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Capacitores MOS
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Capacitores MOS de Prototipagem Rápida, Personalização Flexível, Capacitor de 10 pF, Cadeia de Suprimentos Ecológica, Chip em Conformidade

Capacitores MOS de Prototipagem Rápida, Personalização Flexível, Capacitor de 10 pF, Cadeia de Suprimentos Ecológica, Chip em Conformidade

Marca: Hoan
Número do modelo: HACC100S10V101
Quantidade mínima: 10 peças
Condições de pagamento: L/C,D/A,D/P,T/T,Western Union
Informações pormenorizadas
Lugar de origem:
Shannxi, China
Certificação:
ISO 9001:2015, RoHS, REACH
Capacitância:
10pF ±10% (personalizado ±5% disponível)
Tensão nominal:
100 V CC
Tensão suportável dielétrica:
>250 V (250% nominal)
Metalização Superior:
TiW-Au (≥2,5µm Au)
Arquitetura de design:
Borda unilateral (margem)
Conformidade:
RoHS, REACH, sem halogênio
Tamanho do chip:
0,50x0,50x0,15mm
Destacar:

Capacitores MOS de Prototipagem Rápida

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Capacitor de 10 pF de Prototipagem Rápida

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Capacitor de 10 pF de Prototipagem Rápida

Descrição do produto

HACC100S10V101 10pF 100V Capacitor MOS Personalização Flexível Prototipagem Rápida Cadeia de Suprimentos Ecológica Chip em Conformidade


Personalização Flexível e Prototipagem Rápida: Acelerando o Desenvolvimento de Módulos RF com Soluções de Capacitor Configuráveis

O desenvolvimento de módulos RF segue um ritmo previsível: conceito, simulação, protótipo, teste, iteração. Cada dia gasto esperando por um componente passivo personalizado é um dia que seu projeto permanece na bancada em vez de na frente do seu cliente. OHACC100S10V101 — um Capacitor Cerâmico de Camada Única (SLC) com Borda de Lado Único de 10pF ±10%, 100V— é suportado por uma infraestrutura responsiva de prototipagem e personalização projetada para comprimir seu ciclo de desenvolvimento de meses para semanas.

Opções de Configuração: Uma Plataforma, Múltiplas Variantes

O HACC100S10V101 serve como um projeto fundamental dentro de uma plataforma configurável mais ampla. Em vez de tratar cada valor de capacitância como um número de peça separado que requer qualificação independente, essa abordagem de plataforma permite ajustar parâmetros-chave mantendo a mesma pegada física, sistema de metalização e processo de montagem:

Parâmetro Configurável Padrão Opcional / Personalizado Notas
Tolerância de Capacitância ±10% ±5% (tolerância J) Tolerância mais apertada melhora a precisão da rede de casamento. Disponível por binning em nível de wafer sem alteração de processo.
Tipo de Dielétrico Classe I COG/NPO Classe II X7R (High-K) COG/NPO para TCC zero e VCC zero; X7R para maior densidade de capacitância em requisitos de estabilidade relaxados.
Valor de Capacitância (Plataforma) 10pF Faixa de 5pF – 500pF Valores em toda a plataforma compartilham metalização e pegada idênticas. Solicite valores específicos para pedidos em volume.
Contorno do Chip 0.50*0.50mm Proporções personalizadas (consulte a fábrica) Fatores de forma retangulares para layouts de substrato restritos. Mesma metalização TaN/TiW/Ni/Au.
Acabamento Traseiro TiW-Pt-Au Apenas Au (para AuSn dedicado), pré-deposição de AuSn AuSn pré-depositado (3-5µm) permite fixação de die eutética sem fluxo, sem preformas de solda adicionais.
Pacote de Teste e Dados COC Padrão Dados S-parameter por lote, curvas C-V, gráficos TCC Relatórios completos de caracterização para pacotes de qualificação. Arquivos Touchstone .s2p disponíveis.

Essa configurabilidade é possibilitada pelo processo de fabricação MIM (Metal-Insulator-Metal) de camada única em substrato de silício de alta resistividade. Ao contrário dos MLCCs, onde a mudança de capacitância requer a mudança de todo o projeto da pilha de eletrodos multicamadas, a plataforma HACC ajusta a capacitância unicamente através da área do eletrodo na máscara de fotolitografia — uma mudança de projeto que leva horas, não semanas, para implementar em nível de wafer.

