szczegółowe informacje o produktach

Created with Pixso. Do domu Created with Pixso. Produkty Created with Pixso.
Kondensatory MOS
Created with Pixso.

Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor HACC102S30V470 470pF 30V Zero C-V Hysteresis SLC

Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor HACC102S30V470 470pF 30V Zero C-V Hysteresis SLC

Nazwa marki: Hoan
Numer modelu: HACC102S30V470
MOQ: 10 sztuk
Warunki płatności: L/C, D/A, D/P, T/T
Informacje szczegółowe
Miejsce pochodzenia:
Shaanxi, Chiny
Orzecznictwo:
ISO 9001:2015, RoHS
Wymiary chipa:
0,50 x 0,50 x 0,15 mm
Najlepsza metalizacja:
Au, 2,5 um min
Metalizacja z tyłu:
Au, 1,0 um min
Temperatura pracy:
-55°C do +125°C
RoHS:
Zgodny z UE 2015/863
Klasa ESD:
Klasa 0 (HBM)
Typ mocowania:
Mocowanie drutu / matrycy eutektycznej
Podkreślić:

Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor

,

470pF 30V MOS Capacitor

,

Zero C-V Hysteresis SLC Capacitor

Opis produktu
Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor HACC102S30V470 470pF 30V Summary: The HACC102S30V470 is a 470 pF ±10%, 30 V DC single-layer MOS capacitor with a deep-level trap passivated Si/SiO2 interface. It is intended for RF matching, filtering and precision analog circuits where interface trap density, C-V hysteresis and long-term charge trapping affect stability. Overview The HACC102S30V470 is built on a float-zone silicon substrate (above 1000 Ω·cm) with a 300 nm thermal SiO2