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उत्पादों का विवरण

Created with Pixso. घर Created with Pixso. उत्पादों Created with Pixso.
एमओएस कैपेसिटर
Created with Pixso.

Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor HACC102S30V470 470pF 30V Zero C-V Hysteresis SLC

Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor HACC102S30V470 470pF 30V Zero C-V Hysteresis SLC

Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor HACC102S30V470 470pF 30V Zero C-V Hysteresis SLC

ब्रांड का नाम: Hoan
मॉडल नंबर: HACC102S30V470
MOQ: 10 टुकड़े
भुगतान की शर्तें: एल/सी,डी/ए,डी/पी,टी/टी
विस्तृत जानकारी
उत्पाद का वर्णन
विस्तृत जानकारी
उत्पत्ति के प्लेस:
शानक्सी, चीन
प्रमाणन:
ISO 9001:2015, RoHS
चिप आयाम:
0.50 x 0.50 x 0.15 मिमी
शीर्ष धातुकरण:
एयू, 2.5 उम मिनट
पीछे की ओर धातुकरण:
एयू, 1.0 उम मिनट
परिचालन तापमान:
-55°C से +125°C
RoHS:
ईयू 2015/863 के अनुरूप
ईएसडी क्लास:
कक्षा 0 (एचबीएम)
माउन्टिंग का प्रकार:
वायर बॉन्डेबल / यूटेक्टिक डाई अटैच
प्रमुखता देना:

Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor

,

470pF 30V MOS Capacitor

,

Zero C-V Hysteresis SLC Capacitor

उत्पाद का वर्णन
Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor HACC102S30V470 470pF 30V Summary: The HACC102S30V470 is a 470 pF ±10%, 30 V DC single-layer MOS capacitor with a deep-level trap passivated Si/SiO2 interface. It is intended for RF matching, filtering and precision analog circuits where interface trap density, C-V hysteresis and long-term charge trapping affect stability. Overview The HACC102S30V470 is built on a float-zone silicon substrate (above 1000 Ω·cm) with a 300 nm thermal SiO2
टैग: 

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वायर बॉन्डेबल कैपेसिटर  

सिंगल लेयर सिरेमिक कैपेसिटर

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