Prototipagem Rápida: Da Especificação às Amostras de Avaliação em 3-4 Semanas

Nosso fluxo de trabalho de prototipagem rápida é projetado para velocidade sem sacrificar qualidade ou rastreabilidade:

  1. Semana 1 — Revisão de Especificação e Programação de Máscara: Ao receber sua capacitância alvo, tolerância e requisitos dielétricos, nossa equipe de aplicações confirma a viabilidade em 2 dias úteis. A máscara de fotolitografia é então programada — para pegadas padrão, esta é uma atualização de projeto de máscara digital com custo de ferramenta zero.
  2. Semana 2 — Fabricação de Wafer: Wafers de silício de zona flutuante de alta resistividade passam por oxidação térmica seca (dielétrico SiO₂), sputtering de TiW/Au ou Pt/TiW/Au (dependendo do lado do eletrodo), fotolitografia, padronização de lift-off e teste de sonda DC em nível de wafer (100% de capacitância, vazamento e tensão de ruptura).
  3. Semana 3 — Corte, Inspeção e Embalagem: Os wafers são cortados, inspecionados visualmente a 50* de magnificação e embalados em waffle packs condutivos ou gel-paks. Dados de teste específicos do lote são compilados.
  4. Semana 3-4 — Envio: Amostras de avaliação (tipicamente 25-50 dados em waffle pack) são enviadas com Certificado de Conformidade completo e dados de caracterização disponíveis (S-parâmetros, C-V, TCC).

Para valores de catálogo padrão (incluindo o HACC100S10V101 de 10pF), as amostras de avaliação são enviadas do estoque em 1-2 semanas. Valores personalizados seguem o ciclo de prototipagem de 3-4 semanas.

Fabricação Ecológica e Conformidade da Cadeia de Suprimentos

As cadeias de suprimentos de eletrônicos modernos devem satisfazer múltiplos quadros regulatórios sobrepostos, e os componentes passivos não são exceção. O HACC100S10V101 é fabricado com documentação de conformidade completa para apoiar as submissões regulatórias do seu produto:

  • Diretiva RoHS da UE 2011/65/UE (incluindo a emenda 2015/863): O substrato de silício, o dielétrico SiO₂, a barreira TiW, a barreira Pt e os eletrodos Au são intrinsecamente livres de todas as substâncias restritas (chumbo, mercúrio, cádmio, cromo hexavalente, PBB, PBDE e todos os quatro ftalatos — DEHP, BBP, DBP, DIBP). Nenhuma isenção é necessária.
  • Regulamento REACH da UE (CE) 1907/2006: Declaração completa de SVHC (Substâncias de Alta Preocupação) disponível por lote de produção. O sistema de materiais — Si, SiO₂, TiW, Pt, Au — não contém nenhuma das substâncias da Lista de Candidatos em concentrações reportáveis.
  • Livre de Halogênio conforme IEC 61249-2-21: Conteúdo de cloro <900ppm, conteúdo de bromo <900ppm, halogênios totais <1500ppm. A metalização de filme fino por sputtering e o substrato cerâmico são inerentemente livres de halogênio; nenhum retardante de chama bromado ou solvente clorado é usado na fabricação.
  • Minerais de Conflito (Seção 1502 da Dodd-Frank / Regulamento da UE 2017/821): O ouro usado na metalização por sputtering é proveniente de refinadores certificados pela LBMA. CMRT (Conflict Minerals Reporting Template) completo disponível mediante solicitação.
  • ISO 9001:2015: A instalação de fabricação mantém a certificação atual ISO 9001:2015 com auditorias anuais de vigilância. A rastreabilidade do lote desde o início do wafer até a inspeção visual final é mantida no banco de dados de produção.

A documentação de conformidade não é uma reflexão tardia — é integrada ao sistema de controle de lote. Cada lote de produção é enviado com um certificado de conformidade resumindo o status RoHS, status REACH SVHC, conteúdo de halogênio e origem de minerais de conflito. Para clientes que passam por auditorias ISO 14001 ou auditorias de qualidade específicas do cliente, este pacote de documentação elimina a necessidade de testes de materiais independentes.

Design Confiável de Margem de Lado Único para Montagem em Alto Volume

O HACC100S10V101 apresenta um design de Borda de Lado Único (Margem) — uma borda cerâmica limpa e não metalizada ao redor do eletrodo de ouro superior. Este recurso geométrico simples oferece três benefícios práticos de fabricação:

  • Curto-circuitos zero de epóxi: Durante a fixação do die com epóxi condutivo de prata (H20E), a margem cerâmica bloqueia fisicamente o excesso de epóxi de subir pela parede lateral até o eletrodo superior. Este é um recurso geométrico integral, não um revestimento — ele não pode ser arranhado, dissolvido ou degradado por ciclos térmicos.
  • Referência de alinhamento de wire bond: A fronteira ouro-cerâmica fornece um contraste óptico nítido para sistemas de visão de bonders automáticos de fio. A cunha de ligação ou capilar de esfera visa uma posição ≥25µm dentro desta fronteira, garantindo a colocação consistente do bond sem alinhamento manual.
  • Otimização do terra inferior: Ao contrário dos chips com borda dupla, o HACC100S10V101 mantém o eletrodo inferior totalmente metalizado (sem borda), maximizando a área de contato de terra. Essa escolha de design prioriza a menor impedância de terra RF possível — uma vantagem de desempenho mensurável em aplicações de bypass de alta frequência.

