HongAn Microwave Co., Ltd.

ελληνικά

বাংলা

हिन्दी



Σπίτι

Σχετικά με εμάς

Σχεδιάγραμμα επιχείρησης

Γύρος εργοστασίων

Ποιοτικός έλεγχος

FAQ

Προϊόντα

Κωνικός επαγωγέας

Δορυφόροι ευρυζωνικής σύνδεσης

Πηνίο πυρήνων αέρα

Δορυφορικός μηχανισμός

MOS Capacitors

Μονόστρωτος πυκνωτής

Ειδήσεις

Μας ελάτε σε επαφή με

Παραθέτω

λεπτομέρειες προϊόντων

Σπίτι Προϊόντα

Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor HACC102S30V470 470pF 30V Zero C-V Hysteresis SLC

Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor HACC102S30V470 470pF 30V Zero C-V Hysteresis SLC

Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor HACC102S30V470 470pF 30V Zero C-V Hysteresis SLC

Επωνυμία:	Hoan
Αριθμός μοντέλου:	HACC102S30V470
MOQ:	10 τεμάχια
Όροι πληρωμής:	L/C,D/A,D/P,T/T

Λεπτομέρειες

Περιγραφή προϊόντων

Λεπτομέρειες

Τόπος καταγωγής:

Shaanxi, Κίνα

Πιστοποίηση:

ISO 9001:2015, RoHS

Διαστάσεις τσιπ:

0,50 x 0,50 x 0,15 χλστ

Κορυφαία Μεταλλοποίηση:

Au, 2,5 μμ min

Μεταλλοποίηση πίσω πλευράς:

Au, 1,0 μμ min

Θερμοκρασία λειτουργίας:

-55°C έως +125°C

RoHS:

Συμβατό με την ΕΕ 2015/863

Κατηγορία ESD:

Κατηγορία 0 (HBM)

Τύπος τοποθέτησης:

Συνδέσιμο με σύρμα / Ευτηκτική μήτρα

Επισημαίνω:

Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor

,

470pF 30V MOS Capacitor

,

Zero C-V Hysteresis SLC Capacitor

Περιγραφή προϊόντων

Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor HACC102S30V470 470pF 30V Summary: The HACC102S30V470 is a 470 pF ±10%, 30 V DC single-layer MOS capacitor with a deep-level trap passivated Si/SiO2 interface. It is intended for RF matching, filtering and precision analog circuits where interface trap density, C-V hysteresis and long-term charge trapping affect stability. Overview The HACC102S30V470 is built on a float-zone silicon substrate (above 1000 Ω·cm) with a 300 nm thermal SiO2

Ετικέττες:

SLC Capacitor

Wire Bondable Capacitor

Single Layer Ceramic Capacitor

Συγγενικά προϊόντα

Υψηλή τάση διακοπής MOS Συμπιεστήρες Ultra Μικροσκοπικό χαμηλής διαρροής 50V Wire Bondable Συμπιεστήρας SLC Chip

Υψηλή τάση διακοπής MOS Συμπιεστήρες Ultra Μικροσκοπικό χαμηλής διαρροής 50V Wire Bondable Συμπιεστήρας SLC Chip

Πάρτε την καλύτερη τιμή

Προσαρμοσμένος Πυκνωτής Τσιπ RF, Σκληρυμένος στην Ακτινοβολία, Πυκνωτής Διαστήματος, Επίπεδη Απόκριση Q, Ψηφιακός Χάρτης Wafer

Προσαρμοσμένος Πυκνωτής Τσιπ RF, Σκληρυμένος στην Ακτινοβολία, Πυκνωτής Διαστήματος, Επίπεδη Απόκριση Q, Ψηφιακός Χάρτης Wafer

Πάρτε την καλύτερη τιμή

Ταχεία Δημιουργία Πρωτοτύπων Πυκνωτές MOS Ευέλικτη Προσαρμογή Πυκνωτής 10 pF Φιλική προς το Περιβάλλον Εφοδιαστική Αλυσίδα Συμβατό Τσιπ

Ταχεία Δημιουργία Πρωτοτύπων Πυκνωτές MOS Ευέλικτη Προσαρμογή Πυκνωτής 10 pF Φιλική προς το Περιβάλλον Εφοδιαστική Αλυσίδα Συμβατό Τσιπ

Πάρτε την καλύτερη τιμή

Κατηφορία Flat Q Low ESR Condenser Ultra Low Dielectric Absorption Eutectic Backside Κεραμικός Κονδυλωτής Τσιπ

Κατηφορία Flat Q Low ESR Condenser Ultra Low Dielectric Absorption Eutectic Backside Κεραμικός Κονδυλωτής Τσιπ

Πάρτε την καλύτερη τιμή

Υπερχαμηλή απώλεια MOS Συμπιεστήρες Εξαιρετική TCC VCC Σταθερότητα 100pF 50V Υψηλός Q Συμπιεστήρας σε RF

Υπερχαμηλή απώλεια MOS Συμπιεστήρες Εξαιρετική TCC VCC Σταθερότητα 100pF 50V Υψηλός Q Συμπιεστήρας σε RF

Πάρτε την καλύτερη τιμή