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Condensatore MOS a Fattore Q Ultra-Elevato da 100 pF 30 V (HACC101S30V300) — Chip RF Monostrato in Miniatura a Bassa ESR
Riepilogo: Il Hoan HACC101S30V300 è un condensatore MOS monostrato da 100 pF ±10% con una tensione nominale di 30 V CC, che offre un fattore Q ultra-elevato (Q>2000 @ 1 MHz, Q>300 @ 1 GHz) e ESR ultra-bassa (<0.08 Ω @ 1 GHz) in un package bare-die ultra-miniaturizzato da 0.40 × 0.40 × 0.15 mm saldabile a filo. È progettato per adattamento di impedenza RF a bassa perdita, blocco CC e bypass dove l'area del circuito stampato e la perdita di inserzione sono critiche.
Cos'è un Condensatore MOS Monostrato?
Un condensatore MOS (condensatore Metallo-Ossido-Semiconduttore) è un condensatore monostrato che utilizza un dilettrico di biossido di silicio (SiO2) cresciuto termicamente su un substrato di silicio ad alta resistività, con elettrodi metallici sulla parte superiore e inferiore. Poiché non vi è alcuna pila di elettrodi interni, la corrente scorre verticalmente attraverso un singolo strato dielettrico, conferendo un'induttanza serie equivalente (ESL) intrinseca quasi nulla e un'elevata frequenza di auto-risonanza (SRF) rispetto ai condensatori ceramici multistrato (MLCC).
Principali Vantaggi Prestazionali
- Fattore Q Ultra-Elevato — Q > 2000 a 1 MHz e Q > 300 a 1 GHz. Il substrato float-zone (>1000 Ω·cm) minimizza la perdita per correnti parassite, quindi la perdita di inserzione della rete è trascurabile e l'induttore di adattamento, non il condensatore, domina la perdita totale.
- ESR Ultra-Bassa — ESR tipicamente inferiore a 0.08 Ω a 1 GHz, minimizzando la perdita I²R nei percorsi di bypass dell'amplificatore di potenza e di blocco CC.
- Formato Chip Miniaturizzato — il die da 0.40 mm occupa circa il 36% dell'impronta di un chip standard da 0.50 mm, aumentando la densità del canale nei front-end RF multicanale.
- Induttanza Intrinseca Quasi Nulla — il percorso di corrente verticale monostrato produce un'ESL del chip intrinseca inferiore a 0.03 nH; la risonanza del sistema è impostata dal filo di connessione controllato dall'utente.
- C-V Stabile — il SiO paraelettrico2 mostra un coefficiente di polarizzazione CC trascurabile (<10 ppm/V) e nessun invecchiamento ferroelettrico.
Specifiche Elettriche (T = 25°C se non diversamente indicato)
| Parametro | Valore | Condizione |
| Capacità | 100 pF ±10% (±5% disponibile) | 1 MHz, 1.0 Vrms |
| Tensione Nominale (CC) | 30 V | Continuo |
| Fattore Q | >2000 @ 1 MHz / >300 @ 1 GHz | Tipico |
| ESR @ 1 GHz | <0.08 Ω | Tipico |
| Fattore di Dissipazione | ≤0.15% | 1 kHz, 1.0 Vrms |
| ESL Intrinseca del Chip | <0.03 nH | De-embedded |
| Frequenza di Auto-Risonanza | >8 GHz a livello di chip; >1.2 GHz con filo di connessione da 0.5 mm | Tipico |
| Resistenza di Isolamento | ≥10⁴ MΩ | Alla tensione nominale, 25°C |
| Corrente di Perdita | <10 nA @ 25°C> | Alla tensione nominale |
| Assorbimento Dielettrico | <0.1% | 1 kHz |
| Dimensioni del Chip | 0.40 × 0.40 × 0.15 mm | ±25 µm |
| Dielettrico | SiO Termico2, 300 nm | Paraelettrico |
| Temperatura Operativa | -55°C a +125°C | Pieno parametrico |
| Montaggio | Saldabile a filo / Attacco Die Eutettico | AuSn o epossidico conduttivo |
Applicazioni Tipiche
- Reti di adattamento di impedenza e blocchi CC per amplificatori di potenza RF
- Bypass a bassa perdita e disaccoppiamento di alimentazione sopra 1 GHz
- Assemblaggi di front-end e moduli RF multicanale
- Circuiti di serbatoio oscillatore (VCO) e PLL che richiedono un elemento ad alto Q e a bassa perdita
- Strumentazione di test e misurazione e assemblaggi di schede sonda
