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Condensateurs MOS

Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor HACC102S30V470 470pF 30V Zero C-V Hysteresis SLC

Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor HACC102S30V470 470pF 30V Zero C-V Hysteresis SLC

Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor HACC102S30V470 470pF 30V Zero C-V Hysteresis SLC

Nom De La Marque:	Hoan
Numéro De Modèle:	HACC102S30V470
Quantité Minimale De Commande:	10 pièces
Conditions De Paiement:	LC, D/A, D/P, T/T

Informations détaillées

Description de produit

Informations détaillées

Lieu d'origine:

Shaanxi, Chine

Certification:

ISO 9001:2015, RoHS

Dimensions des puces:

0,50x0,50x0,15mm

Métallisation supérieure:

Au, 2,5 um min

Métallisation arrière:

Au, 1,0 um min

Température de fonctionnement:

-55°C à +125°C

RoHS:

Conforme à la norme UE 2015/863

Classe ESD:

Classe 0 (HBM)

Type de montage:

Fixation de matrice à liaison filaire/eutectique

Mettre en évidence:

Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor

,

470pF 30V MOS Capacitor

,

Zero C-V Hysteresis SLC Capacitor

Description de produit

Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor HACC102S30V470 470pF 30V Summary: The HACC102S30V470 is a 470 pF ±10%, 30 V DC single-layer MOS capacitor with a deep-level trap passivated Si/SiO2 interface. It is intended for RF matching, filtering and precision analog circuits where interface trap density, C-V hysteresis and long-term charge trapping affect stability. Overview The HACC102S30V470 is built on a float-zone silicon substrate (above 1000 Ω·cm) with a 300 nm thermal SiO2

Étiquettes:

Condensateur SLC

Condensateur soudable par fil

Condensateur céramique monocouche

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