 30V MOS Capacitor

Zero C-V Hysteresis SLC Capacitor

製品の説明

Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor HACC102S30V470 470pF 30V Summary: The HACC102S30V470 is a 470 pF ±10%, 30 V DC single-layer MOS capacitor with a deep-level trap passivated Si/SiO2 interface. It is intended for RF matching, filtering and precision analog circuits where interface trap density, C-V hysteresis and long-term charge trapping affect stability. Overview The HACC102S30V470 is built on a float-zone silicon substrate (above 1000 Ω·cm) with a 300 nm thermal SiO2

札:

コニカルインダクタ

広帯域インダクタ

空気中心誘導器

エアコイルインダクタ

MOSキャパシタ

単層コンデンサ

コニカルインダクタ

広帯域インダクタ

空気中心誘導器

エアコイルインダクタ

MOSキャパシタ

単層コンデンサ

商品の詳細

Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor HACC102S30V470 470pF 30V Zero C-V Hysteresis SLC

Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor HACC102S30V470 470pF 30V Zero C-V Hysteresis SLC

Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor

470pF 30V MOS Capacitor

Zero C-V Hysteresis SLC Capacitor

SLCキャパシタ

ワイヤボンディング可能キャパシタ

単層セラミックキャパシタ

高絶縁破壊電圧MOSキャパシタ超小型低リーク 50V ワイヤボンディング可能キャパシタ SLCチップ

カスタムRFチップコンデンサ放射線硬化型スペースコンデンサフラットQ応答デジタルウェーハマップ

ラピッドプロトタイピングMOSキャパシタフレキシブルカスタマイズ 10pFキャパシタ環境配慮型サプライチェーン準拠チップ

フラットQ応答低ESRコンデンサ超低誘電吸収共晶裏面セラミックチップコンデンサ

超低負荷MOSコンデンサ優れたTCCVCC安定性 100pF 50V 高Qコンデンサ RF