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Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor HACC102S30V470 470pF 30V Zero C-V Hysteresis SLC

Name: Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor HACC102S30V470 470pF 30V Zero C-V Hysteresis SLC
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC102S30V470
Price: 협상 가능 USD
Availability: InStock

브랜드 이름:	Hoan
모델 번호:	HACC102S30V470
MOQ:	10개
지불 조건:	L/C,D/A,D/P,T/T

상세 정보

제품 설명

상세 정보

원래 장소:

중국 산시성

인증:

ISO 9001:2015, RoHS

칩 크기:

0.50x0.50x0.15mm

최고 금속화:

Au, 최소 2.5um

후면 금속화:

Au, 1.0um 최소

작동 온도:

-55°C ~ +125°C

RoHS 규제:

EU 2015/863 준수

ESD 클래스:

클래스 0(HBM)

장착 유형:

와이어 본딩 가능/공융 다이 부착

강조하다:

Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor

470pF 30V MOS Capacitor

Zero C-V Hysteresis SLC Capacitor

제품 설명

Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor HACC102S30V470 470pF 30V Summary: The HACC102S30V470 is a 470 pF ±10%, 30 V DC single-layer MOS capacitor with a deep-level trap passivated Si/SiO2 interface. It is intended for RF matching, filtering and precision analog circuits where interface trap density, C-V hysteresis and long-term charge trapping affect stability. Overview The HACC102S30V470 is built on a float-zone silicon substrate (above 1000 Ω·cm) with a 300 nm thermal SiO2

태그:

원추형 인덕터

광대역 인덕터

에어 코어 인덕터

공기 코일 인덕터

MOS 콘덴시터

단층 콘덴시터

원추형 인덕터

광대역 인덕터

에어 코어 인덕터

공기 코일 인덕터

MOS 콘덴시터

단층 콘덴시터

제품 세부 정보

Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor HACC102S30V470 470pF 30V Zero C-V Hysteresis SLC

Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor HACC102S30V470 470pF 30V Zero C-V Hysteresis SLC

Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor

470pF 30V MOS Capacitor

Zero C-V Hysteresis SLC Capacitor

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