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Condensatori MOS

Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor HACC102S30V470 470pF 30V Zero C-V Hysteresis SLC

Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor HACC102S30V470 470pF 30V Zero C-V Hysteresis SLC

Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor HACC102S30V470 470pF 30V Zero C-V Hysteresis SLC

Marchio:	Hoan
Numero di modello:	HACC102S30V470
MOQ:	10 pezzi
Termini di pagamento:	L/C,D/A,D/P,T/T

Informazioni dettagliate

Descrizione di prodotto

Informazioni dettagliate

Luogo di origine:

Shaanxi, Cina

Certificazione:

ISO 9001:2015, RoHS

Dimensioni del chip:

0,50 x 0,50 x 0,15 mm

Metallizzazione superiore:

Au, 2,5 um min

Metallizzazione del retro:

Au, 1,0 um min

Temperatura operativa:

Da -55°C a +125°C

RoHS:

Conforme UE 2015/863

Classe ESD:

Classe 0 (HBM)

Tipo di montaggio:

Fissaggio a filo/matrice eutettica

Evidenziare:

Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor

,

470pF 30V MOS Capacitor

,

Zero C-V Hysteresis SLC Capacitor

Descrizione di prodotto

Deep Level Trap Passivated MOS Capacitor HACC102S30V470 470pF 30V Summary: The HACC102S30V470 is a 470 pF ±10%, 30 V DC single-layer MOS capacitor with a deep-level trap passivated Si/SiO2 interface. It is intended for RF matching, filtering and precision analog circuits where interface trap density, C-V hysteresis and long-term charge trapping affect stability. Overview The HACC102S30V470 is built on a float-zone silicon substrate (above 1000 Ω·cm) with a 300 nm thermal SiO2

Etichette:

Capacitore SLC

Capacitore legato a filo

Capacitore ceramico a uno strato

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