جزئیات محصولات

Created with Pixso. خونه Created with Pixso. محصولات Created with Pixso.
هک کننده های MOS
Created with Pixso.

Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor HACC102S30V470 470pF 30V Zero C-V Hysteresis SLC

Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor HACC102S30V470 470pF 30V Zero C-V Hysteresis SLC

نام تجاری: Hoan
شماره مدل: HACC102S30V470
MOQ: 10 عدد
شرایط پرداخت: L/C، D/A، D/P، T/T
اطلاعات جزئیات
محل منبع:
شانشی، چین
گواهی:
ISO 9001:2015, RoHS
ابعاد تراشه:
0.50 x 0.50 x 0.15 میلی متر
تاپ متالیزاسیون:
آئو، 2.5 میلی متر دقیقه
متالیزاسیون پشت:
Au، 1.0 um min
دمای عملیاتی:
-55 درجه سانتی گراد تا +125 درجه سانتی گراد
RoHS:
مطابق با اتحادیه اروپا 2015/863
کلاس ESD:
کلاس 0 (HBM)
نوع نصب:
اتصال سیم قابل اتصال / اتکتیک قالب
برجسته کردن:

Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor

,

470pF 30V MOS Capacitor

,

Zero C-V Hysteresis SLC Capacitor

توضیحات محصول
Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor HACC102S30V470 470pF 30V Summary: The HACC102S30V470 is a 470 pF ±10%, 30 V DC single-layer MOS capacitor with a deep-level trap passivated Si/SiO2 interface. It is intended for RF matching, filtering and precision analog circuits where interface trap density, C-V hysteresis and long-term charge trapping affect stability. Overview The HACC102S30V470 is built on a float-zone silicon substrate (above 1000 Ω·cm) with a 300 nm thermal SiO2