Principais Especificações Elétricas

Parâmetro Valor Condições
Capacitância 10 pF ±10% (±5% opcional) 1kHz, 1Vrms, 25°C
Tensão Nominal 100 V DC Operação contínua
DWV >250 V DC (250% nominal) Teste de produção 100%
ESR <0.1 Ω @ 1GHz Coaxial de camada única
Temperatura de Operação -55°C a +125°C Paramétrico completo
Opções de Dielétrico COG/NPO (Classe I) / X7R (Classe II) Dependente da aplicação
Conformidade RoHS, REACH, Livre de Halogênio Documentação por lote

Áreas de Aplicação

  • Prototipagem Rápida de Módulos RF: O valor padrão de 10pF é enviado do estoque em 1-2 semanas; capacitâncias personalizadas (tolerância ±5%, dielétricos alternativos, fatores de forma retangulares) em 3-4 semanas. Compatível com todas as plataformas padrão de fixação de die e wire bonding, incluindo sistemas automatizados Datacon, Finetech e Tresky.
  • 5G FR2, Pesquisa 6G e Subsistemas mmWave: ESR ultrabaixo e arquitetura coaxial de camada única suportam bloqueio DC limpo até 40GHz+ para plataformas de protótipo sub-THz emergentes de 6G. Valores de capacitância personalizados de 5pF-500pF disponíveis na mesma pegada de 0.50mm.
  • Redes de Polarização de Amplificadores de Potência GaN/GaAs/InP e LNAs: Classificação de 100V com >250V DWV fornece headroom robusto para desacoplamento de polarização de dreno GaN de 28-50V. Valor de 10pF com <0.1Ω ESR minimiza a perda de inserção em blocos DC de entrada de LNAs GaAs pHEMT e InP HBT.
  • Eletrônicos Médicos: Sistema de materiais biocompatíveis (Au, Pt, Si, SiO₂, TiW). Rastreabilidade de lote ISO 9001 suporta requisitos de histórico de design FDA 21 CFR Parte 820. Certificação livre de halogênio atende aos requisitos IEC 60601-1-9 para equipamentos elétricos médicos.
  • Módulos de Grau Automotivo (ADAS, Radar, V2X): Faixa de operação de -55°C a +125°C com dados de qualificação compatíveis com AEC-Q200. Relatórios de minerais de conflito e declarações completas de REACH/SVHC suportam requisitos de transparência da cadeia de suprimentos OEM.
  • Transceptores Ópticos (100G/400G/800G): Bloqueio DC de 10pF com <0.1Ω ESR para sinalização PAM4 de 25-112Gbaud. Altura de 0.15mm cabe dentro das tampas de módulo TOSA/ROSA herméticas. Dados S-parameter por lote suportam documentação de matriz de conformidade.
  • RF Industrial IoT e Edge Computing: Conformidade regulatória completa (RoHS, REACH, livre de halogênio) suporta marcação CE/UKCA e acesso ao mercado global. Opções de embalagem em waffle pack e tape-and-reel para protótipo e produção em volume.

Diretrizes de Montagem

  • Fixação de Die: Epóxi condutivo (H20E, 120°C/30min) ou eutético AuSn (300-320°C, N₂/H₂). A barreira Pt inferior garante compatibilidade com todos os métodos.
  • Wire Bonding: Ligação de bola termossônica de Au de 25µm (estágio de 120-150°C, >3.0g de tração). Bond ≥25µm da borda do eletrodo.
  • Força de Colocação do Die: Mantenha a força da pinça de pick-and-place ≤50gf com ponta flexível (silicone ou elastômero ESD-safe). Pinças de metal duro correm o risco de microfissurar o substrato cerâmico de camada única de 0.15mm de espessura. Verifique a precisão da colocação dentro de ±25µm usando alinhamento de visão automatizado.
  • Armazenamento: Waffle pack ou gel-pak, 20-25°C, 40-60% UR, gabinete de nitrogênio. MSL 1 — vida útil ilimitada em ≤30°C/85% UR.

Nota sobre Conformidade MIL-STD-883: O teste de resistência à tração do wire bond excede 3.0 gramas por MIL-STD-883 Método 2011.7, verificado por lote de wafer em dados de amostra das posições central e dos quatro cantos. Dados completos de qualificação de lote disponíveis mediante solicitação.

Entre em contato conosco com suas especificações alvo para uma avaliação rápida de viabilidade, estimativa de prazo de entrega e cotação. Amostras de avaliação para valores padrão são enviadas em 1-2 semanas.