| Marca: | Hoan |
| Número do modelo: | HACC100S10V101 |
| Quantidade mínima: | 10 peças |
| Condições de pagamento: | L/C,D/A,D/P,T/T,Western Union |
O desenvolvimento de módulos RF segue um ritmo previsível: conceito, simulação, protótipo, teste, iteração. Cada dia gasto esperando por um componente passivo personalizado é um dia que seu projeto permanece na bancada em vez de na frente do seu cliente. OHACC100S10V101 — um Capacitor Cerâmico de Camada Única (SLC) com Borda de Lado Único de 10pF ±10%, 100V— é suportado por uma infraestrutura responsiva de prototipagem e personalização projetada para comprimir seu ciclo de desenvolvimento de meses para semanas.
O HACC100S10V101 serve como um projeto fundamental dentro de uma plataforma configurável mais ampla. Em vez de tratar cada valor de capacitância como um número de peça separado que requer qualificação independente, essa abordagem de plataforma permite ajustar parâmetros-chave mantendo a mesma pegada física, sistema de metalização e processo de montagem:
| Parâmetro Configurável | Padrão | Opcional / Personalizado | Notas |
|---|---|---|---|
| Tolerância de Capacitância | ±10% | ±5% (tolerância J) | Tolerância mais apertada melhora a precisão da rede de casamento. Disponível por binning em nível de wafer sem alteração de processo. |
| Tipo de Dielétrico | Classe I COG/NPO | Classe II X7R (High-K) | COG/NPO para TCC zero e VCC zero; X7R para maior densidade de capacitância em requisitos de estabilidade relaxados. |
| Valor de Capacitância (Plataforma) | 10pF | Faixa de 5pF – 500pF | Valores em toda a plataforma compartilham metalização e pegada idênticas. Solicite valores específicos para pedidos em volume. |
| Contorno do Chip | 0.50*0.50mm | Proporções personalizadas (consulte a fábrica) | Fatores de forma retangulares para layouts de substrato restritos. Mesma metalização TaN/TiW/Ni/Au. |
| Acabamento Traseiro | TiW-Pt-Au | Apenas Au (para AuSn dedicado), pré-deposição de AuSn | AuSn pré-depositado (3-5µm) permite fixação de die eutética sem fluxo, sem preformas de solda adicionais. |
| Pacote de Teste e Dados | COC Padrão | Dados S-parameter por lote, curvas C-V, gráficos TCC | Relatórios completos de caracterização para pacotes de qualificação. Arquivos Touchstone .s2p disponíveis. |
Essa configurabilidade é possibilitada pelo processo de fabricação MIM (Metal-Insulator-Metal) de camada única em substrato de silício de alta resistividade. Ao contrário dos MLCCs, onde a mudança de capacitância requer a mudança de todo o projeto da pilha de eletrodos multicamadas, a plataforma HACC ajusta a capacitância unicamente através da área do eletrodo na máscara de fotolitografia — uma mudança de projeto que leva horas, não semanas, para implementar em nível de wafer.
Nosso fluxo de trabalho de prototipagem rápida é projetado para velocidade sem sacrificar qualidade ou rastreabilidade:
Para valores de catálogo padrão (incluindo o HACC100S10V101 de 10pF), as amostras de avaliação são enviadas do estoque em 1-2 semanas. Valores personalizados seguem o ciclo de prototipagem de 3-4 semanas.
As cadeias de suprimentos de eletrônicos modernos devem satisfazer múltiplos quadros regulatórios sobrepostos, e os componentes passivos não são exceção. O HACC100S10V101 é fabricado com documentação de conformidade completa para apoiar as submissões regulatórias do seu produto:
A documentação de conformidade não é uma reflexão tardia — é integrada ao sistema de controle de lote. Cada lote de produção é enviado com um certificado de conformidade resumindo o status RoHS, status REACH SVHC, conteúdo de halogênio e origem de minerais de conflito. Para clientes que passam por auditorias ISO 14001 ou auditorias de qualidade específicas do cliente, este pacote de documentação elimina a necessidade de testes de materiais independentes.
O HACC100S10V101 apresenta um design de Borda de Lado Único (Margem) — uma borda cerâmica limpa e não metalizada ao redor do eletrodo de ouro superior. Este recurso geométrico simples oferece três benefícios práticos de fabricação:
| Parâmetro | Valor | Condições |
|---|---|---|
| Capacitância | 10 pF ±10% (±5% opcional) | 1kHz, 1Vrms, 25°C |
| Tensão Nominal | 100 V DC | Operação contínua |
| DWV | >250 V DC (250% nominal) | Teste de produção 100% |
| ESR | <0.1 Ω @ 1GHz | Coaxial de camada única |
| Temperatura de Operação | -55°C a +125°C | Paramétrico completo |
| Opções de Dielétrico | COG/NPO (Classe I) / X7R (Classe II) | Dependente da aplicação |
| Conformidade | RoHS, REACH, Livre de Halogênio | Documentação por lote |
Nota sobre Conformidade MIL-STD-883: O teste de resistência à tração do wire bond excede 3.0 gramas por MIL-STD-883 Método 2011.7, verificado por lote de wafer em dados de amostra das posições central e dos quatro cantos. Dados completos de qualificação de lote disponíveis mediante solicitação.
Entre em contato conosco com suas especificações alvo para uma avaliação rápida de viabilidade, estimativa de prazo de entrega e cotação. Amostras de avaliação para valores padrão são enviadas em 1-2 semanas.